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メモリ（10402）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
MT29F64G08CBAAAWP-Z:A Micron Technology Inc. MT29F64G08CBAAAWP-Z：a -
RFQ
 ECAD 1360 0.00000000 Micron Technology Inc. - チューブ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F64G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 960 不揮発性 64gbit フラッシュ 8g x 8 平行 -
N28H00EB03EDK34E Micron Technology Inc. N28H00EB03EDK34E -
RFQ
 ECAD 1068 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 270
MT46V64M8TG-75E:D Micron Technology Inc. mt46v64m8tg-75e：d -
RFQ
 ECAD 2229 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） mt46v64m8 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 66-tsop - ROHS非準拠 4 （72 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 揮発性 512mbit 750 PS ドラム 64m x 8 平行 15ns
MT29F2G16ABBGAH4-AITES:G Micron Technology Inc. MT29F2G16ABBGAH4-AITES：g 5.0400
RFQ
 ECAD 6294 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 63-VFBGA MT29F2G16 フラッシュ-nand（slc） 1.7V〜1.95V 63-VFBGA （9x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 0000.00.0000 1 不揮発性 2Gbit フラッシュ 128m x 16 平行 -
MTFC128GBCAQTC-AAT ES Micron Technology Inc. MTFC128GBCAQTC-AAT ES 53.7600
RFQ
 ECAD 9507 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ - 557-MTFC128GBCAQTC-AATES 1
M58BW32FB5ZA3T TR Micron Technology Inc. M58BW32FB5ZA3T TR -
RFQ
 ECAD 8243 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 80-lbga M58BW32 フラッシュ - 2.5V〜3.3V 80-lbga （10x12） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,500 不揮発性 32mbit 55 ns フラッシュ 1M x 32 平行 55ns
M29DW256G70ZA6E Micron Technology Inc. M29DW256G70ZA6E -
RFQ
 ECAD 6651 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-TBGA M29DW256 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-TBGA （10x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない -M29DW256G70ZA6E 3A991B1A 8542.32.0071 816 不揮発性 256mbit 70 ns フラッシュ 16m x 16 平行 70ns
MT47H256M4BT-3:A Micron Technology Inc. MT47H256M4BT-3：a -
RFQ
 ECAD 3676 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 sicで中止されました 0°C〜85°C （TC） 表面マウント 92-TFBGA MT47H256M4 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 92-FBGA （11x19） ダウンロード ROHS3準拠 5 （48 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 1,000 333 MHz 揮発性 1gbit 450 PS ドラム 256m x 4 平行 15ns
MT53D384M32D2DS-046 AIT:E Micron Technology Inc. MT53D384M32D2DS-046 AIT：e -
RFQ
 ECAD 8286 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 200-WFBGA MT53D384 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,360 2.133 GHz 揮発性 12gbit ドラム 384m x 32 - -
MT46V64M8P-75 L:D Micron Technology Inc. mt46v64m8p-75 L：d -
RFQ
 ECAD 4347 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） mt46v64m8 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 66-tsop - ROHS3準拠 4 （72 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 揮発性 512mbit 750 PS ドラム 64m x 8 平行 15ns
MT40A256M16GE-075E:B Micron Technology Inc. MT40A256M16GE-075E：b -
RFQ
 ECAD 2156 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-TFBGA MT40A256M16 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 96-FBGA （9x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,020 1.33 GHz 揮発性 4gbit ドラム 256m x 16 平行 -
MT29F1T08EBLCHD4-M:C TR Micron Technology Inc. MT29F1T08EBLCHD4-M：C Tr 20.9850
RFQ
 ECAD 4026 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ - 557-MT29F1T08EBLCHD4-M：CTR 2,000
MT47H32M16NF-25E:H TR Micron Technology Inc. MT47H32M16NF-25E：H Tr 3.4998
RFQ
 ECAD 6731 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜85°C （TC） 表面マウント 84-TFBGA MT47H32M16 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-FBGA （8x12.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない MT47H32M16NF-25E：HTR ear99 8542.32.0028 2,000 400 MHz 揮発性 512mbit 400 PS ドラム 32m x 16 平行 15ns
MT46V32M16BN-6:C TR Micron Technology Inc. MT46V32M16BN-6：C Tr -
RFQ
 ECAD 6887 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 60-TFBGA MT46V32M16 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 60-FBGA （10x12.5 - ROHS3準拠 5 （48 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 32m x 16 平行 15ns
MT29F512G08EECAGJ4-5M:A TR Micron Technology Inc. MT29F512G08EECAGJ4-5M：TR 25.5600
RFQ
 ECAD 8046 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 132-VBGA MT29F512G08 フラッシュ-Nand （TLC） 2.7V〜3.6V 132-VBGA（12x18） - 3 （168 時間） 影響を受けていない 0000.00.0000 2,000 200 MHz 不揮発性 512gbit フラッシュ 64g x 8 平行
EDFP112A3PF-GD-F-R TR Micron Technology Inc. EDFP112A3PF-GD-FR TR -
