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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
MT29F2G01ABAGD12-IT:G Micron Technology Inc. MT29F2G01ABAGD12-IT:g -
RFQ
ECAD 6946 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 24-tbga MT29F2G01 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 24-T-PBGA - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない -MT29F2G01ABAGD12-IT:GTR 3A991B1A 8542.32.0071 1,122 83 MHz 不揮発性 2Gbit フラッシュ 2g x 1 spi -
N25Q128A13EV741 Micron Technology Inc. N25Q128A13EV741 -
RFQ
ECAD 5673 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -40°C〜85°C(タタ - - N25Q128A13 フラッシュ - 2.7V〜3.6V - - ROHS3準拠 1 (無制限) 廃止 0000.00.0000 1 108 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 32m x 4 spi 8ms、5ms
N25Q128A13E1240F TR Micron Technology Inc. N25Q128A13E1240F TR -
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ECAD 1611 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 24-tbga N25Q128A13 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 24-T-PBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 108 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 32m x 4 spi 8ms、5ms
MT25QU02GCBB8E12-0AUT TR Micron Technology Inc. MT25QU02GCBB8E12-0AUT TR 39.4950
RFQ
ECAD 6013 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜125°C(タタ 表面マウント 24-tbga MT25QU02 フラッシュ - 1.7V〜2V 24-T-PBGA - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない MT25QU02GCBB8E12-0AUTTR 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 166 MHz 不揮発性 2Gbit フラッシュ 256m x 8 spi 1.8ms
MT40A256M16GE-075E AIT:B TR Micron Technology Inc. MT40A256M16GE-075E AIT:B TR -
RFQ
ECAD 4990 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 96-TFBGA MT40A256M16 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 96-FBGA (9x14) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 1.33 GHz 揮発性 4gbit ドラム 256m x 16 平行 -
MTFC256GASAONS-AAT Micron Technology Inc. mtfc256gasaons-aat 101.8350
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ECAD 9582 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 アクティブ -40°C〜105°C (TC) 表面マウント 153-TFBGA フラッシュ-nand(slc) 2.7V〜3.6V 153-TFBGA (11.5x13 - 557-MTFC256GASAONS-AAT 1 52 MHz 不揮発性 2tbit フラッシュ 256g x 8 UFS2.1 -
M29F800DB70N6E Micron Technology Inc. M29F800DB70N6E -
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ECAD 7549 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) M29F800 フラッシュ - 4.5v〜5.5V 48-tsop - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 96 不揮発性 8mbit 70 ns フラッシュ 1M x 8、512K x 16 平行 70ns
MT29F1T08EELEEJ4-QC:E Micron Technology Inc. MT29F1T08EELEEJ4-QC:e 26.4750
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ECAD 6654 0.00000000 Micron Technology Inc. - アクティブ - 557-MT29F1T08EELEEJ4-QC:e 1
MT46V64M4TG-6T:G TR Micron Technology Inc. mt46v64m4tg-6t:g tr -
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ECAD 4664 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 66-TSSOP (0.400 "、10.16mm 幅) mt46v64m4 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 66-tsop ダウンロード ROHS非準拠 2(1 年) 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 揮発性 256mbit 700 ps ドラム 64m x 4 平行 15ns
MT41J256M8HX-15E IT:D TR Micron Technology Inc. MT41J256M8HX-15E IT:D TR -
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ECAD 9986 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 78-TFBGA MT41J256M8 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-FBGA (9x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 667 MHz 揮発性 2Gbit 13.5 ns ドラム 256m x 8 平行 -
M45PE10-VMP6TG TR Micron Technology Inc. M45PE10-VMP6TG TR -
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ECAD 2485 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-vdfn露出パッド M45PE10 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-VDFPN ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 4,000 75 MHz 不揮発性 1mbit フラッシュ 128k x 8 spi 3ms
MT29F1T08CUCBBH8-6R:B TR Micron Technology Inc. MT29F1T08CUCBBH8-6R:B TR -
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ECAD 2338 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 152-lbga MT29F1T08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 152-lbga - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 167 MHz 不揮発性 1tbit フラッシュ 128g x 8 平行 -
MT41K1G8TRF-125 IT:E Micron Technology Inc. MT41K1G8TRF-125 IT:e -
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ECAD 3499 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 78-TFBGA mt41k1g8 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA (9.5x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 800 MHz 揮発性 8gbit 13.5 ns ドラム 1g x 8 平行 -
MT29VZZZCDA1SKPR-046 W.181 Micron Technology Inc. MT29VZZZCDA1SKPR-046 W.181 63.1200
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ECAD 5225 0.00000000 Micron Technology Inc. - アクティブ - 557-MT29VZZZCDA1SKPR-046W.181 1
MT29F128G08EBCDBWP-10M:D TR Micron Technology Inc. MT29F128G08EBCDBWP-10M:D TR -
RFQ
ECAD 3740 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) アクティブ 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) MT29F128G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 100 MHz 不揮発性 128GBIT フラッシュ 16g x 8 平行 -
MTFC4GLDEA-0M WT TR Micron Technology Inc. mtfc4gldea-0m wt tr -
