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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
MT29C1G12MAACVAKC-5 IT Micron Technology Inc. MT29C1G12MAACVAKC-5 IT -
RFQ
ECAD 6157 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 107-TFBGA MT29C1G12 フラッシュ-nand 、モバイルlpdram 1.7V〜1.95V 107-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 200 MHz 不揮発性、揮発性 1gbit(nand フラッシュ、ラム 64m x 16 平行 -
MT48LC4M16A2P-7E IT:G TR Micron Technology Inc. MT48LC4M16A2P-7E IT:G TR -
RFQ
ECAD 4415 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) MT48LC4M16A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 2(1 年) 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 133 MHz 揮発性 64mbit 5.4 ns ドラム 4m x 16 平行 14ns
MT62F1536M32D4DS-023 WT ES:B Micron Technology Inc. MT62F1536M32D4DS-023 WT ES:b 61.3800
RFQ
ECAD 9412 0.00000000 Micron Technology Inc. - アクティブ - 557-MT62F1536M32D4DS-023WTES:b 1
MT48LC2M32B2TG-7 IT:G TR Micron Technology Inc. MT48LC2M32B2TG-7 IT:G TR -
RFQ
ECAD 8494 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 86-TFSOP (0.400 "、10.16mm 幅) MT48LC2M32B2 SDRAM 3V〜3.6V 86-TSOP II ダウンロード ROHS非準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 143 MHz 揮発性 64mbit 5.5 ns ドラム 2m x 32 平行 14ns
EDBM432B3PB-1D-F-R TR Micron Technology Inc. EDBM432B3PB-1D-FR TR -
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ECAD 1672 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 -30°C〜85°C (TC) 表面マウント 168-VFBGA EDBM432 SDRAM-モバイルLPDDR2 1.14V〜1.95V 168-FBGA(12x12) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 廃止 0000.00.0000 1,000 533 MHz 揮発性 12gbit ドラム 384m x 32 平行 -
MT29F64G08AECABH1-10Z:A Micron Technology Inc. MT29F64G08AECABH1-10Z:a -
RFQ
ECAD 6068 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 100-VBGA MT29F64G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 100-VBGA(12x18) - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,120 100 MHz 不揮発性 64gbit フラッシュ 8g x 8 平行 -
M25P16-VMF6P Micron Technology Inc. M25P16-VMF6P -
RFQ
ECAD 8419 0.00000000 Micron Technology Inc. - チューブ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) M25P16 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 16-sop2 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 1,225 75 MHz 不揮発性 16mbit フラッシュ 2m x 8 spi 15ms、5ms
MT46H128M32L2KQ-48 IT:C TR Micron Technology Inc. MT46H128M32L2KQ-48 IT:C TR -
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ECAD 4742 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 168-wfbga MT46H128M32 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 168-WFBGA(12x12) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 208 MHz 揮発性 4gbit 5 ns ドラム 128m x 32 平行 14.4ns
M25P40-VMP6TGB0A TR Micron Technology Inc. M25P40-VMP6TGB0A TR -
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ECAD 6306 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-vdfn露出パッド M25P40 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 8-VDFPN - ROHS3準拠 3 (168 時間) 廃止 0000.00.0000 4,000 75 MHz 不揮発性 4mbit フラッシュ 512k x 8 spi 15ms、5ms
M25P40-VMN6TPBA TR Micron Technology Inc. M25P40-VMN6TPBA TR -
RFQ
ECAD 8966 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) M25P40 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 8-SO ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 2,500 75 MHz 不揮発性 4mbit フラッシュ 512k x 8 spi 15ms、5ms
MT48LC16M16A2P-6A:G TR Micron Technology Inc. MT48LC16M16A2P-6A:G TR 5.3900
RFQ
ECAD 16 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) アクティブ 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) MT48LC16M16A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 2,000 167 MHz 揮発性 256mbit 5.4 ns ドラム 16m x 16 平行 12ns
MT55L256V18P1T-7.5TR Micron Technology Inc. MT55L256V18P1T-7.5TR 4.9100
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Micron Technology Inc. ZBT® バルク アクティブ 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 100-lqfp SRAM -ZBT 3.135V〜3.465V 100-TQFP(14x20.1 ダウンロード 適用できない 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 500 133 MHz 揮発性 4mbit 4.2 ns sram 256k x 18 平行 -
MT25QU128ABA8E14-0SIT Micron Technology Inc. MT25QU128ABA8E14-0SIT -
RFQ
ECAD 7442 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 24-tbga MT25QU128 フラッシュ - 1.7V〜2V 24-T-PBGA ダウンロード 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,122 133 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi 8ms、2.8ms
MT29F512G08CLCCBG1-6R:C Micron Technology Inc. MT29F512G08CLCCBG1-6R:c -
RFQ
ECAD 1283 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント - MT29F512G08 フラッシュ-nand (mlc) 2.7V〜3.6V 272-VBGA(14x18) - ROHS3準拠 3 (168 時間) 3A991B1A 8542.32.0071 980 166 MHz 不揮発性 512gbit フラッシュ 64g x 8 平行 -
MT28F400B5SP-8 T TR Micron Technology Inc. mt28f400b5sp-8 t tr -
RFQ
