SIC
close

メモリ（10402）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
MT41J256M8HX-187E:D Micron Technology Inc. MT41J256M8HX-187E：d -
RFQ
 ECAD 8478 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-TFBGA MT41J256M8 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-FBGA （9x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 533 MHz 揮発性 2Gbit 13.125 ns ドラム 256m x 8 平行 -
MT53D768M64D8WF-053 WT ES:D TR Micron Technology Inc. MT53D768M64D8WF-053 WT ES：D TR -
RFQ
 ECAD 5998 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 376-WFBGA MT53D768 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 376-WFBGA（14x14） - 1 （無制限） ear99 8542.32.0036 1,000 1.866 GHz 揮発性 48gbit ドラム 768m x 64 - -
MT48LC8M16A2P-7E AIT:L Micron Technology Inc. MT48LC8M16A2P-7E AIT：L -
RFQ
 ECAD 8780 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT48LC8M16A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,080 133 MHz 揮発性 128mbit 5.4 ns ドラム 8m x 16 平行 14ns
MT29F512G08CUCABH3-12IT:A TR Micron Technology Inc. MT29F512G08CUCABH3-12IT：TR -
RFQ
 ECAD 3948 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 100-lbga MT29F512G08 フラッシュ-nand （mlc） 2.7V〜3.6V 100-lbga（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83 MHz 不揮発性 512gbit フラッシュ 64g x 8 平行 -
MT29F8G08ADADAH4-E:D TR Micron Technology Inc. MT29F8G080808ADADAH4-E：D TR -
RFQ
 ECAD 3375 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 63-VFBGA MT29F8G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 63-VFBGA （9x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 1,000 不揮発性 8gbit フラッシュ 1g x 8 平行 -
MT53E512M32D1ZW-046 IT:B TR Micron Technology Inc. MT53E512M32D1ZW-046 IT：B TR 14.6250
RFQ
 ECAD 4040 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 200-TFBGA MT53E512 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.06V〜1.17V 200-TFBGA （10x14.5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 557-MT53E512M32D1ZW-046IT：BTR 2,000 2.133 GHz 揮発性 16gbit 3.5 ns ドラム 512m x 32 平行 18ns
MT46V64M16P-75:A Micron Technology Inc. mt46v64m16p-75：a -
RFQ
 ECAD 7052 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） mt46v64m16 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 66-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 1,000 133 MHz 揮発性 1gbit 750 PS ドラム 64m x 16 平行 15ns
MT48LC16M8A2P-75:G Micron Technology Inc. MT48LC16M8A2P-75：g -
RFQ
 ECAD 5816 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT48LC16M8A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 133 MHz 揮発性 128mbit 5.4 ns ドラム 16m x 8 平行 15ns
MT48LC32M4A2TG-75 L:G TR Micron Technology Inc. MT48LC32M4A2TG-75 L：G TR -
RFQ
 ECAD 8364 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） sicで中止されました 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT48LC32M4A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS非準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 133 MHz 揮発性 128mbit 5.4 ns ドラム 32m x 4 平行 15ns
MT25QL128ABB1EW7-CAUT TR Micron Technology Inc. MT25QL128ABB1EW7-CAUT TR -
RFQ
 ECAD 8773 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド MT25QL128 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-wpdfn - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 133 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi 8ms、2.8ms
MT29F2T08CUCBBK9-37ES:B Micron Technology Inc. MT29F2T08CUCBBK9-37ES：b -
RFQ
 ECAD 6358 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） - - MT29F2T08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,120 267 MHz 不揮発性 2tbit フラッシュ 256g x 8 平行 -
MT29F512G08CUCABH3-10Z:A Micron Technology Inc. MT29F512G08CUCABH3-10Z：a -
RFQ
 ECAD 9544 0.00000000 Micron Technology Inc. - チューブ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lbga MT29F512G08 フラッシュ-nand （mlc） 2.7V〜3.6V 100-lbga（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,120 100 MHz 不揮発性 512gbit フラッシュ 64g x 8 平行 -
M58LT256KST8ZA6E Micron Technology Inc. M58LT256KST8ZA6E -
RFQ
 ECAD 7428 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-TBGA M58LT256 フラッシュ - 1.7V〜2V 64-TBGA （10x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 136 52 MHz 不揮発性 256mbit 85 ns フラッシュ 16m x 16 平行 85ns
MT28F008B3VG-9 BET TR Micron Technology Inc. MT28F008B3VG-9 BET TR -
RFQ
 ECAD 7143 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 40-tfsop （0.724 "、18.40mm MT28F008B3 フラッシュ - 3V〜3.6V 40-tsop i ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 1,000 不揮発性 8mbit 90 ns フラッシュ 1m x 8 平行 90ns
MT47H64M16HR-3:G TR Micron Technology Inc. MT47H64M16HR-3：G TR -
RFQ
 ECAD 8230 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜85°C （TC） 表面マウント 84-TFBGA MT47H64M16 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-FBGA （8x12.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 2,000 333 MHz 揮発性 1gbit 450 PS ドラム 64m x 16 平行 15ns
