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メモリ（10402）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT29F256G08CJAABWP-12RZ：TR | - |  | 1751 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | MT29F256G08 | フラッシュ-nand （mlc） | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 83 MHz | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | 平行 | - | ||||
 | MT48LC64M4A2TG-75 L：d | - | | 8409 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | sicで中止されました | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | MT48LC64M4A2 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | ダウンロード | ROHS非準拠 | 2（1 年） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 133 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5.4 ns | ドラム | 64m x 4 | 平行 | 15ns | ||
 | MT28FW01GABA1LJS-0AAT TR | - | | 1823年 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | MT28FW01 | フラッシュ - | 1.7V〜3.6V | 56-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,600 | 不揮発性 | 1gbit | 105 ns | フラッシュ | 64m x 16 | 平行 | 60ns | |||
 | MT41K512M8RG-107：N TR | - | | 5788 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 78-TFBGA | MT41K512M8 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-FBGA （7.5x10.6 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 933 MHz | 揮発性 | 4gbit | 20 ns | ドラム | 512m x 8 | 平行 | - | ||
 | MT29F1T08CPCCBH8-6C：c | - | | 5016 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 152-lbga | MT29F1T08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 152-lbga | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 167 MHz | 不揮発性 | 1tbit | フラッシュ | 128g x 8 | 平行 | - | ||||
 | MT53E2G32D4DT-046 AIT：a | 57.3900 | | 4894 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | トレイ | アクティブ | -40°C〜95°C（TC） | MT53E2G32 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | MT53E2G32D4DT-046AIT：a | 0000.00.0000 | 1,360 | 2.133 GHz | 揮発性 | 64gbit | ドラム | 2g x 32 | - | - | ||||||
 | MT29F512G08EBHBFJ4-R：b | - | | 4319 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 132-VBGA | MT29F512G08 | フラッシュ-Nand （TLC） | 2.5V〜3.6V | 132-VBGA（12x18） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,120 | 不揮発性 | 512gbit | フラッシュ | 64g x 8 | 平行 | - | |||||
| MT53D768M64D8RG-053 WT：D TR | - | | 9892 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | - | - | MT53D768 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | - | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 1.866 GHz | 揮発性 | 48gbit | ドラム | 768m x 64 | - | - | |||
 | MT40A512M16TD-062EAAT：R | - | | 5657 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | アクティブ | -40°C〜105°C （TC） | 表面マウント | 96-TFBGA | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 96-FBGA （7.5x13 | - | 影響を受けていない | 557-MT40A512M16TD-062EAAT：R | 1 | 1.6 GHz | 揮発性 | 8gbit | 19 ns | ドラム | 512m x 16 | 平行 | 15ns | ||||||
| PN28F128M29WHA TR | - | | 4127 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | PN28F128M29 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | PN28F128M29EWHATR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 128mbit | 60 ns | フラッシュ | 16m x 8、8m x 16 | 平行 | 60ns | |||||
 | MT28EW512ABA1LPC-0SIT TR | 9.3300 | | 6415 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 64-lbga | MT28EW512 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-lbga（11x13） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 不揮発性 | 512mbit | 95 ns | フラッシュ | 64m x 8、32m x 16 | 平行 | 60ns | |||
| MT42L256M32D4MG-3それ：a | - | | 2515 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | -25°C〜85°C（TC） | 表面マウント | 134-TFBGA | MT42L256M32 | SDRAM-モバイルLPDDR2 | 1.14V〜1.3V | 134-FBGA （11.5x11.5 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 333 MHz | 揮発性 | 8gbit | ドラム | 256m x 32 | 平行 | - | ||||
 | MT47H128M4CB-3：B TR | - | | 4777 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 60-FBGA | MT47H128M4 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 60-FBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 5 （48 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 333 MHz | 揮発性 | 512mbit | 450 PS | ドラム | 128m x 4 | 平行 | 15ns | ||
| M58LR256KB70ZC5E | - | | 3027 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | アクティブ | -30°C〜85°C（TA） | 表面マウント | 79-VFBGA | M58LR256 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 79-VFBGA （9x11） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,740 | 66 MHz | 不揮発性 | 256mbit | 70 ns | フラッシュ | 16m x 16 | 平行 | 70ns | ||
