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メモリ（10402）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
MT29E1HT08ELHBBG1-3ES:B TR Micron Technology Inc. MT29E1HT08ELHBBG1-3ES：B Tr -
RFQ
 ECAD 3374 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜70°C（Ta） - - MT29E1HT08 フラッシュ -ナンド 2.5V〜3.6V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 1.5tbit フラッシュ 192g x 8 平行 -
MT48H8M16LFB4-8 IT:J TR Micron Technology Inc. MT48H8M16LFB4-8 IT：J TR -
RFQ
 ECAD 9505 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-VFBGA MT48H8M16 SDRAM- lPSDR 1.7V〜1.9V 54-VFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 125 MHz 揮発性 128mbit 7 ns ドラム 8m x 16 平行 15ns
MT25QL256ABA8E12-0AUT TR Micron Technology Inc. MT25QL256ABA8E12-0AUT TR 6.2100
RFQ
 ECAD 7491 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 24-tbga MT25QL256 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 24-T-PBGA - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない MT25QL256ABA8E12-0AUTTR 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 133 MHz 不揮発性 256mbit フラッシュ 32m x 8 spi 1.8ms
M45PE80-VMW6G Micron Technology Inc. M45PE80-VMW6G -
RFQ
 ECAD 6438 0.00000000 Micron Technology Inc. - チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） M45PE80 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-SO w ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 80 75 MHz 不揮発性 8mbit フラッシュ 1m x 8 spi 15ms、3ms
MT53B512M32D2NP-062 WT:C TR Micron Technology Inc. MT53B512M32D2NP-062 WT：C TR -
RFQ
 ECAD 2541 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 200-WFBGA MT53B512 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 1.6 GHz 揮発性 16gbit ドラム 512m x 32 - -
MT25QU128ABA8E14-0SIT Micron Technology Inc. MT25QU128ABA8E14-0SIT -
RFQ
 ECAD 7442 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-tbga MT25QU128 フラッシュ - 1.7V〜2V 24-T-PBGA ダウンロード 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,122 133 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi 8ms、2.8ms
M25P40-VMN6TPBA TR Micron Technology Inc. M25P40-VMN6TPBA TR -
RFQ
 ECAD 8966 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） M25P40 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 8-SO ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 2,500 75 MHz 不揮発性 4mbit フラッシュ 512k x 8 spi 15ms、5ms
MT43A4G40200NFA-S15 ES:A Micron Technology Inc. MT43A4G40200NFA-S15 ES：a -
RFQ
 ECAD 5927 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク アクティブ MT43A4 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 240
MT46V32M16FN-6:F Micron Technology Inc. MT46V32M16FN-6：F -
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 ECAD 5081 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 60-TFBGA MT46V32M16 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 60-FBGA （10x12.5 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 32m x 16 平行 15ns
JR28F032M29EWLA Micron Technology Inc. JR28F032M29EWLA -
RFQ
 ECAD 8037 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） JR28F032M29 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 48-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 96 不揮発性 32mbit 70 ns フラッシュ 4m x 8、2m x 16 平行 70ns
PC28F256G18FE Micron Technology Inc. PC28F256G18FE -
RFQ
 ECAD 6255 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash™ チューブ 廃止 -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 64-TBGA PC28F256 フラッシュ - 1.7V〜2V 64-easybga ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,800 133 MHz 不揮発性 256mbit 96 ns フラッシュ 16m x 16 平行 96ns
MT46V32M16P-6T:F Micron Technology Inc. mt46v32m16p-6t：f -
RFQ
 ECAD 5350 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT46V32M16 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 66-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 32m x 16 平行 15ns
MT53B768M64D8BV-062 WT ES:B Micron Technology Inc. MT53B768M64D8BV-062 WT ES：b -
RFQ
 ECAD 1755 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜85°C （TC） - - MT53B768 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - - 1 （無制限） 廃止 0000.00.0000 1,190 1.6 GHz 揮発性 48gbit ドラム 768m x 64 - -
M29W160EB70N1 Micron Technology Inc. M29W160EB70N1 -
RFQ
 ECAD 7352 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） M29W160 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 48-tsop - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 96 不揮発性 16mbit 70 ns フラッシュ 2m x 8、1m x 16 平行 70ns
MT62F4G32D8DV-023 WT:B Micron Technology Inc. MT62F4G32D8DV-023 WT：b 90.4650
RFQ
 ECAD 8128 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ -25°C〜85°C - - SDRAM- lpddr5 - - - 557-MT62F4G32D8DV-023WT：b 1 4.266 GHz 揮発性 128GBIT ドラム 4g x 32 平行 -
MT53D768M64D8SQ-046 WT:E Micron Technology Inc. MT53D768M64D8S​​ Q-046 WT：e -
RFQ