MT48H32M16LFB4-75B IT:C TR Micron Technology Inc. MT48H32M16LFB-75B IT：C Tr -
RFQ
 ECAD 6005 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-VFBGA MT48H32M16 SDRAM- lPSDR 1.7V〜1.95V 54-VFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 1,000 133 MHz 揮発性 512mbit 5.4 ns ドラム 32m x 16 平行 15ns
MT40A512M16JY-083E AIT:B Micron Technology Inc. MT40A512M16JY-083E AIT：b -
RFQ
 ECAD 4591 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-TFBGA MT40A512M16 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 96-FBGA （8x14） ダウンロード 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,280 1.2 GHz 揮発性 8gbit ドラム 512m x 16 平行 -
MT29F4T08EULEEM4-QC:E TR Micron Technology Inc. mt29f4t08euleem4-qc：e tr 105.9150
RFQ
 ECAD 6959 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ - 557-MT29F4T08EULEEM4-QC：ETR 2,000
MT29F512G08CMCABH7-6R:A Micron Technology Inc. MT29F512G08CMCABH7-6R：a -
RFQ
 ECAD 2311 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 152-TBGA MT29F512G08 フラッシュ-nand （mlc） 2.7V〜3.6V 152-TBGA - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 166 MHz 不揮発性 512gbit フラッシュ 64g x 8 平行 -
MT46V64M4BG-6:GTR Micron Technology Inc. MT46V64M4BG-6：GTR -
RFQ
 ECAD 8464 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 60-FBGA mt46v64m4 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 60-fbga （8x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 揮発性 256mbit 700 ps ドラム 64m x 4 平行 15ns
MT29F128G08CBCABL85A3WC1 Micron Technology Inc. MT29F128G08CBCABL85A3WC1 -
RFQ
 ECAD 6009 0.00000000 Micron Technology Inc. - チューブ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 死ぬ MT29F128G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 死ぬ - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1 不揮発性 128GBIT フラッシュ 16g x 8 平行 -
N25Q00AA11GSF40G Micron Technology Inc. N25Q00AA11GSF40G -
RFQ
 ECAD 3822 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） N25Q00AA11 フラッシュ - 1.7V〜2V 16-SO - ROHS3準拠 3 （168 時間） 2266-N25Q00AA11GSF40G 廃止 0000.00.0000 1,225 108 MHz 不揮発性 1gbit フラッシュ 256m x 4 spi 8ms、5ms
MT62F512M64D4EK-031 WT:B TR Micron Technology Inc. MT62F512M64D4EK-031 WT：B TR 23.3100
RFQ
 ECAD 5944 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -25°C〜85°C 表面マウント 441-TFBGA SDRAM- lpddr5 - 441-TFBGA - 557-MT62F512M64D4EK-031WT：BTR 1,500 3.2 GHz 揮発性 32gbit ドラム 512m x 64 平行 -
MT41K256M16TW-93:P Micron Technology Inc. MT41K256M16TW-93：p -
RFQ
 ECAD 9347 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-TFBGA MT41K256M16 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA （8x14） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 0000.00.0000 1,080 1.066 GHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 256m x 16 平行 -
MTFC32GJVED-IT TR Micron Technology Inc. mtfc32gjved-it tr -
RFQ
 ECAD 1298 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 169-VFBGA mtfc32g フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 169-VFBGA（14x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 MMC -
MT53D512M64D4NW-062 WT:D Micron Technology Inc. MT53D512M64D4NW-062 WT：d -
RFQ
 ECAD 5704 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 432-VFBGA MT53D512 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 432-VFBGA - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 廃止 0000.00.0000 1,190 1.6 GHz 揮発性 32gbit ドラム 512m x 64 - -
MT40A2G8JE-062E AAT:E Micron Technology Inc. MT40A2G8JE-062E AAT：e 17.1750
RFQ
 ECAD 8049 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 箱 アクティブ -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 78-TFBGA SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 78-FBGA （9x11） ダウンロード 557-MT40A2G8JE-062EAAT：e 1 1.6 GHz 揮発性 16gbit 19 ns ドラム 2g x 8 ポッド 15ns
MT28F320J3RG-11 GMET Micron Technology Inc. MT28F320J3RG-11 GMET -
RFQ
 ECAD 9132 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT28F320J3 フラッシュ 2.7V〜3.6V 56-tsop ダウンロード ROHS非準拠 2（1 年） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 32mbit 110 ns フラッシュ 4m x 8、2m x 16 平行 -
MT51K256M32HF-70:B Micron Technology Inc. MT51K256M32HF-70：b -
RFQ
 ECAD 9166 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 廃止 0°C〜95°C （TC MT51K256 sgram -gddr5 1.3V〜1.545V - ear99 8542.32.0071 1,260 1.75 GHz 揮発性 8gbit ラム 256m x 32 平行 -
MT29F128G08AUABAC5:B Micron Technology Inc. MT29F128G08AUABAC5：b -
RFQ
 ECAD 9929 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 52-VLGA MT29F128G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 52-VLGA（18x14） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 128GBIT フラッシュ 16g x 8 平行 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

RFQリスト（0アイテム）
カートリスト（0アイテム）
Wishlistウィッシュリスト（0アイテム）
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

リストを比較する（0アイテム）
Enterを押して検索するか、ESCを閉じます