 | MT47H64M16HR-25E：H Tr | - | | 7047 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 84-TFBGA | MT47H64M16 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-FBGA （8x12.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 400 MHz | 揮発性 | 1gbit | 400 PS | ドラム | 64m x 16 | 平行 | 15ns | ||
| MT62F768M32D2DS-026 WT：b | 17.6400 | | 1472 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | - | 557-MT62F768M32D2DS-026WT：b | 1 | |||||||||||||||||||||
 | EDB1332BDBH-1DAUT-FD | - | | 9690 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | -40°C〜125°C | 表面マウント | 134-VFBGA | EDB1332 | SDRAM-モバイルLPDDR2 | 1.14V〜1.95V | 134-VFBGA （10x11.5 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 1,160 | 533 MHz | 揮発性 | 1gbit | ドラム | 32m x 32 | 平行 | - | |||
 | PC28F512M29EWLE | - | | 8376 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 64-lbga | PC28F512 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-FBGA （11x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,104 | 不揮発性 | 512mbit | 100 ns | フラッシュ | 64m x 8、32m x 16 | 平行 | 100ns | |||
| MT53E1G32D2NP-053 RS WT：c | 18.6300 | | 4461 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | - | 557-MT53E1G32D2NP-053RSWT：c | 1 | |||||||||||||||||||||
 | M29F800DT55N6 | - | | 7618 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | M29F800 | フラッシュ - | 4.5v〜5.5V | 48-tsop | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 96 | 不揮発性 | 8mbit | 55 ns | フラッシュ | 1M x 8、512K x 16 | 平行 | 55ns | |||
| MT29F32G08CBACAL73A3WC1 | - | | 1287 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 死ぬ | MT29F32G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 死ぬ | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 696 | 不揮発性 | 32gbit | フラッシュ | 4g x 8 | 平行 | - | |||||
| MT29VZZZAD8GQFSL-046 WJ.9R8 | - | | 4748 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | - | 557-MT29VZZZAD8GQFSL-046WJ.9R8 | 1 | |||||||||||||||||||||
| MT29F512G08AUCBBK8-6：B TR | - | | 1568 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | - | - | MT29F512G08 | フラッシュ-nand（slc） | 2.7V〜3.6V | - | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,000 | 166 MHz | 不揮発性 | 512gbit | フラッシュ | 64g x 8 | 平行 | - | ||||
 | MT28F640J3FS-115 GMET | - | | 7090 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 64-FBGA | MT28F640J3 | フラッシュ | 2.7V〜3.6V | 64-FBGA （10x13） | ダウンロード | ROHS非準拠 | 2（1 年） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 64mbit | 115 ns | フラッシュ | 8m x 8、4m x 16 | 平行 | - | |||
| N25Q032A11EF440E | - | | 3294 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-udfn露出パッド | N25Q032A11 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 8-UFDFPN | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 廃止 | 0000.00.0000 | 2,940 | 108 MHz | 不揮発性 | 32mbit | フラッシュ | 8m x 4 | spi | 8ms、5ms | ||||
| MT35XL256ABA2G12-0AAT TR | - | | 5534 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Xccela™-MT35X | テープ＆リール（ tr） | 前回購入します | -40°C〜105°C | 表面マウント | 24-tbga | MT35XL256 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 24-T-PBGA | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 256mbit | フラッシュ | 32m x 8 | xccelaバス | - | ||||
| MT62F1G32DS-023 AUT：b | 36.7350 | | 3329 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | 箱 | アクティブ | - | 表面マウント | 200-WFBGA | SDRAM- lpddr5 | 1.05V | 200-WFBGA （10x14.5 | - | 557-MT62F1G32D2DS-023AUT：b | 1 | 4.266 GHz | 揮発性 | 32gbit | ドラム | 1g x 32 | 平行 | - | ||||||||
 | MT29F256G08CKCABH2-10Z：a | - | | 1963年年 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 100-TBGA | MT29F256G08 | フラッシュ-nand （mlc） | 2.7V〜3.6V | 100-TBGA（12x18） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 100 MHz | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | 平行 | - | |||
 | N25Q064A13ESF42EE01 | - | | 3494 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） | N25Q064A13 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 16-SO | - | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,400 | 108 MHz | 不揮発性 | 64mbit | フラッシュ | 16m x 4 | spi | 8ms、5ms | ||||
 | MT29F512G08CMCABH7-6R：a | - | | 2311 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 152-TBGA | MT29F512G08 | フラッシュ-nand （mlc） | 2.7V〜3.6V | 152-TBGA | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 166 MHz | 不揮発性 | 512gbit | フラッシュ | 64g x 8 | 平行 | - |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
在庫倉庫
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