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メモリ（10402）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ sicプログラム可能
MT28F320J3BS-11GMET Micron Technology Inc. MT28F320J3BS-11GMET 2.0000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-FBGA （10x13） - 3277-MT28F320J3BS-11GMET ear99 8542.32.0071 500 不揮発性 32mbit 110 ns フラッシュ 4m x 8、2m x 16 平行 確認されていません
M29F800FB5AN6F2 Micron Technology Inc. M29F800FB5AN6F2 2.8000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） M29F800 フラッシュ - 4.5v〜5.5V 48-tsop ダウンロード 未定義のベンダー 未定義のベンダー 3277-M29F800FB5AN6F2TR ear99 8542.32.0071 1,500 不揮発性 8mbit 55 ns フラッシュ 1M x 8、512K x 16 平行 55ns
MT29F1G16ABBDAH4-IT:D TR Micron Technology Inc. MT29F1G16ABBDAH4-IT：D TR -
RFQ
 ECAD 1273 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 63-VFBGA MT29F1G16 フラッシュ -ナンド 1.7V〜1.95V 63-VFBGA （9x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 1gbit フラッシュ 64m x 16 平行 -
MTFC256GAVATTC-AAT Micron Technology Inc. mtfc256gavattc-aat 90.4350
RFQ
 ECAD 2840 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ - 557-MTFC256GAVATTC-AAT 1
MT53E768M64D4HJ-046 AAT:C Micron Technology Inc. MT53E768M64D4HJ-046AAT：c 64.0350
RFQ
 ECAD 9990 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ アクティブ -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 556-TFBGA SDRAM-モバイルLPDDR4 1.06V〜1.17V 556-WFBGA（12.4x12.4 - ROHS3準拠 557-MT53E768M64D4HJ-046AAT：c 1 2.133 GHz 揮発性 48gbit 3.5 ns ドラム 768m x 64 平行 18ns
MTFC8GLGDQ-AIT Z TR Micron Technology Inc. mtfc8glgdq-ait z tr -
RFQ
 ECAD 9638 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 100-lbga mtfc8 フラッシュ -ナンド 1.65v〜3.6V 100-lbga（14x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 64gbit フラッシュ 8g x 8 MMC -
MT28FW512ABA1LJS-0AAT TR Micron Technology Inc. MT28FW512ABA1LJS-0AAT TR -
RFQ
 ECAD 2604 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT28FW512 フラッシュ - 1.7V〜3.6V 56-tsop - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,600 不揮発性 512mbit 105 ns フラッシュ 32m x 16 平行 60ns
MT53E256M32D2DS-053 WT:B TR Micron Technology Inc. MT53E256M32D2DS-053 WT：B TR -
RFQ
 ECAD 8401 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 200-WFBGA MT53E256 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA （10x14.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） MT53E256M32D2DS-053WT：BTR ear99 8542.32.0036 2,000 1.866 GHz 揮発性 8gbit ドラム 256m x 32 - -
MT29F8T08EWLEEM5-QA:E TR Micron Technology Inc. mt29f8t08ewleem5-qa：e tr -
RFQ
 ECAD 8771 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 - 557-MT29F8T08EWLEEM5-QA：ETR 廃止 1,500
MTFC32GAKAEEF-AIT TR Micron Technology Inc. mtfc32gakaeef-it tr -
RFQ
 ECAD 7000 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 169-TFBGA mtfc32g フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 169-TFBGA - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない mtfc32gakaeef-aittr 廃止 8542.32.0071 1,000 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 MMC -
NAND512W3A2SNXE Micron Technology Inc. NAND512W3A2SNXE -
RFQ
 ECAD 5189 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） NAND512 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 576 不揮発性 512mbit 50 ns フラッシュ 64m x 8 平行 50ns
MT62F1536M64D8EK-023 FAAT:B TR Micron Technology Inc. MT62F1536M64D8EK-023 FAAT：B TR 94.8300
RFQ
 ECAD 8140 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C 表面マウント 441-TFBGA SDRAM- lpddr5 - 441-TFBGA - 557-MT62F1536M64D8EK-023FAAT：BTR 1,500 4.266 GHz 揮発性 96gbit ドラム 1.5GX 64 平行 -
MT49H64M9BM-25:B TR Micron Technology Inc. mt49h64m9bm-25：b tr -
RFQ
 ECAD 7693 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 144-TFBGA MT49H64M9 ドラム 1.7V〜1.9V 144-µbga（18.5x11） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 400 MHz 揮発性 576mbit 20 ns ドラム 64m x 9 平行 -
MT29C1G12MAACAFAMD-6 IT TR Micron Technology Inc. MT29C1G12MAACAFAMD-6 IT TR -
RFQ
 ECAD 4940 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 130-VFBGA MT29C1G12 フラッシュ-nand 、モバイルlpdram 1.7V〜1.95V 130-VFBGA （8x9） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 166 MHz 不揮発性、揮発性 1gbit（nand フラッシュ、ラム 128m x 8 平行 -
M29DW641F70N6E Micron Technology Inc. M29DW641F70N6E -
RFQ
 ECAD 9977 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） M29DW641 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 48-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 96 不揮発性 64mbit 70 ns フラッシュ 4m x 16 平行 70ns
