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メモリ（10402）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
MT62F1536M32D4DS-023 WT:B TR Micron Technology Inc. MT62F1536M32D4DS-023 WT：B TR 34.2750
RFQ
 ECAD 7509 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -25°C〜85°C 表面マウント 200-WFBGA SDRAM- lpddr5 - 200-WFBGA （10x14.5 - 557-MT62F1536M32D4DS-023WT：BTR 2,000 3.2 GHz 揮発性 48gbit ドラム 768m x 64 平行 -
MT29C1G12MAAIVAMD-5 IT TR Micron Technology Inc. mt29c1g12maaivamd-5 it tr -
RFQ
 ECAD 9867 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 130-VFBGA MT29C1G12 フラッシュ-nand 、モバイルlpdram 1.7V〜1.95V 130-VFBGA （8x9） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 200 MHz 不揮発性、揮発性 1gbit（nand フラッシュ、ラム 128m x 8 平行 -
MT48LC32M8A2BB-75 L:D Micron Technology Inc. MT48LC32M8A2BB-75 L：d -
RFQ
 ECAD 7550 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 sicで中止されました 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 60-FBGA MT48LC32M8A2 SDRAM 3V〜3.6V 60-FBGA （8x16） ダウンロード ROHS3準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 揮発性 256mbit 5.4 ns ドラム 32m x 8 平行 15ns
MT44K64M18RCT-125:A TR Micron Technology Inc. MT44K64M18RCT-125：TR -
RFQ
 ECAD 9958 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 168-lbga MT44K64M18 rldram 3 1.28V〜1.42V 168-FBGA（13.5x13.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 1,000 800 MHz 揮発性 1.125Gbit 12 ns ドラム 64m x 18 平行
MT29F4G08ABBFAH4-AIT:F Micron Technology Inc. mt29f4g08abbfah4-ait：f 3.5374
RFQ
 ECAD 3204 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 63-VFBGA MT29F4G08 フラッシュ-nand（slc） 1.7V〜1.95V 63-VFBGA （9x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 557-MT29F4G08ABBFAH4-AIT：F 8542.32.0071 1,260 不揮発性 4gbit フラッシュ 512m x 8 平行 -
MT40A512M16HA-083E IT:A TR Micron Technology Inc. MT40A512M16HA-083E IT：A TR -
RFQ
 ECAD 4097 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-TFBGA MT40A512M16 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 96-FBGA （9x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 1.2 GHz 揮発性 8gbit ドラム 512m x 16 平行 -
M58LR128KB85ZB6F TR Micron Technology Inc. M58LR128KB85ZB6F TR -
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 ECAD 6720 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 56-VFBGA M58LR128 フラッシュ - 1.7V〜2V 56-VFBGA （7.7x9） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 66 MHz 不揮発性 128mbit 85 ns フラッシュ 8m x 16 平行 85ns
MT58L512Y36PT-6 Micron Technology Inc. MT58L512Y36PT-6 18.9400
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 ECAD 891 0.00000000 Micron Technology Inc. Syncburst™ バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp sram-標準 3.135V〜3.465V 100-TQFP（14x20.1 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1 166 MHz 揮発性 18mbit 3.5 ns sram 512K x 36 平行 -
MT35XL512ABA1G12-0AAT Micron Technology Inc. MT35XL512ABA1G12-0AAT 11.5200
RFQ
 ECAD 983 0.00000000 Micron Technology Inc. Xccela™-MT35X バルク アクティブ -40°C〜105°C 表面マウント 24-tbga mt35xl512 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 24-T-PBGA - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,122 133 MHz 不揮発性 512mbit フラッシュ 64m x 8 xccelaバス -
MT28F004B3VG-8 TET TR Micron Technology Inc. MT28F004B3VG-8 TET TR -
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 ECAD 7906 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 40-tfsop （0.724 "、18.40mm MT28F004B3 フラッシュ - 3V〜3.6V 40-tsop i ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 1,000 不揮発性 4mbit 80 ns フラッシュ 512k x 8 平行 80ns
MT29F32G08CBACAWP-Z:C TR Micron Technology Inc. MT29F32G08CBACAWP-Z：C TR -
RFQ
 ECAD 8491 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F32G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 32gbit フラッシュ 4g x 8 平行 -
MT28F004B3VG-8 BET Micron Technology Inc. MT28F004B3VG-8ベット -
RFQ
 ECAD 3181 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 40-tfsop （0.724 "、18.40mm MT28F004B3 フラッシュ - 3V〜3.6V 40-tsop i ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 1,000 不揮発性 4mbit 80 ns フラッシュ 512k x 8 平行 80ns
M29W128GL70ZS3E Micron Technology Inc. M29W128GL70ZS3E -
RFQ
 ECAD 1133 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 64-lbga M29W128 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-FBGA （11x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 160 不揮発性 128mbit 70 ns フラッシュ 16m x 8、8m x 16 平行 70ns
MT55L64L32F1T-12IT Micron Technology Inc. MT55L64L32F1T-12IT 6.4000
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 ECAD 2 0.00000000 Micron Technology Inc. ZBT® バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 100-lqfp SRAM -ZBT 3.135V〜3.6V 100-TQFP（14x20.1 ダウンロード 適用できない 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1 83 MHz 揮発性 2mbit 9 ns sram 64k x 32 平行 -
MT29F2G08AADWP-ET:D TR Micron Technology Inc. MT29F2G08AADWP-ET：D TR -
RFQ
 ECAD 2414 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F2G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 2Gbit フラッシュ 256m x 8 平行 -
MT29F256G08EBHBFJ4-3ITFES:B Micron Technology Inc. MT29F256G08EBHBFJ4-3ITFES：b 10.4100
RFQ