 ECAD 4498 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 556-VFBGA MT53D768 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 556-VFBGA（12.4x12.4 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,360 2.133 GHz 揮発性 48gbit ドラム 768m x 64 - -
MTFC256GAOAMAM-WT ES Micron Technology Inc. mtfc256gaoamam-wt es -
RFQ
 ECAD 4600 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ トレイ 廃止 -25°C〜85°C（タタ - - MTFC256 フラッシュ -ナンド - - - 1 （無制限） 3A991B1A 8542.32.0071 1,520 不揮発性 2tbit フラッシュ 256g x 8 MMC -
MT47H64M16HR-25E L:H TR Micron Technology Inc. MT47H64M16HR-25E L：H TR -
RFQ
 ECAD 1185 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜85°C （TC） 表面マウント 84-TFBGA MT47H64M16 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-FBGA （8x12.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0032 1,000 400 MHz 揮発性 1gbit 400 PS ドラム 64m x 16 平行 15ns
MT29F256G08CMCDBJ5-6R:D Micron Technology Inc. MT29F256G08CMCDBJ5-6R：d -
RFQ
 ECAD 5572 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント - MT29F256G08 フラッシュ-nand （mlc） 2.7V〜3.6V 132-TBGA（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 112 167 MHz 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 平行 -
MT29F128G08CBCABL85A3WC1-M Micron Technology Inc. MT29F128G08CBCABL85A3WC1-M -
RFQ
 ECAD 6123 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 死ぬ MT29F128G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 死ぬ - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 1 不揮発性 128GBIT フラッシュ 16g x 8 平行 -
MT29F2G08ABAEAWP-ITX:E Micron Technology Inc. MT29F2G08ABAEAWP-ITX：e -
RFQ
 ECAD 7911 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F2G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 960 不揮発性 2Gbit フラッシュ 256m x 8 平行 -
MT29F128G08AMEDBJ5-12:D TR Micron Technology Inc. MT29F128G08AMADEBJ5-12：D TR -
RFQ
 ECAD 6728 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント - MT29F128G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 132-TBGA（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83 MHz 不揮発性 128GBIT フラッシュ 16g x 8 平行 -
MT46V16M16P-6T IT:K TR Micron Technology Inc. MT46V16M16P-6T IT：K Tr -
RFQ
 ECAD 4473 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT46V16M16 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 66-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 揮発性 256mbit 700 ps ドラム 16m x 16 平行 15ns
PC28F512P30BFB TR Micron Technology Inc. PC28F512P30BFB TR -
RFQ
 ECAD 4321 0.00000000 Micron Technology Inc. axcell™ テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-TBGA PC28F512 フラッシュ - 1.7V〜2V 64-easybga ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 52 MHz 不揮発性 512mbit 100 ns フラッシュ 32m x 16 平行 100ns
EDFP164A3PD-GD-F-D Micron Technology Inc. EDFP164A3PD-GD-FD -
RFQ
 ECAD 8762 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜85°C（TA） 表面マウント - EDFP164 SDRAM- lpddr3 1.14V〜1.95V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 1,260 800 MHz 揮発性 24Gbit ドラム 384m x 64 平行 -
MT29F1T08EBLCHD4-R:C TR Micron Technology Inc. MT29F1T08EBLCHD4-R：C Tr 20.9850
RFQ
 ECAD 8125 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ - 557-MT29F1T08EBLCHD4-R：CTR 2,000
MT48LC32M16A2TG-75 L:C Micron Technology Inc. MT48LC32M16A2TG-75 L：c -
RFQ
 ECAD 9051 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 sicで中止されました 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT48LC32M16A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS非準拠 4 （72 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 揮発性 512mbit 5.4 ns ドラム 32m x 16 平行 15ns
MT42L256M32D4MG-3 IT:A Micron Technology Inc. MT42L256M32D4MG-3それ：a -
RFQ
 ECAD 2515 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -25°C〜85°C（TC） 表面マウント 134-TFBGA MT42L256M32 SDRAM-モバイルLPDDR2 1.14V〜1.3V 134-FBGA （11.5x11.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0036 1,000 333 MHz 揮発性 8gbit ドラム 256m x 32 平行 -
MT40A1G16KNR-062E:E TR Micron Technology Inc. MT40A1G16KNR-062E：E TR 21.7650
RFQ
 ECAD 6153 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-TFBGA MT40A1G16 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 96-FBGA （7.5x13.5） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない MT40A1G16KNR-062E：ETR ear99 8542.32.0036 2,000 1.6 GHz 揮発性 16gbit 19 ns ドラム 1g x 16 平行 15ns
MT47H128M16RT-25E AIT:C TR Micron Technology Inc. MT47H128M16RT-25E AIT：C Tr 18.2400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 84-TFBGA MT47H128M16 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-FBGA （9x12.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 400 MHz 揮発性 2Gbit 400 PS ドラム 128m x 16 平行 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

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    世界的なメーカー

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    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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