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メモリ（10402）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT48LC8M16A2P-75：G TR | - |  | 3016 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | MT48LC8M16A2 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 133 MHz | 揮発性 | 128mbit | 5.4 ns | ドラム | 8m x 16 | 平行 | 15ns | ||
 | MT45W4MW16BFB-856 WT F TR | - | | 5996 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | sicで中止されました | -30°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 54-VFBGA | MT45W4MW16 | psram（pseudo sram | 1.7V〜1.95V | 54-VFBGA （6x9） | ダウンロード | ROHS非準拠 | 2（1 年） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | 揮発性 | 64mbit | 85 ns | psram | 4m x 16 | 平行 | 85ns | |||
 | EDFA232A2PB-JD-FR TR | - | | 6384 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | 表面マウント | - | EDFA232 | SDRAM- lpddr3 | 1.14V〜1.95V | 216-FBGA（12x12） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,000 | 933 MHz | 揮発性 | 16gbit | ドラム | 512m x 32 | 平行 | - | ||||
 | mt45w4mw16pba-70 wt tr | - | | 5246 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | sicで中止されました | -30°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 48-VFBGA | MT45W4MW16 | psram（pseudo sram | 1.7V〜1.95V | 48-VFBGA （6x8） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 2（1 年） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | 揮発性 | 64mbit | 70 ns | psram | 4m x 16 | 平行 | 70ns | |||
| mtfc64gbcaqdq-aat | 29.4000 | | 7307 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | - | 557-MTFC64GBCAQDQ-AAT | 1 | |||||||||||||||||||||
| MT40A2G8JE-062E AUT：E TR | 24.0300 | | 1958年年 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜125°C | 表面マウント | 78-TFBGA | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 78-FBGA （9x11） | ダウンロード | 557-MT40A2G8JE-062EAUT：ETR | 2,000 | 1.6 GHz | 揮発性 | 16gbit | 19 ns | ドラム | 2g x 8 | ポッド | 15ns | |||||||
 | MT41J64M16JT-187E：G Tr | - | | 3164 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 96-TFBGA | MT41J64M16 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-FBGA （8x14） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 533 MHz | 揮発性 | 1gbit | ドラム | 64m x 16 | 平行 | - | ||||
| MT29RZ4B4DZZNGPL-18WE.4U2 TR | - | | 6970 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | mt29rz4 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | ||||||||||||||||
| MT60B1G16HC-48B IT：A TR | 18.2400 | | 9769 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 102-VFBGA | SDRAM -DDR5 | - | 102-VFBGA （9x14 | - | 557-MT60B1G16HC-48ビット：ATR | 3,000 | 2.4 GHz | 揮発性 | 16gbit | 16 ns | ドラム | 1g x 16 | ポッド | - | |||||||
 | mtfc64gajaedn-aat | - | | 5572 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 169-lfbga | mtfc64 | フラッシュ -ナンド | - | 169-lfbga | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 不揮発性 | 512gbit | フラッシュ | 64g x 8 | MMC | - | ||||
| mt53d8danw-dc tr | - | | 7930 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | mt53d8 | - | 1 （無制限） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,000 | ||||||||||||||||||
 | MT41J128M16HA-125：d | - | | 4493 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 96-TFBGA | MT41J128M16 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-FBGA （9x14） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 800 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 13.75 ns | ドラム | 128m x 16 | 平行 | - | ||
| JS28F512M29AWLB TR | - | | 9067 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | JS28F512M29 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 56-tsop | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,600 | 不揮発性 | 512mbit | 100 ns | フラッシュ | 32m x 16 | 平行 | 100ns | ||||
 | MT28F128J3RG-12 et tr | - | | 6160 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | MT28F128J3 | フラッシュ | 2.7V〜3.6V | 56-tsop | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 128mbit | 120 ns | フラッシュ | 16m x 8、8m x 16 | 平行 | - | |||
 | MT29F128G08CFAAAWP-ITZ：TR | - | | 6141 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | MT29F128G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 128GBIT | フラッシュ | 16g x 8 | 平行 | - | ||||
