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メモリ（10402）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
MT58L256L32FT-8.5 Micron Technology Inc. MT58L256L32FT-8.5 8.9300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Micron Technology Inc. Syncburst™ バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp sram-標準 3.135V〜3.6V 100-TQFP（14x20.1 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 未定義のベンダー 3A991B2A 8542.32.0041 1 100 MHz 揮発性 8mbit 8.5 ns sram 256k x 32 平行 -
MT29F32G08AECBBH1-12:B TR Micron Technology Inc. MT29F32G08AECBBH1-12：B TR -
RFQ
 ECAD 7371 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-VBGA MT29F32G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 100-VBGA（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83 MHz 不揮発性 32gbit フラッシュ 4g x 8 平行 -
MT29F512G08EBHAFJ4-3ITF:A TR Micron Technology Inc. MT29F512G08EBHAFJ4-3ITF：TR 14.3400
RFQ
 ECAD 7680 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 132-VBGA MT29F512G08 フラッシュ-Nand （TLC） 2.5V〜3.6V 132-VBGA（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 557-MT29F512G08EBHAFJ4-3ITF：ATR 2,000 333 MHz 不揮発性 512gbit フラッシュ 64g x 8 平行 -
M28W320HCB70D11 Micron Technology Inc. M28W320HCB70D11 -
RFQ
 ECAD 9445 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -40°C〜85°C（タタ - - M28W320 フラッシュ - 2.7V〜3.6V - - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 廃止 0000.00.0000 1 不揮発性 32mbit 70 ns フラッシュ 2m x 16 平行 70ns
MT46V32M16P-5B IT:J TR Micron Technology Inc. MT46V32M16P-5B IT：J TR 4.9603
RFQ
 ECAD 8506 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT46V32M16 SDRAM -DDR 2.5V〜2.7V 66-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 200 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 32m x 16 平行 15ns
MT29F384G08EBHBBJ4-3R:B TR Micron Technology Inc. MT29F384G08EBHBBJ4-3R：B TR -
RFQ
 ECAD 4074 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 132-VBGA MT29F384G08 フラッシュ -ナンド 2.5V〜3.6V 132-VBGA（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 333 MHz 不揮発性 384gbit フラッシュ 48g x 8 平行 -
PC28F512M29EWLE Micron Technology Inc. PC28F512M29EWLE -
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 ECAD 8376 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-lbga PC28F512 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-FBGA （11x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,104 不揮発性 512mbit 100 ns フラッシュ 64m x 8、32m x 16 平行 100ns
MT29F1G08ABAEAH4-AATX:E TR Micron Technology Inc. MT29F1G08ABAEAH4-AATX：E Tr 2.6952
RFQ
 ECAD 5025 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 63-VFBGA MT29F1G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 63-VFBGA （9x11） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 1gbit フラッシュ 128m x 8 平行 -
PC28F128P30BF65E Micron Technology Inc. PC28F128P30BF65E -
RFQ
 ECAD 2009年 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-TBGA PC28F128 フラッシュ - 1.7V〜2V 64-easybga （10x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 864 52 MHz 不揮発性 128mbit 65 ns フラッシュ 8m x 16 平行 65ns
M50FW080N5 Micron Technology Inc. M50FW080N5 -
RFQ
 ECAD 2171 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -20°C〜85°C（Ta） 表面マウント 40-tfsop （0.724 "、18.40mm M50FW080 フラッシュ - 3V〜3.6V 40-tsop - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 120 33 MHz 不揮発性 8mbit 250 ns フラッシュ 1m x 8 平行 -
MT29F4G16BABWP TR Micron Technology Inc. mt29f4g16babwp tr -
RFQ
 ECAD 2154 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F4G16 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 4gbit フラッシュ 256m x 16 平行 -
MT47H128M8CF-25E AIT:H Micron Technology Inc. MT47H128M8CF-25E AIT：h -
RFQ
 ECAD 7378 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 バルク 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 60-TFBGA MT47H128M8 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-fbga （8x10） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 1,000 400 MHz 揮発性 1gbit 400 PS ドラム 128m x 8 平行 15ns
EDB5432BEPA-1DIT-F-R Micron Technology Inc. EDB5432BEPA-1DIT-FR -
RFQ
 ECAD 7916 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 168-wfbga EDB5432 SDRAM-モバイルLPDDR2 1.14V〜1.95V 168-WFBGA（12x12） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 廃止 0000.00.0000 1,000 533 MHz 揮発性 512mbit ドラム 16m x 32 平行 -
MT41K2G4SN-125:A TR Micron Technology Inc. MT41K2G4SN-125：TR -
RFQ
 ECAD 6634 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜95°C（TA） 表面マウント 78-TFBGA MT41K2G4 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA （9x13.2 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 2,000 800 MHz 揮発性 8gbit 13.5 ns ドラム 2g x 4 平行 -
MT48H4M16LFB4-10 IT Micron Technology Inc. MT48H4M16LFB4-10 IT -
RFQ
 ECAD 5035 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-VFBGA MT48H4M16 SDRAM- lPSDR 1.7V〜1.9V 54-VFBGA ダウンロード ROHS3準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 104 MHz 揮発性 64mbit 7 ns ドラム 4m x 16 平行 15ns