MTFC8GAMALBH-AAT TR Micron Technology Inc. mtfc8gamalbh-aat tr 11.1750
RFQ
 ECAD 7981 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 153-TFBGA mtfc8 フラッシュ -ナンド - 153-TFBGA （11.5x13 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 64gbit フラッシュ 8g x 8 MMC -
ECF620AAACN-C1-Y3-ES Micron Technology Inc. ECF620AAACN-C1-Y3-ES -
RFQ
 ECAD 8126 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク アクティブ ECF620 - 3 （168 時間） 影響を受けていない 0000.00.0000 1
MT62F2G32D4DS-026 AAT:B Micron Technology Inc. MT62F2G32D4DS-026 AAT：b 63.8550
RFQ
 ECAD 8885 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 箱 アクティブ - 表面マウント 200-WFBGA SDRAM- lpddr5 1.05V 200-WFBGA （10x14.5 - 557-MT62F2G32D4DS-026AAT：b 1 揮発性 64gbit ドラム 2g x 32 平行 -
MT29F16G08ABCBBH1-12IT:B Micron Technology Inc. MT29F16G08ABCBH1-12IT：b -
RFQ
 ECAD 2017年 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 100-VBGA MT29F16G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 100-VBGA（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83 MHz 不揮発性 16gbit フラッシュ 2g x 8 平行 -
MT53E2G32D4DE-046 AIT:A Micron Technology Inc. MT53E2G32D4DE-046 AIT：a 57.3900
RFQ
 ECAD 8020 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 箱 アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 200-TFBGA SDRAM -MOBILE LPDDR4X 1.06V〜1.17V 200-TFBGA （10x14.5） ダウンロード 557-MT53E2G32D4DE-046AIT：a 1 2.133 GHz 揮発性 64gbit 3.5 ns ドラム 2g x 32 平行 18ns
MT29F8G16ABBCAM71M3WC1 Micron Technology Inc. MT29F8G16ABBCAM71M3WC1 -
RFQ
 ECAD 9791 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 死ぬ MT29F8G16 フラッシュ -ナンド 1.7V〜1.95V 死ぬ - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 1 不揮発性 8gbit フラッシュ 512m x 16 平行 -
PC48F4400P0VB0EE Micron Technology Inc. PC48F4400P0VB0EE -
RFQ
 ECAD 6073 0.00000000 Micron Technology Inc. axcell™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 64-lbga PC48F4400 フラッシュ - 1.7V〜2V 64-easybga （10x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 136 52 MHz 不揮発性 512mbit 100 ns フラッシュ 32m x 16 平行 100ns
MT29RZ1CVCZZHGTN-25 W.4M0 Micron Technology Inc. MT29RZ1CVCZZHGTN-25 W.4M0 -
RFQ
 ECAD 3228 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 表面マウント 121-WFBGA 121-VFBGA （8x7.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000
M29F800DT70M6 Micron Technology Inc. M29F800DT70M6 -
RFQ
 ECAD 2002年年 0.00000000 Micron Technology Inc. - チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 44-SOIC （0.525 "、13.34mm 幅） M29F800 フラッシュ - 4.5v〜5.5V 44-SO - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 16 不揮発性 8mbit 70 ns フラッシュ 1M x 8、512K x 16 平行 70ns
MT58L256L36DS-10 Micron Technology Inc. MT58L256L36DS-10 8.5300
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Micron Technology Inc. Syncburst™ バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp MT58L256L36 sram-同期 3.135V〜3.6V 100-TQFP（14x20.1 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1 100 MHz 揮発性 8mbit 5 ns sram 256k x 36 平行 -
MT62F1G32D2DS-023 FAAT:B TR Micron Technology Inc. MT62F1G32D2DS-023 FAAT：B TR 31.9350
RFQ
 ECAD 7436 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C 表面マウント 200-WFBGA SDRAM- lpddr5 1.05V 200-WFBGA （10x14.5 - 557-MT62F1G32D2DS-023FAAT：BTR 2,000 3.2 GHz 揮発性 32gbit ドラム 1g x 32 平行 -
N25Q032A13ESE40F TR Micron Technology Inc. N25Q032A13ESE40F TR -
RFQ
 ECAD 5073 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） N25Q032A13 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-SO ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,500 108 MHz 不揮発性 32mbit フラッシュ 8m x 4 spi 8ms、5ms
MTFC64GASAQHD-AAT Micron Technology Inc. mtfc64gasaqhd-aat 31.2900
RFQ
 ECAD 2756 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 箱 アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 153-VFBGA フラッシュ-nand（slc） 2.7V〜3.6V 153-VFBGA （11.5x13 - 557-MTFC64GASAQHD-AAT 1 200 MHz 不揮発性 512gbit フラッシュ 64g x 8 EMMC_5.1 -
JS28F128M29EWHA Micron Technology Inc. JS28F128M29EWHA -
RFQ
 ECAD 4832 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） JS28F128M29 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 56-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 96 不揮発性 128mbit 70 ns フラッシュ 16m x 8、8m x 16 平行 70ns
MT29F1T08EBLCHD4-QJ:C Micron Technology Inc. MT29F1T08EBLCHD4-QJ：c 20.9850
RFQ
 ECAD 1596 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ - 557-MT29F1T08EBLCHD4-QJ：c 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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