| MT29F2G08AADWP-ET：D TR | - | | 2414 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | MT29F2G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 2Gbit | フラッシュ | 256m x 8 | 平行 | - | ||||
 | MT41J128M8JP-15E IT：g | - | | 9422 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 78-TFBGA | MT41J128M8 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 78-FBGA （8x11.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 667 MHz | 揮発性 | 1gbit | ドラム | 128m x 8 | 平行 | - | |||
 | MT52L512M32D2PU-107 WT：b | - | | 6035 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | 表面マウント | MT52L512 | SDRAM- lpddr3 | 1.2V | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,680 | 933 MHz | 揮発性 | 16gbit | ドラム | 512m x 32 | - | - | |||||
 | MT47H128M8CF-3 IT：H TR | - | | 4013 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 60-TFBGA | MT47H128M8 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 60-fbga （8x10） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 333 MHz | 揮発性 | 1gbit | 450 PS | ドラム | 128m x 8 | 平行 | 15ns | ||
| MT29GZ5A3BPGGA-53IT.87K TR | - | | 7386 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 149-WFBGA | フラッシュnand（ slc ）、 dram -lpddr4 | 1.06V〜1.17V | 149-WFBGA （8x9.5） | ダウンロード | 557-MT29GZ5A3BPGGA-53IT.87KTR | 廃止 | 2,000 | 不揮発性、揮発性 | 4gbit | 25 ns | フラッシュ、ラム | 512m x 8 | onfi | 30ns | |||||||
| MT53D768M32D2NP-046 WT：TR | - | | 7868 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | - | 557-MT53D768M32D2NP-046WT：ATR | 廃止 | 2,000 | ||||||||||||||||||||
| MT41K64M16V88AWC1 | - | | 9193 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | - | - | MT41K64M16 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | - | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 1 | 800 MHz | 揮発性 | 1gbit | 13.75 ns | ドラム | 64m x 16 | 平行 | - | ||
| MT53E768M64D4HJ-046AAT：A TR | - | | 6489 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜105°C （TC） | 表面マウント | 556-TFBGA | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.06V〜1.17V | 556-WFBGA（12.4x12.4 | - | ROHS3準拠 | 557-MT53E768M64D4HJ-046AAT：ATR | 廃止 | 1 | 2.133 GHz | 揮発性 | 48gbit | 3.5 ns | ドラム | 768m x 64 | 平行 | 18ns | |||||
| mtfc64gapalgt-ait | - | | 4161 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 前回購入します | -40°C〜85°C（タタ | mtfc64 | フラッシュ -ナンド | - | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 557-MTFC64GAPALGT-AIT | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,520 | 不揮発性 | 512gbit | フラッシュ | 64g x 8 | MMC | - | ||||||
| MTC10C1084S1TC48BAZ | 171.6000 | | 3959 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | - | 557-MTC10C1084S1TC48BAZ | 1 | |||||||||||||||||||||
| MT47H64M8CF-25E AIT：g | - | | 6431 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | バルク | 廃止 | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 60-TFBGA | MT47H64M8 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 60-fbga （8x10） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 1,000 | 400 MHz | 揮発性 | 512mbit | 400 PS | ドラム | 64m x 8 | 平行 | 15ns | ||
| MT53E512M32D2FW-046 AIT：D TR | 16.5000 | | 8697 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 前回購入します | - | 557-MT53E512M32D2FW-046AIT：DTR | 2,000 | |||||||||||||||||||||
| MT29VZZZAD9GQFSM-046 W.9S9 | 60.2850 | | 1702 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | - | 557-MT29VZZZAD9GQFSM-046W.9S9 | 1 | |||||||||||||||||||||
| MT29GZ5A5BPGGA-046AIT.87J | 9.9000 | | 2715 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | 箱 | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 149-WFBGA | フラッシュnand（ slc ）、 dram -lpddr4 | 1.06V〜1.17V | 149-WFBGA （8x9.5） | - | 557-MT29GZ5A5BPGGA-046AIT.87J | 1 | 不揮発性、揮発性 | 4gbit | 25 ns | フラッシュ、ラム | 512m x 8 | onfi | 30ns | ||||||||
 | MT46H32M32LFB5-5 AAT：B TR | - | | 2000 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 90-VFBGA | MT46H32M32 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 90-VFBGA （8x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 200 MHz | 揮発性 | 1gbit | 5 ns | ドラム | 32m x 32 | 平行 | 15ns |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
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