SIC
close

メモリ（10402）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
N25Q016A11EF640F TR Micron Technology Inc. N25Q016A11EF640F TR -
RFQ
 ECAD 9842 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-vdfn露出パッド N25Q016A11 フラッシュ - 1.7V〜2V 8-VDFPN ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 廃止 0000.00.0000 4,000 108 MHz 不揮発性 16mbit フラッシュ 2m x 8 spi 8ms、1ms
MT48LC32M8A2P-6A:D TR Micron Technology Inc. MT48LC32M8A2P-6A：D TR -
RFQ
 ECAD 5803 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT48LC32M8A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 揮発性 256mbit 5.4 ns ドラム 32m x 8 平行 12ns
MT53D512M32D2NP-046 AUT ES:D TR Micron Technology Inc. MT53D512M32D2NP-046自動：D Tr -
RFQ
 ECAD 5305 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C 表面マウント 200-WFBGA MT53D512 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA （10x14.5 - 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 2.133 GHz 揮発性 16gbit ドラム 512m x 32 - -
MT28EW01GABA1HPC-0SIT TR Micron Technology Inc. MT28EW01GABA1HPC-0SIT TR 20.4100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-lbga MT28EW01 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-lbga（11x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 不揮発性 1gbit 95 ns フラッシュ 128m x 8、64m x 16 平行 60ns
PC28F00AM29EWHB TR Micron Technology Inc. PC28F00AM29EWHB TR -
RFQ
 ECAD 5111 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-lbga PC28F00A フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-FBGA （11x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 不揮発性 1gbit 100 ns フラッシュ 128m x 8、64m x 16 平行 100ns
MT41K1G8SN-107:A Micron Technology Inc. MT41K1G8SN-107：a -
RFQ
 ECAD 3257 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-TFBGA mt41k1g8 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA （9x13.2 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,020 933 MHz 揮発性 8gbit 20 ns ドラム 1g x 8 平行 -
MT47H128M4CB-3:B TR Micron Technology Inc. MT47H128M4CB-3：B TR -
RFQ
 ECAD 4777 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜85°C （TC） 表面マウント 60-FBGA MT47H128M4 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-FBGA ダウンロード ROHS3準拠 5 （48 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 333 MHz 揮発性 512mbit 450 PS ドラム 128m x 4 平行 15ns
MT29F8T08EQLCHL5-QA:C Micron Technology Inc. MT29F8T08EQLCHL5-QA：c 167.8050
RFQ
 ECAD 4857 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ - 557-MT29F8T08EQLCHL5-QA：c 1
MT45W8MW16BGX-701 WT TR Micron Technology Inc. mt45w8mw16bgx-701 wt tr -
RFQ
 ECAD 6926 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 54-VFBGA MT45W8MW16 psram（pseudo sram 1.7V〜1.95V 54-VFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 1,000 104 MHz 揮発性 128mbit 70 ns psram 8m x 16 平行 70ns
N25Q256A11EF840E Micron Technology Inc. N25Q256A11EF840E -
RFQ
 ECAD 7233 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-vdfn露出パッド N25Q256A11 フラッシュ - 1.7V〜2V 8-VDFPN ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 320 108 MHz 不揮発性 256mbit フラッシュ 64m x 4 spi 8ms、5ms
MT48H8M16LFB4-10 Micron Technology Inc. MT48H8M16LFB4-10 -
RFQ
 ECAD 5567 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 sicで中止されました 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 54-VFBGA MT48H8M16 SDRAM- lPSDR 1.7V〜1.9V 54-VFBGA ダウンロード ROHS3準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 104 MHz 揮発性 128mbit 7 ns ドラム 8m x 16 平行 15ns
M29W800DT45ZE6E Micron Technology Inc. M29W800DT45ZE6E -
RFQ
 ECAD 9155 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFBGA M29W800 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 48-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 1,122 不揮発性 8mbit 45 ns フラッシュ 1M x 8、512K x 16 平行 45ns
N25Q064A13EW7DFE Micron Technology Inc. N25Q064A13EW7DFE -
RFQ
 ECAD 7086 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド N25Q064A13 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-wpdfn ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 廃止 0000.00.0000 1 108 MHz 不揮発性 64mbit フラッシュ 16m x 4 spi 8ms、5ms
JS28F00AP33BFA Micron Technology Inc. JS28F00AP33BFA -
RFQ
 ECAD 9730 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） JS28F00AP33 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 56-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 576 40 MHz 不揮発性 1gbit 105 ns フラッシュ 64m x 16 平行 105ns
MT29F4G08ABBFAH4-AATES:F TR Micron Technology Inc. MT29F4G08ABBFAH4-AATES：F Tr -
RFQ
 ECAD 3937 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 63-VFBGA MT29F4G08 フラッシュ -ナンド 1.7V〜1.95V 63-VFBGA （9x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 不揮発性 4gbit フラッシュ 512m x 8 平行 -
MT46V16M8TG-75:D Micron Technology Inc. MT46V16M8TG-75：d -
RFQ
