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メモリ（10402）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
MT48LC4M32B2B5-6:G Micron Technology Inc. MT48LC4M32B2B5-6：g -
RFQ
 ECAD 2808 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 90-VFBGA MT48LC4M32B2 SDRAM 3V〜3.6V 90-VFBGA （8x13 ダウンロード ROHS3準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 167 MHz 揮発性 128mbit 5.5 ns ドラム 4m x 32 平行 12ns
MT28F008B3VG-9 BET TR Micron Technology Inc. MT28F008B3VG-9 BET TR -
RFQ
 ECAD 7143 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 40-tfsop （0.724 "、18.40mm MT28F008B3 フラッシュ - 3V〜3.6V 40-tsop i ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 1,000 不揮発性 8mbit 90 ns フラッシュ 1m x 8 平行 90ns
MT58L256L32FT-8.5 Micron Technology Inc. MT58L256L32FT-8.5 8.9300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Micron Technology Inc. Syncburst™ バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp sram-標準 3.135V〜3.6V 100-TQFP（14x20.1 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 未定義のベンダー 3A991B2A 8542.32.0041 1 100 MHz 揮発性 8mbit 8.5 ns sram 256k x 32 平行 -
MT40A512M16JY-083E AIT:B Micron Technology Inc. MT40A512M16JY-083E AIT：b -
RFQ
 ECAD 4591 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-TFBGA MT40A512M16 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 96-FBGA （8x14） ダウンロード 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,280 1.2 GHz 揮発性 8gbit ドラム 512m x 16 平行 -
MT47H64M16HR-3:G TR Micron Technology Inc. MT47H64M16HR-3：G TR -
RFQ
 ECAD 8230 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜85°C （TC） 表面マウント 84-TFBGA MT47H64M16 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-FBGA （8x12.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 2,000 333 MHz 揮発性 1gbit 450 PS ドラム 64m x 16 平行 15ns
MT29F512G08EBHAFJ4-3ITF:A TR Micron Technology Inc. MT29F512G08EBHAFJ4-3ITF：TR 14.3400
RFQ
 ECAD 7680 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 132-VBGA MT29F512G08 フラッシュ-Nand （TLC） 2.5V〜3.6V 132-VBGA（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 557-MT29F512G08EBHAFJ4-3ITF：ATR 2,000 333 MHz 不揮発性 512gbit フラッシュ 64g x 8 平行 -
N2M400JDB341A3CF Micron Technology Inc. N2M400JDB341A3CF -
RFQ
 ECAD 9673 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 100-lbga N2M400 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 100-lbga（14x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 52 MHz 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 MMC -
M28W320HCB70D11 Micron Technology Inc. M28W320HCB70D11 -
RFQ
 ECAD 9445 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -40°C〜85°C（タタ - - M28W320 フラッシュ - 2.7V〜3.6V - - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 廃止 0000.00.0000 1 不揮発性 32mbit 70 ns フラッシュ 2m x 16 平行 70ns
JS28F640J3F75B TR Micron Technology Inc. JS28F640J3F75B TR -
RFQ
 ECAD 2009年 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash™ テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） JS28F640J3 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 56-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,600 不揮発性 64mbit 75 ns フラッシュ 8m x 8、4m x 16 平行 75ns
MT29F4T08EULEEM4-QC:E TR Micron Technology Inc. mt29f4t08euleem4-qc：e tr 105.9150
RFQ
 ECAD 6959 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ - 557-MT29F4T08EULEEM4-QC：ETR 2,000
MT29F1T08CUCCBH8-6R:C Micron Technology Inc. MT29F1T08CUCCBH8-6R：c -
RFQ
 ECAD 7965 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 152-lbga MT29F1T08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 152-lbga - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 980 167 MHz 不揮発性 1tbit フラッシュ 128g x 8 平行 -
MT29F1G08ABAEAH4-AATX:E TR Micron Technology Inc. MT29F1G08ABAEAH4-AATX：E Tr 2.6952
RFQ
 ECAD 5025 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 63-VFBGA MT29F1G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 63-VFBGA （9x11） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 1gbit フラッシュ 128m x 8 平行 -
MT48H32M16LFB4-75B IT:C TR Micron Technology Inc. MT48H32M16LFB-75B IT：C Tr -
RFQ
 ECAD 6005 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-VFBGA MT48H32M16 SDRAM- lPSDR 1.7V〜1.95V 54-VFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 1,000 133 MHz 揮発性 512mbit 5.4 ns ドラム 32m x 16 平行 15ns
MT46V64M8P-75 L:D TR Micron Technology Inc. MT46V64M8P-75 L：D TR -
RFQ
 ECAD 6231 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） mt46v64m8 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 66-tsop - ROHS3準拠 4 （72 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 揮発性 512mbit 750 PS ドラム 64m x 8 平行 15ns
MT29F16G08ABCCBH1-10Z:C Micron Technology Inc. MT29F16G08ABCCBH1-10Z：c -
RFQ
 ECAD 7274 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-VBGA MT29F16G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 100-VBGA（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,120 100 MHz 不揮発性 16gbit フラッシュ 2g x 8 平行 -