ECAD 8990 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 44-SOIC (0.496 "、12.60mm 幅) MT28F400B5 フラッシュ - 4.5v〜5.5V 44-SO ダウンロード ROHS3準拠 2(1 年) 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 1,000 不揮発性 4mbit 80 ns フラッシュ 512K x 8、256K x 16 平行 80ns
MT46V16M16P-6T IT:K TR Micron Technology Inc. MT46V16M16P-6T IT:K Tr -
RFQ
ECAD 4473 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 66-TSSOP (0.400 "、10.16mm 幅) MT46V16M16 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 66-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 揮発性 256mbit 700 ps ドラム 16m x 16 平行 15ns
MT35XU01GBBA1G12-0AUT Micron Technology Inc. MT35XU01GBBA1G12-0AUT 25.4400
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. Xccela™-MT35X トレイ アクティブ -40°C〜125°C 表面マウント 24-tbga mt35xu01 フラッシュ - 1.7V〜2V 24-T-PBGA - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない -791-MT35XU01GBBA1G12-0AUT 3A991B1A 8542.32.0071 1,122 200 MHz 不揮発性 1gbit フラッシュ 128m x 8 xccelaバス -
MT46V32M16P-6T:F Micron Technology Inc. mt46v32m16p-6t:f -
RFQ
ECAD 5350 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 66-TSSOP (0.400 "、10.16mm 幅) MT46V32M16 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 66-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 32m x 16 平行 15ns
MT46H128M16LFDD-48 IT:C Micron Technology Inc. MT46H128M16LFDD-48 IT:c 9.6750
RFQ
ECAD 3869 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 60-VFBGA MT46H128M16 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 60-VFBGA (8x9) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,782 208 MHz 揮発性 2Gbit 5 ns ドラム 128m x 16 平行 14.4ns
MT62F4G32D8DV-023 WT:B Micron Technology Inc. MT62F4G32D8DV-023 WT:b 90.4650
RFQ
ECAD 8128 0.00000000 Micron Technology Inc. - アクティブ -25°C〜85°C - - SDRAM- lpddr5 - - - 557-MT62F4G32D8DV-023WT:b 1 4.266 GHz 揮発性 128GBIT ドラム 4g x 32 平行 -
MT29F256G08CMCDBJ5-6R:D Micron Technology Inc. MT29F256G08CMCDBJ5-6R:d -
RFQ
ECAD 5572 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント - MT29F256G08 フラッシュ-nand (mlc) 2.7V〜3.6V 132-TBGA(12x18) - ROHS3準拠 3 (168 時間) 3A991B1A 8542.32.0071 112 167 MHz 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 平行 -
PC28F256G18FE Micron Technology Inc. PC28F256G18FE -
RFQ
ECAD 6255 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash™ チューブ 廃止 -30°C〜85°C (TC) 表面マウント 64-TBGA PC28F256 フラッシュ - 1.7V〜2V 64-easybga ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 3A991B1A 8542.32.0071 1,800 133 MHz 不揮発性 256mbit 96 ns フラッシュ 16m x 16 平行 96ns
MT53B768M64D8BV-062 WT ES:B Micron Technology Inc. MT53B768M64D8BV-062 WT ES:b -
RFQ
ECAD 1755 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜85°C (TC) - - MT53B768 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - - 1 (無制限) 廃止 0000.00.0000 1,190 1.6 GHz 揮発性 48gbit ドラム 768m x 64 - -
M29W160EB70N1 Micron Technology Inc. M29W160EB70N1 -
RFQ
ECAD 7352 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) M29W160 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 48-tsop - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 96 不揮発性 16mbit 70 ns フラッシュ 2m x 8、1m x 16 平行 70ns
EDFP164A3PD-GD-F-D Micron Technology Inc. EDFP164A3PD-GD-FD -
RFQ
ECAD 8762 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜85°C(TA) 表面マウント - EDFP164 SDRAM- lpddr3 1.14V〜1.95V - - ROHS3準拠 3 (168 時間) 廃止 0000.00.0000 1,260 800 MHz 揮発性 24Gbit ドラム 384m x 64 平行 -
PC28F512P30BFB TR Micron Technology Inc. PC28F512P30BFB TR -
RFQ
ECAD 4321 0.00000000 Micron Technology Inc. axcell™ テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 64-TBGA PC28F512 フラッシュ - 1.7V〜2V 64-easybga ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 52 MHz 不揮発性 512mbit 100 ns フラッシュ 32m x 16 平行 100ns
MT46V32M16FN-6:F Micron Technology Inc. MT46V32M16FN-6:F -
RFQ
ECAD 5081 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 60-TFBGA MT46V32M16 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 60-FBGA (10x12.5 ダウンロード ROHS非準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 32m x 16 平行 15ns
MT41K1G8SN-125 IT:A TR Micron Technology Inc. MT41K1G8SN-125 IT:A TR -
RFQ
ECAD 3370 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 78-TFBGA mt41k1g8 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA (9x13.2 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 800 MHz 揮発性 8gbit 13.75 ns ドラム 1g x 8 平行 -
MT53D8D1BSQ-DC TR Micron Technology Inc. mt53d8d1bsq-dc tr -
RFQ
ECAD 4678 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) sicで中止されました mt53d8 - 影響を受けていない 0000.00.0000 2,000
RD48F3000P0ZBQ0A Micron Technology Inc. RD48F3000P0ZBQ0A -
RFQ
ECAD 8669 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C(TC) 表面マウント 88-TFBGA 、CSPBGA RD48F3000 フラッシュ - 1.7V〜2V 88-scsp( 8x10) ダウンロード ROHS非準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,800 52 MHz 不揮発性 128mbit 85 ns フラッシュ 8m x 16 平行 85ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