 ECAD 9138 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT46V16M8 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 66-tsop ダウンロード ROHS非準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 133 MHz 揮発性 128mbit 750 PS ドラム 16m x 8 平行 15ns
N25Q064A11ESEA0F TR Micron Technology Inc. N25Q064A11ESEA0F TR -
RFQ
 ECAD 8839 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） N25Q064A11 フラッシュ - 1.7V〜2V 8-SO - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,500 108 MHz 不揮発性 64mbit フラッシュ 16m x 4 spi 8ms、5ms
MT46V128M4FN-6:D TR Micron Technology Inc. MT46V128M4FN-6：D TR 32.0700
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 60-TFBGA MT46V128M4 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 60-FBGA （10x12.5 ダウンロード ROHS非準拠 5 （48 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 128m x 4 平行 15ns
MT41J128M16JT-107:K TR Micron Technology Inc. MT41J128M16JT-107：K Tr -
RFQ
 ECAD 3302 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-TFBGA MT41J128M16 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-FBGA （8x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 933 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 128m x 16 平行 -
MT29VZZZAD8DQKSM-053 W.9D8 TR Micron Technology Inc. mt29vzzzad8dqksm-053 w.9d8 tr -
RFQ
 ECAD 1812年年 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 mt29vzzzad8 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 廃止 0000.00.0000 1,000
MT29F128G08CBEABH6-12IT:A TR Micron Technology Inc. MT29F128G08CBEABH6-12IT：TR -
RFQ
 ECAD 1251 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 152-VBGA MT29F128G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 152-VBGA（14x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 1,000 83 MHz 不揮発性 128GBIT フラッシュ 16g x 8 平行 -
MT40A1G8SA-062E IT:J Micron Technology Inc. MT40A1G8SA-062E IT：J -
RFQ
 ECAD 6639 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 78-TFBGA MT40A1G8 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 78-FBGA （7.5x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） MT40A1G8SA-062EIT：j ear99 8542.32.0036 1,260 1.6 GHz 揮発性 8gbit 19 ns ドラム 1g x 8 平行 15ns
MT29GZ6A6BPIET-046AAT.112 TR Micron Technology Inc. MT29GZ6A6BPIET-046AAT.112 TR 20.2200
RFQ
 ECAD 2577 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 149-VFBGA フラッシュnand（ slc ）、 dram -lpddr4 1.06V〜1.17V 149-VFBGA （8x9.5） - 557-MT29GZ6A6BPIET-046AAT.112TR 2,000 不揮発性、揮発性 8gbit 25 ns フラッシュ、ラム 1g x 8 onfi 30ns
PC28F512M29EWH3 Micron Technology Inc. PC28F512M29EWH3 -
RFQ
 ECAD 6073 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ sicで中止されました -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-lbga PC28F512 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-FBGA （11x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 184 不揮発性 512mbit 100 ns フラッシュ 64m x 8、32m x 16 平行 100ns
MT29F256G08CECBBH6-6R:B Micron Technology Inc. MT29F256G08CECBBH6-6R：b -
RFQ
 ECAD 7386 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 152-VBGA MT29F256G08 フラッシュ-nand （mlc） 2.7V〜3.6V 152-VBGA（14x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 980 167 MHz 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 平行 -
MT48LC2M32B2B5-7:G Micron Technology Inc. MT48LC2M32B2B5-7：g -
RFQ
 ECAD 2303 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 90-VFBGA MT48LC2M32B2 SDRAM 3V〜3.6V 90-VFBGA （8x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 143 MHz 揮発性 64mbit 5.5 ns ドラム 2m x 32 平行 14ns
MT41K512M8DA-107:P TR Micron Technology Inc. MT41K512M8DA-107：P Tr 5.2703
RFQ
 ECAD 9246 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-TFBGA MT41K512M8 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない MT41K512M8DA-107：PTR ear99 8542.32.0036 2,000 933 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 512m x 8 平行 -
MT46V32M8TG-75 L:G TR Micron Technology Inc. MT46V32M8TG-75 L：G TR -
RFQ
 ECAD 6076 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） sicで中止されました 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT46V32M8 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 66-tsop ダウンロード ROHS非準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 揮発性 256mbit 750 PS ドラム 32m x 8 平行 15ns
MT25QL256ABA1EW7-0SIT Micron Technology Inc. MT25QL256ABA1EW7-0SIT 6.4700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド MT25QL256 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-wpdfn ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,940 133 MHz 不揮発性 256mbit フラッシュ 32m x 8 spi 8ms、2.8ms
MT29TZZZ5D6YKFAH-125 W.96N TR Micron Technology Inc. mt29tzzz5d6ykfah-125 w.96n tr -
RFQ
 ECAD 8276 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 mt29tzzz5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 1,000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

RFQリスト（0アイテム）
カートリスト（0アイテム）
Wishlistウィッシュリスト（0アイテム）
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

リストを比較する（0アイテム）
Enterを押して検索するか、ESCを閉じます