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ECAD 4118 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ テープ&リール( tr) 廃止 -25°C〜85°C(タタ 表面マウント 153-WFBGA mtfc4 フラッシュ -ナンド 1.65v〜3.6V 153-wfbga(11.5x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 32gbit フラッシュ 4g x 8 MMC -
EDFA232A2PF-GD-F-D Micron Technology Inc. EDFA232A2PF-GD-FD -
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ECAD 4903 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜85°C (TC) 表面マウント - EDFA232 SDRAM- lpddr3 1.14V〜1.95V 168-FBGA(12x12) - ROHS3準拠 3 (168 時間) 廃止 0000.00.0000 1,680 800 MHz 揮発性 16gbit ドラム 512m x 32 平行 -
MT29F4G08ABBDAHC-AIT:D Micron Technology Inc. MT29F4G08ABBDAHC-AIT:d -
RFQ
ECAD 8080 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 63-VFBGA MT29F4G08 フラッシュ -ナンド 1.7V〜1.95V 63-VFBGA(10.5x13) - 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,140 不揮発性 4gbit フラッシュ 512m x 8 平行 -
MT48LC8M8A2P-75 IT:G TR Micron Technology Inc. MT48LC8M8A2P-75 IT:G TR -
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ECAD 7302 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) MT48LC8M8A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 2(1 年) 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 133 MHz 揮発性 64mbit 5.4 ns ドラム 8m x 8 平行 15ns
MT29F1T08CUCCBH8-6R:C Micron Technology Inc. MT29F1T08CUCCBH8-6R:c -
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ECAD 7965 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 152-lbga MT29F1T08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 152-lbga - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 980 167 MHz 不揮発性 1tbit フラッシュ 128g x 8 平行 -
MT35XU02GCBA1G12-0AAT Micron Technology Inc. MT35XU02GCBA1G12-0AAT 39.2300
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ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. Xccela™-MT35X トレイ アクティブ -40°C〜105°C 表面マウント 24-tbga mt35xu02 フラッシュ - 1.7V〜2V 24-T-PBGA - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 1,122 200 MHz 不揮発性 2Gbit フラッシュ 256m x 8 xccelaバス -
MT48LC8M16A2TG-7E:G TR Micron Technology Inc. MT48LC8M16A2TG-7E:G TR -
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ECAD 5861 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) MT48LC8M16A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS非準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 133 MHz 揮発性 128mbit 5.4 ns ドラム 8m x 16 平行 14ns
NAND128W3AABN6F TR Micron Technology Inc. nand128w3aabn6f tr -
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ECAD 5654 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) NAND128 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 (168 時間) 廃止 0000.00.0000 1,500 不揮発性 128mbit 50 ns フラッシュ 16m x 8 平行 50ns
MT46V64M8BN-75 IT:D TR Micron Technology Inc. mt46v64m8bn-75 it:d tr -
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ECAD 9538 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 60-TFBGA mt46v64m8 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 60-FBGA (10x12.5 - ROHS3準拠 5 (48 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 揮発性 512mbit 750 PS ドラム 64m x 8 平行 15ns
N25Q064A13ESFH0F TR Micron Technology Inc. N25Q064A13ESFH0F TR -
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ECAD 2553 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) N25Q064A13 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 16-sop2 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 108 MHz 不揮発性 64mbit フラッシュ 16m x 4 spi 8ms、5ms
JS28F640J3F75B TR Micron Technology Inc. JS28F640J3F75B TR -
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ECAD 2009年 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash™ テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 56-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) JS28F640J3 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 56-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,600 不揮発性 64mbit 75 ns フラッシュ 8m x 8、4m x 16 平行 75ns
MT25TL01GBBB8E12-0AAT TR Micron Technology Inc. MT25TL01GBBB8E12-0AAT TR -
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ECAD 4266 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ&リール( tr) 前回購入します -40°C〜105°C(Ta) 表面マウント 24-tbga MT25TL01 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 24-T-PBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 133 MHz 不揮発性 1gbit フラッシュ 128m x 8 spi 8ms、2.8ms
N25Q064A11ESE40E Micron Technology Inc. N25Q064A11ESE40E -
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ECAD 8897 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) N25Q064A11 フラッシュ - 1.7V〜2V 8-SO - ROHS3準拠 3 (168 時間) 廃止 0000.00.0000 1,800 108 MHz 不揮発性 64mbit フラッシュ 16m x 4 spi 8ms、5ms
MT48H8M16LFB4-8 IT:J Micron Technology Inc. MT48H8M16LFB4-8 IT:J -
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ECAD 1366 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ sicで中止されました -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 54-VFBGA MT48H8M16 SDRAM- lPSDR 1.7V〜1.9V 54-VFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 125 MHz 揮発性 128mbit 7 ns ドラム 8m x 16 平行 15ns
MT29C4G96MAZBBCJV-48 IT Micron Technology Inc. MT29C4G96MAZBBCJV-48 IT -
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ECAD 7123 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 168-VFBGA MT29C4G96 フラッシュ-nand 、モバイルlpdram 1.7V〜1.95V 168-VFBGA(12x12) - 1 (無制限) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,008 208 MHz 不揮発性、揮発性 4gbit(nand フラッシュ、ラム 256m x 16 平行 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