M45PE80-VMW6G Micron Technology Inc. M45PE80-VMW6G -
RFQ
 ECAD 6438 0.00000000 Micron Technology Inc. - チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） M45PE80 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-SO w ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 80 75 MHz 不揮発性 8mbit フラッシュ 1m x 8 spi 15ms、3ms
MTFC32GAOALEA-WT ES Micron Technology Inc. mtfc32gaoalea-wt es -
RFQ
 ECAD 9258 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 sicで中止されました mtfc32g - 影響を受けていない 0000.00.0000 1,520
EDY4016AABG-JD-F-D Micron Technology Inc. EDY4016AABG-JD-FD -
RFQ
 ECAD 1063 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-TFBGA EDY4016 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 96-FBGA （7.5x13.5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0036 1,980 1.6 GHz 揮発性 4gbit ドラム 256m x 16 平行 -
MT29F32G08AECBBH1-12:B TR Micron Technology Inc. MT29F32G08AECBBH1-12：B TR -
RFQ
 ECAD 7371 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-VBGA MT29F32G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 100-VBGA（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83 MHz 不揮発性 32gbit フラッシュ 4g x 8 平行 -
MT25TL01GBBB8E12-0AAT TR Micron Technology Inc. MT25TL01GBBB8E12-0AAT TR -
RFQ
 ECAD 4266 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） 前回購入します -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 24-tbga MT25TL01 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 24-T-PBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 133 MHz 不揮発性 1gbit フラッシュ 128m x 8 spi 8ms、2.8ms
MT48LC2M32B2TG-5:G Micron Technology Inc. MT48LC2M32B2TG-5：g -
RFQ
 ECAD 1179 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 86-TFSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT48LC2M32B2 SDRAM 3V〜3.6V 86-TSOP II ダウンロード ROHS非準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 200 MHz 揮発性 64mbit 4.5 ns ドラム 2m x 32 平行 -
MT53E1536M32D4DE-046 AAT:B Micron Technology Inc. MT53E1536M32D4DE-046 AAT：b 47.8950
RFQ
 ECAD 6450 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 箱 アクティブ -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 200-TFBGA SDRAM -MOBILE LPDDR4X 1.06V〜1.17V 200-TFBGA （10x14.5） - 557-MT53E1536M32D4DE-046AAT：b 1 2.133 GHz 揮発性 48gbit 3.5 ns ドラム 1.5GX 32 平行 18ns
NAND08GW3D2AN6E Micron Technology Inc. NAND08GW3D2AN6E -
RFQ
 ECAD 9190 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ sicで中止されました -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） NAND08G フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない -NAND08GW3D2AN6E 3A991B1A 8542.32.0071 96 不揮発性 8gbit 25 ns フラッシュ 1g x 8 平行 25ns
MT40A512M16HA-083E:A Micron Technology Inc. MT40A512M16HA-083E：a -
RFQ
 ECAD 8342 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-TFBGA MT40A512M16 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 96-FBGA （9x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,020 1.2 GHz 揮発性 8gbit ドラム 512m x 16 平行 -
TE28F128P30T85A Micron Technology Inc. TE28F128P30T85A -
RFQ
 ECAD 4655 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） 28F128P30 フラッシュ - 1.7V〜2V 56-tsop ダウンロード ROHS非準拠 2（1 年） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 576 40 MHz 不揮発性 128mbit 85 ns フラッシュ 8m x 16 平行 85ns
MT46V64M8BN-5B:F TR Micron Technology Inc. mt46v64m8bn-5b：f tr -
RFQ
 ECAD 7386 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 60-TFBGA mt46v64m8 SDRAM -DDR 2.5V〜2.7V 60-FBGA （10x12.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 200 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 64m x 8 平行 15ns
MT29C1G12MAACVAKC-5 IT Micron Technology Inc. MT29C1G12MAACVAKC-5 IT -
RFQ
 ECAD 6157 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 107-TFBGA MT29C1G12 フラッシュ-nand 、モバイルlpdram 1.7V〜1.95V 107-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 200 MHz 不揮発性、揮発性 1gbit（nand フラッシュ、ラム 64m x 16 平行 -
MT48LC4M16A2P-7E IT:G TR Micron Technology Inc. MT48LC4M16A2P-7E IT：G TR -
RFQ
 ECAD 4415 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT48LC4M16A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 133 MHz 揮発性 64mbit 5.4 ns ドラム 4m x 16 平行 14ns
MT62F1536M32D4DS-023 WT ES:B Micron Technology Inc. MT62F1536M32D4DS-023 WT ES：b 61.3800
RFQ
 ECAD 9412 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ - 557-MT62F1536M32D4DS-023WTES：b 1
MT48LC2M32B2TG-7 IT:G TR Micron Technology Inc. MT48LC2M32B2TG-7 IT：G TR -
RFQ
 ECAD 8494 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 86-TFSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT48LC2M32B2 SDRAM 3V〜3.6V 86-TSOP II ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 143 MHz 揮発性 64mbit 5.5 ns ドラム 2m x 32 平行 14ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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