 ECAD 7818 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 132-VBGA MT29F256G08 フラッシュ-Nand （TLC） 2.5V〜3.6V 132-VBGA（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 0000.00.0000 1,120 333 MHz 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 平行 -
MT58L64L32PT-6 TR Micron Technology Inc. mt58l64l32pt-6 tr -
RFQ
 ECAD 7637 0.00000000 Micron Technology Inc. * バルク アクティブ - 適用できない 3 （168 時間） 未定義のベンダー 3A991B2A 8542.32.0041 500
N25Q512A83G12A0F Micron Technology Inc. N25Q512A83G12A0F -
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 ECAD 1972年年 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 24-tbga N25Q512A83 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 24-T-PBGA - 1 （無制限） 廃止 0000.00.0000 2,500 108 MHz 不揮発性 512mbit フラッシュ 128m x 4 spi 8ms、5ms
MT29F2G08ABDWP:D TR Micron Technology Inc. MT29F2G08ABDWP：D TR -
RFQ
 ECAD 4050 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F2G08 フラッシュ -ナンド 1.7V〜1.95V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1 8542.32.0071 1,000 不揮発性 2Gbit フラッシュ 256m x 8 平行 -
MT48LC4M16A2P-7E AIT:J Micron Technology Inc. MT48LC4M16A2P-7E AIT：j -
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 ECAD 6662 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 バルク 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT48LC4M16A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,080 143 MHz 揮発性 64mbit 5.4 ns ドラム 4m x 16 平行 14ns
MT28F008B3VG-9 T TR Micron Technology Inc. mt28f008b3vg-9 t tr -
RFQ
 ECAD 7018 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 40-tfsop （0.724 "、18.40mm MT28F008B3 フラッシュ - 3V〜3.6V 40-tsop i ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 1,000 不揮発性 8mbit 90 ns フラッシュ 1m x 8 平行 90ns
MT46V64M16TG-6T IT:A TR Micron Technology Inc. mt46v64m16tg-6t it：a tr -
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 ECAD 5173 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） mt46v64m16 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 66-tsop ダウンロード ROHS3準拠 5 （48 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 167 MHz 揮発性 1gbit 700 ps ドラム 64m x 16 平行 15ns
MT41K256M4JP-15E:G Micron Technology Inc. MT41K256M4JP-15E：g -
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 ECAD 1420 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-TFBGA MT41K256M4 SDRAM -DDR3 1.283V〜1.45V 78-FBGA （8x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 1,000 667 MHz 揮発性 1gbit 13.5 ns ドラム 256m x 4 平行 -
MT53B2DDNP-DC TR Micron Technology Inc. mt53b2ddnp-dc tr -
RFQ
 ECAD 9293 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント 200-WFBGA SDRAM-モバイルLPDDR4 200-WFBGA （10x14.5 - 1 （無制限） 廃止 0000.00.0000 2,000 揮発性 ドラム
TE28F640P30T85A Micron Technology Inc. TE28F640P30T85A -
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 ECAD 2328 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） 28F640P30 フラッシュ - 1.7V〜2V 56-tsop ダウンロード ROHS非準拠 2（1 年） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 576 40 MHz 不揮発性 64mbit 85 ns フラッシュ 4m x 16 平行 85ns
MT29F32G08AECCBH1-10Z:C TR Micron Technology Inc. MT29F32G08AECCBH1-10Z：C TR -
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 ECAD 9330 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-VBGA MT29F32G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 100-VBGA（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 100 MHz 不揮発性 32gbit フラッシュ 4g x 8 平行 -
M50FW040N1 Micron Technology Inc. M50FW040N1 -
RFQ
 ECAD 9680 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 40-tfsop （0.724 "、18.40mm M50FW040 フラッシュ - 3V〜3.6V 40-tsop - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 120 33 MHz 不揮発性 4mbit 250 ns フラッシュ 512k x 8 平行 -
MTFC4GLGDM-AIT A Micron Technology Inc. mtfc4glgdm-ait a -
RFQ
 ECAD 9091 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 153-TFBGA mtfc4 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 153-TFBGA （11.5x13 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない mtfc4glgdm-aita 廃止 8542.32.0071 1,520 不揮発性 32gbit フラッシュ 4g x 8 MMC -
MT53E128M32D2DS-046 AAT:A TR Micron Technology Inc. MT53E128M32D2DS-046 AAT：A TR 8.7450
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 ECAD 7737 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 200-WFBGA MT53E128 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない MT53E128M32D2DS-046AAT：ATR ear99 8542.32.0036 2,000 2.133 GHz 揮発性 4gbit ドラム 128m x 32 - -
MT45W4MW16BFB-856 WT Micron Technology Inc. MT45W4MW16BFB-856 WT -
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 ECAD 2667 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 sicで中止されました -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 54-VFBGA MT45W4MW16 psram（pseudo sram 1.7V〜1.95V 54-VFBGA （6x9） ダウンロード ROHS非準拠 2（1 年） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 揮発性 64mbit 85 ns psram 4m x 16 平行 85ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

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    世界的なメーカー

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    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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