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メモリ（10402）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
MT29F1T08EELEEJ4-QC:E Micron Technology Inc. MT29F1T08EELEEJ4-QC：e 26.4750
RFQ
 ECAD 6654 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ - 557-MT29F1T08EELEEJ4-QC：e 1
MT46V64M4TG-6T:G TR Micron Technology Inc. mt46v64m4tg-6t：g tr -
RFQ
 ECAD 4664 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） mt46v64m4 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 66-tsop ダウンロード ROHS非準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 揮発性 256mbit 700 ps ドラム 64m x 4 平行 15ns
MT41J256M8HX-15E IT:D TR Micron Technology Inc. MT41J256M8HX-15E IT：D TR -
RFQ
 ECAD 9986 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 78-TFBGA MT41J256M8 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-FBGA （9x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 667 MHz 揮発性 2Gbit 13.5 ns ドラム 256m x 8 平行 -
M45PE10-VMP6TG TR Micron Technology Inc. M45PE10-VMP6TG TR -
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 ECAD 2485 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-vdfn露出パッド M45PE10 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-VDFPN ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 4,000 75 MHz 不揮発性 1mbit フラッシュ 128k x 8 spi 3ms
MT29F1T08CUCBBH8-6R:B TR Micron Technology Inc. MT29F1T08CUCBBH8-6R：B TR -
RFQ
 ECAD 2338 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 152-lbga MT29F1T08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 152-lbga - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 167 MHz 不揮発性 1tbit フラッシュ 128g x 8 平行 -
MT41K1G8TRF-125 IT:E Micron Technology Inc. MT41K1G8TRF-125 IT：e -
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 ECAD 3499 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 78-TFBGA mt41k1g8 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA （9.5x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 800 MHz 揮発性 8gbit 13.5 ns ドラム 1g x 8 平行 -
MT29VZZZCDA1SKPR-046 W.181 Micron Technology Inc. MT29VZZZCDA1SKPR-046 W.181 63.1200
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 ECAD 5225 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ - 557-MT29VZZZCDA1SKPR-046W.181 1
MT29F128G08EBCDBWP-10M:D TR Micron Technology Inc. MT29F128G08EBCDBWP-10M：D TR -
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 ECAD 3740 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F128G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 100 MHz 不揮発性 128GBIT フラッシュ 16g x 8 平行 -
MTFC4GLDEA-0M WT TR Micron Technology Inc. mtfc4gldea-0m wt tr -
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 ECAD 4118 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ テープ＆リール（ tr） 廃止 -25°C〜85°C（タタ 表面マウント 153-WFBGA mtfc4 フラッシュ -ナンド 1.65v〜3.6V 153-wfbga（11.5x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 32gbit フラッシュ 4g x 8 MMC -
EDFA232A2PF-GD-F-D Micron Technology Inc. EDFA232A2PF-GD-FD -
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 ECAD 4903 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜85°C （TC） 表面マウント - EDFA232 SDRAM- lpddr3 1.14V〜1.95V 168-FBGA（12x12） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 1,680 800 MHz 揮発性 16gbit ドラム 512m x 32 平行 -
MT29F4G08ABBDAHC-AIT:D Micron Technology Inc. MT29F4G08ABBDAHC-AIT：d -
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 ECAD 8080 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 63-VFBGA MT29F4G08 フラッシュ -ナンド 1.7V〜1.95V 63-VFBGA（10.5x13） - 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,140 不揮発性 4gbit フラッシュ 512m x 8 平行 -
MT48LC8M8A2P-75 IT:G TR Micron Technology Inc. MT48LC8M8A2P-75 IT：G TR -
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 ECAD 7302 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT48LC8M8A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 133 MHz 揮発性 64mbit 5.4 ns ドラム 8m x 8 平行 15ns
MT29F1T08CUCCBH8-6R:C Micron Technology Inc. MT29F1T08CUCCBH8-6R：c -
RFQ
 ECAD 7965 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 152-lbga MT29F1T08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 152-lbga - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 980 167 MHz 不揮発性 1tbit フラッシュ 128g x 8 平行 -
MT35XU02GCBA1G12-0AAT Micron Technology Inc. MT35XU02GCBA1G12-0AAT 39.2300
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 ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. Xccela™-MT35X トレイ アクティブ -40°C〜105°C 表面マウント 24-tbga mt35xu02 フラッシュ - 1.7V〜2V 24-T-PBGA - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 1,122 200 MHz 不揮発性 2Gbit フラッシュ 256m x 8 xccelaバス -
MT48LC8M16A2TG-7E:G TR Micron Technology Inc. MT48LC8M16A2TG-7E：G TR -
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 ECAD 5861 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT48LC8M16A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 133 MHz 揮発性 128mbit 5.4 ns ドラム 8m x 16 平行 14ns
NAND128W3AABN6F TR Micron Technology Inc. nand128w3aabn6f tr -
RFQ
 ECAD 5654 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） NAND128 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 1,500 不揮発性 128mbit 50 ns フラッシュ 16m x 8 平行 50ns
MT46V64M8BN-75 IT:D TR Micron Technology Inc. mt46v64m8bn-75 it：d tr -
