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メモリ（10402）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT46V64M8P-75 L：D TR | - |  | 6231 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | mt46v64m8 | SDRAM -DDR | 2.3V〜2.7V | 66-tsop | - | ROHS3準拠 | 4 （72 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 133 MHz | 揮発性 | 512mbit | 750 PS | ドラム | 64m x 8 | 平行 | 15ns | ||
 | MT53E1G32D2NP-053 RS WT：c | 18.6300 | | 4461 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | - | 557-MT53E1G32D2NP-053RSWT：c | 1 | |||||||||||||||||||||
 | MT28F640J3FS-115 GMET | - | | 7090 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 64-FBGA | MT28F640J3 | フラッシュ | 2.7V〜3.6V | 64-FBGA （10x13） | ダウンロード | ROHS非準拠 | 2（1 年） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 64mbit | 115 ns | フラッシュ | 8m x 8、4m x 16 | 平行 | - | |||
| mt29az2b1bhgtn-18it.111 | - | | 5843 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | アクティブ | mt29az2 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 557-MT29AZ2B1BHGTN-18IT.111 | 1,560 | |||||||||||||||||
| mtfc64gazaotd-ait tr | 33.5100 | | 8063 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | - | 557-MTFC64GAZAOTD-AITTR | 2,000 | |||||||||||||||||||||
 | JS28F064M29EWBA | - | | 3436 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | JS28F064M29 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 56-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 576 | 不揮発性 | 64mbit | 70 ns | フラッシュ | 8m x 8、4m x 16 | 平行 | 70ns | |||
 | MT41J128M8JP-15E：g | - | | 1464 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 78-TFBGA | MT41J128M8 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 78-FBGA （8x11.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 667 MHz | 揮発性 | 1gbit | ドラム | 128m x 8 | 平行 | - | |||
| N25Q032A11EF440E | - | | 3294 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-udfn露出パッド | N25Q032A11 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 8-UFDFPN | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 廃止 | 0000.00.0000 | 2,940 | 108 MHz | 不揮発性 | 32mbit | フラッシュ | 8m x 4 | spi | 8ms、5ms | ||||
 | RD48F3000P0ZBQEA | - | | 4271 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | axcell™ | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（TC） | 表面マウント | 88-TFBGA 、CSPBGA | RD48F3000 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 88-scsp（ 8x10） | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | -RD48F3000P0ZBQEA | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 300 | 52 MHz | 不揮発性 | 128mbit | 65 ns | フラッシュ | 8m x 16 | 平行 | 65ns | |
| MT29VZZZAD8GQFSL-046 WJ.9R8 | - | | 4748 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | - | 557-MT29VZZZAD8GQFSL-046WJ.9R8 | 1 | |||||||||||||||||||||
| MT35XL256ABA2G12-0AAT TR | - | | 5534 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Xccela™-MT35X | テープ＆リール（ tr） | 前回購入します | -40°C〜105°C | 表面マウント | 24-tbga | MT35XL256 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 24-T-PBGA | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 256mbit | フラッシュ | 32m x 8 | xccelaバス | - | ||||
 | M29F800DT55N6 | - | | 7618 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | M29F800 | フラッシュ - | 4.5v〜5.5V | 48-tsop | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 96 | 不揮発性 | 8mbit | 55 ns | フラッシュ | 1M x 8、512K x 16 | 平行 | 55ns | |||
 | N25Q064A13ESF42EE01 | - | | 3494 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） | N25Q064A13 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 16-SO | - | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,400 | 108 MHz | 不揮発性 | 64mbit | フラッシュ | 16m x 4 | spi | 8ms、5ms | ||||
 | mtfc64gjvdn-wt | - | | 9665 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | トレイ | 廃止 | -25°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 169-lfbga | mtfc64 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 169-lfbga | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 512gbit | フラッシュ | 64g x 8 | MMC | - | |||||
 | MT40A4G4VA-062E：B TR | - | | 5186 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 78-TFBGA | MT40A4G4 | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 78-FBGA （10x11） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | MT40A4G4VA-062E：Btr | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.6 GHz | 揮発性 | 16gbit | 19 ns | ドラム | 4g x 4 | 平行 | 15ns | ||