MT53B384M32D2DS-062 AUT:B Micron Technology Inc. MT53B384M32D2DS-062 AUT：b -
RFQ
 ECAD 8335 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ アクティブ -40°C〜125°C 表面マウント 200-WFBGA MT53B384 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,360 1.6 GHz 揮発性 12gbit ドラム 384m x 32 - -
MT53D512M64D4SB-046 XT ES:E Micron Technology Inc. MT53D512M64D4SB-046 XT ES：e -
RFQ
 ECAD 8108 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ -30°C〜105°C（TC） - - MT53D512 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - - 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,190 2.133 GHz 揮発性 32gbit ドラム 512m x 64 - -
MT25QL512ABB8E12-0AAT TR Micron Technology Inc. MT25QL512ABB8E12-0AAT TR 12.7800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 24-tbga MT25QL512 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 24-T-PBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 133 MHz 不揮発性 512mbit フラッシュ 64m x 8 spi 8ms、2.8ms
MT53E384M32D2DS-053 WT:E TR Micron Technology Inc. MT53E384M32D2DS-053 WT：E TR 8.8800
RFQ
 ECAD 4011 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 200-WFBGA MT53E384 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない MT53E384M32D2DS-053WT：ETR ear99 8542.32.0036 2,000 1.866 GHz 揮発性 12gbit ドラム 384m x 32 - -
MT29F64G08AECABH1-10Z:A TR Micron Technology Inc. MT29F64G08AECABH1-10Z：TR -
RFQ
 ECAD 2939 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-VBGA MT29F64G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 100-VBGA（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 100 MHz 不揮発性 64gbit フラッシュ 8g x 8 平行 -
MT48LC32M8A2TG-6A:D Micron Technology Inc. MT48LC32M8A2TG-6A：d -
RFQ
 ECAD 3089 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 sicで中止されました 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT48LC32M8A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS非準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 揮発性 256mbit 5.4 ns ドラム 32m x 8 平行 12ns
MT40A512M8HX-093E:A Micron Technology Inc. MT40A512M8HX-093E：a -
RFQ
 ECAD 2729 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-TFBGA MT40A512M8 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 78-FBGA （9x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0036 1,000 1.066 GHz 揮発性 4gbit ドラム 512m x 8 平行 -
PC28F256P33BFE Micron Technology Inc. PC28F256P33BFE -
RFQ
 ECAD 4932 0.00000000 Micron Technology Inc. axcell™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 64-TBGA PC28F256 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 64-easybga ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 864 52 MHz 不揮発性 256mbit 95 ns フラッシュ 16m x 16 平行 95ns
MT46V128M4FN-6:D TR Micron Technology Inc. MT46V128M4FN-6：D TR 32.0700
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 60-TFBGA MT46V128M4 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 60-FBGA （10x12.5 ダウンロード ROHS非準拠 5 （48 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 128m x 4 平行 15ns
MT29F1G08ABBEAH4-IT:E TR Micron Technology Inc. MT29F1G08ABBEAH4-IT：E TR -
RFQ
 ECAD 5143 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 63-VFBGA MT29F1G08 フラッシュ -ナンド 1.7V〜1.95V 63-VFBGA （9x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 1gbit フラッシュ 128m x 8 平行 -
M29F800FB55M3E2 Micron Technology Inc. M29F800FB55M3E2 -
RFQ
 ECAD 2447 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 44-SOIC （0.496 "、12.60mm 幅） M29F800 フラッシュ - 4.5v〜5.5V 44-SO ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 40 不揮発性 8mbit 55 ns フラッシュ 1M x 8、512K x 16 平行 55ns
MT45W4MW16PFA-85 WT Micron Technology Inc. MT45W4MW16PFA-85 WT -
RFQ
 ECAD 8017 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 sicで中止されました -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 48-VFBGA MT45W4MW16 psram（pseudo sram 1.7V〜1.95V 48-VFBGA （6x8） ダウンロード ROHS非準拠 2（1 年） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 揮発性 64mbit 85 ns psram 4m x 16 平行 85ns
MT48LC64M8A2TG-75:C TR Micron Technology Inc. MT48LC64M8A2TG-75：C Tr -
RFQ
 ECAD 7990 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT48LC64M8A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS非準拠 4 （72 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 揮発性 512mbit 5.4 ns ドラム 64m x 8 平行 15ns
MT29F8T08EULCHD5-QJ:C Micron Technology Inc. MT29F8T08EULCHD5-QJ：c 167.8050
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 ECAD 9454 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ - 557-MT29F8T08EULCHD5-QJ：c 1
MT28F800B3WP-9 B TR Micron Technology Inc. MT28F800B3WP-9 B TR -
RFQ
 ECAD 5731 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT28F800B3 フラッシュ - 3V〜3.6V 48-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 1,000 不揮発性 8mbit 90 ns フラッシュ 1M x 8、512K x 16 平行 90ns
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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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