RFQ
 ECAD 9538 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 60-TFBGA mt46v64m8 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 60-FBGA （10x12.5 - ROHS3準拠 5 （48 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 揮発性 512mbit 750 PS ドラム 64m x 8 平行 15ns
N25Q064A13ESFH0F TR Micron Technology Inc. N25Q064A13ESFH0F TR -
RFQ
 ECAD 2553 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） N25Q064A13 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 16-sop2 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 108 MHz 不揮発性 64mbit フラッシュ 16m x 4 spi 8ms、5ms
JS28F640J3F75B TR Micron Technology Inc. JS28F640J3F75B TR -
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 ECAD 2009年 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash™ テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） JS28F640J3 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 56-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,600 不揮発性 64mbit 75 ns フラッシュ 8m x 8、4m x 16 平行 75ns
MT25TL01GBBB8E12-0AAT TR Micron Technology Inc. MT25TL01GBBB8E12-0AAT TR -
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 ECAD 4266 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） 前回購入します -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 24-tbga MT25TL01 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 24-T-PBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 133 MHz 不揮発性 1gbit フラッシュ 128m x 8 spi 8ms、2.8ms
N25Q064A11ESE40E Micron Technology Inc. N25Q064A11ESE40E -
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 ECAD 8897 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） N25Q064A11 フラッシュ - 1.7V〜2V 8-SO - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 1,800 108 MHz 不揮発性 64mbit フラッシュ 16m x 4 spi 8ms、5ms
MT48H8M16LFB4-8 IT:J Micron Technology Inc. MT48H8M16LFB4-8 IT：J -
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 ECAD 1366 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ sicで中止されました -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-VFBGA MT48H8M16 SDRAM- lPSDR 1.7V〜1.9V 54-VFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 125 MHz 揮発性 128mbit 7 ns ドラム 8m x 16 平行 15ns
MT58L256L32FT-8.5 Micron Technology Inc. MT58L256L32FT-8.5 8.9300
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 ECAD 3 0.00000000 Micron Technology Inc. Syncburst™ バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp sram-標準 3.135V〜3.6V 100-TQFP（14x20.1 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 未定義のベンダー 3A991B2A 8542.32.0041 1 100 MHz 揮発性 8mbit 8.5 ns sram 256k x 32 平行 -
MT29F32G08AECBBH1-12:B TR Micron Technology Inc. MT29F32G08AECBBH1-12：B TR -
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 ECAD 7371 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-VBGA MT29F32G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 100-VBGA（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83 MHz 不揮発性 32gbit フラッシュ 4g x 8 平行 -
MT29F512G08EBHAFJ4-3ITF:A TR Micron Technology Inc. MT29F512G08EBHAFJ4-3ITF：TR 14.3400
RFQ
 ECAD 7680 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 132-VBGA MT29F512G08 フラッシュ-Nand （TLC） 2.5V〜3.6V 132-VBGA（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 557-MT29F512G08EBHAFJ4-3ITF：ATR 2,000 333 MHz 不揮発性 512gbit フラッシュ 64g x 8 平行 -
M28W320HCB70D11 Micron Technology Inc. M28W320HCB70D11 -
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 ECAD 9445 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -40°C〜85°C（タタ - - M28W320 フラッシュ - 2.7V〜3.6V - - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 廃止 0000.00.0000 1 不揮発性 32mbit 70 ns フラッシュ 2m x 16 平行 70ns
MT46V32M16P-5B IT:J TR Micron Technology Inc. MT46V32M16P-5B IT：J TR 4.9603
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 ECAD 8506 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT46V32M16 SDRAM -DDR 2.5V〜2.7V 66-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 200 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 32m x 16 平行 15ns
MT29F384G08EBHBBJ4-3R:B TR Micron Technology Inc. MT29F384G08EBHBBJ4-3R：B TR -
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 ECAD 4074 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 132-VBGA MT29F384G08 フラッシュ -ナンド 2.5V〜3.6V 132-VBGA（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 333 MHz 不揮発性 384gbit フラッシュ 48g x 8 平行 -
PC28F512M29EWLE Micron Technology Inc. PC28F512M29EWLE -
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 ECAD 8376 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-lbga PC28F512 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-FBGA （11x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,104 不揮発性 512mbit 100 ns フラッシュ 64m x 8、32m x 16 平行 100ns
MT29F1G08ABAEAH4-AATX:E TR Micron Technology Inc. MT29F1G08ABAEAH4-AATX：E Tr 2.6952
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 ECAD 5025 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 63-VFBGA MT29F1G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 63-VFBGA （9x11） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 1gbit フラッシュ 128m x 8 平行 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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