RFQ
 ECAD 3408 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -30°C〜85°C（TA） - - EDFP112 SDRAM- lpddr3 1.14V〜1.95V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 1,000 800 MHz 揮発性 24Gbit ドラム 192m x 128 平行 -
MTFC64GANALAM-WT ES TR Micron Technology Inc. mtfc64ganalam-wt es tr -
RFQ
 ECAD 2531 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ テープ＆リール（ tr） 廃止 -25°C〜85°C（タタ - - mtfc64 フラッシュ -ナンド - - - 1 （無制限） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 512gbit フラッシュ 64g x 8 MMC -
ECF440AACCN-Y3 Micron Technology Inc. ECF440AACCN-Y3 -
RFQ
 ECAD 2247 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 ECF440 - 1 （無制限） 廃止 0000.00.0000 1
MT48H32M16LFB4-75 IT:C Micron Technology Inc. MT48H32M16LFB4-75 IT：c -
RFQ
 ECAD 6387 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-VFBGA MT48H32M16 SDRAM- lPSDR 1.7V〜1.95V 54-VFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 1,000 133 MHz 揮発性 512mbit 5.4 ns ドラム 32m x 16 平行 15ns
PC28F128M29EWLX Micron Technology Inc. PC28F128M29EWLX -
RFQ
 ECAD 7317 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-lbga PC28F128 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-FBGA （11x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 184 不揮発性 128mbit 60 ns フラッシュ 16m x 8、8m x 16 平行 60ns
MT28F640J3FS-115 GMET TR Micron Technology Inc. MT28F640J3FS-115 GMET TR -
RFQ
 ECAD 3991 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-FBGA MT28F640J3 フラッシュ 2.7V〜3.6V 64-FBGA （10x13） ダウンロード ROHS非準拠 2（1 年） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 64mbit 115 ns フラッシュ 8m x 8、4m x 16 平行 -
MT46V64M4P-5B:G TR Micron Technology Inc. MT46V64M4P-5B：G Tr -
RFQ
 ECAD 2820 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） mt46v64m4 SDRAM -DDR 2.5V〜2.7V 66-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 200 MHz 揮発性 256mbit 700 ps ドラム 64m x 4 平行 15ns
MT46V32M8FG-75E:G Micron Technology Inc. MT46V32M8FG-75E：g -
RFQ
 ECAD 4801 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 sicで中止されました 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 60-FBGA MT46V32M8 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 60-fbga （8x14） ダウンロード ROHS非準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 揮発性 256mbit 750 PS ドラム 32m x 8 平行 15ns
MT41K256M16HA-125 M AIT:E TR Micron Technology Inc. MT41K256M16HA-125 M AIT：E TR -
RFQ
 ECAD 8561 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-TFBGA MT41K256M16 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA （9x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 800 MHz 揮発性 4gbit 13.75 ns ドラム 256m x 16 平行 -
MT49H16M36FM-18:B Micron Technology Inc. MT49H16M36FM-18：b -
RFQ
 ECAD 7649 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク sicで中止されました 0°C〜95°C （TC 表面マウント 144-TFBGA MT49H16M36 ドラム 1.7V〜1.9V 144-µbga（18.5x11） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0032 1,000 533 MHz 揮発性 576mbit 15 ns ドラム 16m x 36 平行 -
MT46V64M8FN-75:D Micron Technology Inc. mt46v64m8fn-75：d -
RFQ
 ECAD 8356 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 60-TFBGA mt46v64m8 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 60-FBGA （10x12.5 - ROHS非準拠 5 （48 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 揮発性 512mbit 750 PS ドラム 64m x 8 平行 15ns
MT62F768M32D2DS-026 WT:B Micron Technology Inc. MT62F768M32D2DS-026 WT：b 17.6400
RFQ
 ECAD 1472 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ - 557-MT62F768M32D2DS-026WT：b 1
EDB1332BDBH-1DAUT-F-D Micron Technology Inc. EDB1332BDBH-1DAUT-FD -
RFQ
 ECAD 9690 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -40°C〜125°C 表面マウント 134-VFBGA EDB1332 SDRAM-モバイルLPDDR2 1.14V〜1.95V 134-VFBGA （10x11.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 1,160 533 MHz 揮発性 1gbit ドラム 32m x 32 平行 -
MT29F1T08EEHAFJ4-3ITF:A Micron Technology Inc. MT29F1T08EEHAFJ4-3ITF：a -
RFQ
 ECAD 3106 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 132-VBGA MT29F1T08 フラッシュ -ナンド 2.5V〜3.6V 132-VBGA（12x18） - 3 （168 時間） 影響を受けていない 557-MT29F1T08EEHAFJ4-3ITF：a 1,120 333 MHz 不揮発性 1tbit フラッシュ 128g x 8 平行 -
JS28F00AP33BFA Micron Technology Inc. JS28F00AP33BFA -
RFQ
 ECAD 9730 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） JS28F00AP33 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 56-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 576 40 MHz 不揮発性 1gbit 105 ns フラッシュ 64m x 16 平行 105ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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