 | RC28F256P30T85B TR | - | | 7199 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash™ | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 64-TBGA | RC28F256 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 64-easybga （10x13） | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 52 MHz | 不揮発性 | 256mbit | 85 ns | フラッシュ | 16m x 16 | 平行 | 85ns | ||
| MT62F1G32DS-023 AUT：b | 36.7350 | | 3329 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | 箱 | アクティブ | - | 表面マウント | 200-WFBGA | SDRAM- lpddr5 | 1.05V | 200-WFBGA （10x14.5 | - | 557-MT62F1G32D2DS-023AUT：b | 1 | 4.266 GHz | 揮発性 | 32gbit | ドラム | 1g x 32 | 平行 | - | ||||||||
 | MT29F256G08CKCABH2-10Z：a | - | | 1963年年 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 100-TBGA | MT29F256G08 | フラッシュ-nand （mlc） | 2.7V〜3.6V | 100-TBGA（12x18） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 100 MHz | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | 平行 | - | |||
| MT29F32G08CBACAL73A3WC1 | - | | 1287 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 死ぬ | MT29F32G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 死ぬ | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 696 | 不揮発性 | 32gbit | フラッシュ | 4g x 8 | 平行 | - | |||||
| M58LR256KB70ZC5W TR | - | | 7716 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -30°C〜85°C（TA） | 表面マウント | 79-VFBGA | M58LR256 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 79-VFBGA （9x11） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 66 MHz | 不揮発性 | 256mbit | 70 ns | フラッシュ | 16m x 16 | 平行 | 70ns | ||
| RC28F640P30BF65A | - | | 5257 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash™ | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 64-TBGA | RC28F640 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 64-easybga （10x13） | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 864 | 52 MHz | 不揮発性 | 64mbit | 65 ns | フラッシュ | 4m x 16 | 平行 | 65ns | ||
| mtfc256gbcaqtc-aat es tr | 99.4350 | | 2083 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | - | 557-MTFC256GBCAQTC-AATERTESTRESTRE | 2,000 | |||||||||||||||||||||
| MT29F2G08AADWP：D Tr | - | | 6191 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | MT29F2G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 2Gbit | フラッシュ | 256m x 8 | 平行 | - | ||||
| MT53E128M16D1FW-046AIT：A TR | 4.0997 | | 4567 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜95°C（TC） | MT53E128 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 557-MT53E128M16D1FW-046AIT：ATR | 2,000 | 2.133 GHz | 揮発性 | 2Gbit | ドラム | 128m x 16 | - | - | |||||||
| M29W320DB70N6F TR | - | | 2808 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | M29W320 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,500 | 不揮発性 | 32mbit | 70 ns | フラッシュ | 4m x 8、2m x 16 | 平行 | 70ns | |||
 | MT53D384M32D2DS-046 WT ES：e | - | | 6277 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 200-WFBGA | MT53D384 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA （10x14.5 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,360 | 2.133 GHz | 揮発性 | 12gbit | ドラム | 384m x 32 | - | - | |||
 | mtfc128gapalbh-aat tr | 89.0850 | | 7322 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 前回購入します | -40°C〜105°C（Ta） | MTFC128 | フラッシュ -ナンド | - | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 557-MTFC128GAPALBH-AATTR | 8542.32.0071 | 2,000 | 不揮発性 | 1tbit | フラッシュ | 128g x 8 | MMC | - | |||||||
| MT42L128M32D2KL-3それ：a | - | | 9885 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | -25°C〜85°C（TC） | 表面マウント | 168-wfbga | MT42L128M32 | SDRAM-モバイルLPDDR2 | 1.14V〜1.3V | 168-FBGA（12x12） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 333 MHz | 揮発性 | 4gbit | ドラム | 128m x 32 | 平行 | - | ||||
 | MT29F1G08ABBEAH4-ITX：e | - | | 2653 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 63-VFBGA | MT29F1G08 | フラッシュ -ナンド | 1.7V〜1.95V | 63-VFBGA （9x11） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,260 | 不揮発性 | 1gbit | フラッシュ | 128m x 8 | 平行 | - | ||||
 | MT47H64M16HR-3 IT：h | - | | 5276 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 84-TFBGA | MT47H64M16 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-FBGA （8x12.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 333 MHz | 揮発性 | 1gbit | 450 PS | ドラム | 64m x 16 | 平行 | 15ns |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
在庫倉庫
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