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メモリ（10402）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT62F1536M32D4DS-023 IT：B TR | 37.6950 |  | 3510 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | - | 557-MT62F1536M32D4DS-023IT：BTR | 2,000 | |||||||||||||||||||||
| MT53E2G32D4DE-046 AAT：A TR | 63.1350 | | 4881 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C （TC） | 表面マウント | 200-TFBGA | SDRAM -MOBILE LPDDR4X | 1.06V〜1.17V | 200-TFBGA （10x14.5） | ダウンロード | 557-MT53E2G32D4DE-046AAT：ATR | 2,000 | 2.133 GHz | 揮発性 | 64gbit | 3.5 ns | ドラム | 2g x 32 | 平行 | 18ns | |||||||
| MT29F8T08EULCHD5-R：C Tr | 167.8050 | | 3165 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | - | 557-MT29F8T08EULCHD5-R：CTR | 2,000 | |||||||||||||||||||||
| MT62F1G32D2DS-023 WT：C TR | 22.8450 | | 4763 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -25°C〜85°C | 表面マウント | 200-WFBGA | SDRAM- lpddr5 | 1.05V | 200-WFBGA （10x14.5 | - | 557-MT62F1G32D2DS-023WT：CTR | 2,000 | 3.2 GHz | 揮発性 | 32gbit | ドラム | 1g x 32 | 平行 | - | ||||||||
| MT61M256M32JE-12 NIT：TR | - | | 4970 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 180-tfbga | sgram -gddr6 | 1.2125V〜1.325V | 180-FBGA（12x14） | ダウンロード | 557-MT61M256M32JE-12NIT：ATR | 廃止 | 2,000 | 6 GHz | 揮発性 | 8gbit | ドラム | 256m x 32 | POD125 | - | |||||||
 | MT46V16M16P-5B XIT：M TR | - | | 7526 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | MT46V16M16 | SDRAM -DDR | 2.5V〜2.7V | 66-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 200 MHz | 揮発性 | 256mbit | 700 ps | ドラム | 16m x 16 | 平行 | 15ns | ||
| MT29F2T08GELCEJ4-QB：C Tr | 39.0600 | | 8447 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | - | 557-MT29F2T08GELCEJ4-QB：Ctr | 2,000 | |||||||||||||||||||||
| MT40A256M16LY-062E：F Tr | 8.3250 | | 8360 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 96-TFBGA | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 96-FBGA （7.5x13.5） | ダウンロード | 557-MT40A256M16LY-062E：FTR | 2,000 | 1.6 GHz | 揮発性 | 4gbit | 19 ns | ドラム | 256m x 16 | ポッド | 15ns | |||||||
| MT62F768M64D4EJ-031 AIT：A TR | 93.4500 | | 1608 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | MT62F768 | - | 影響を受けていない | 557-MT62F768M64D4EJ-031AIT：ATR | 1,500 | |||||||||||||||||||
| MTFC256GBCAQTC-AAT ES | 99.4350 | | 4590 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | - | 557-MTFC256GBCAQTC-AATES | 1 | |||||||||||||||||||||
| MT62F512M64D4EK-031 AIT：B TR | 29.6100 | | 9924 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜95°C | 表面マウント | 441-TFBGA | SDRAM- lpddr5 | - | 441-TFBGA | - | 557-MT62F512M64D4EK-031AIT：BTR | 1,500 | 3.2 GHz | 揮発性 | 32gbit | ドラム | 512m x 64 | 平行 | - | ||||||||
 | MT29F2G16ABAGAWP-AITES：g | 5.0400 | | 6094 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | MT29F2G16 | フラッシュ-nand（slc） | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 0000.00.0000 | 1 | 不揮発性 | 2Gbit | フラッシュ | 128m x 16 | 平行 | - | |||||
| N25Q064A13EW7D0F TR | - | | 9459 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | N25Q064A13 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-wpdfn | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 廃止 | 0000.00.0000 | 4,000 | 108 MHz | 不揮発性 | 64mbit | フラッシュ | 16m x 4 | spi | 8ms、5ms | ||||
| MT62F2G64D8EK-023 AUT：B TR | 145.4250 | | 8333 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜125°C | 表面マウント | 441-TFBGA | SDRAM- lpddr5 | 1.05V | 441-TFBGA | - | 557-MT62F2G64D8EK-023AUT：BTR | 2,000 | 4.266 GHz | 揮発性 | 128GBIT | ドラム | 2g x 64 | 平行 | - | ||||||||
| MT41K512M8RG-093：N TR | - | | 5076 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 78-TFBGA | MT41K512M8 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-FBGA （7.5x10.6 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.066 GHz | 揮発性 | 4gbit | 20 ns | ドラム | 512m x 8 | 平行 | - | ||
 | mtfc2gmvea-0m wt tr | - | | 6002 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -25°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 153-VFBGA | mtfc2g | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 153-VFBGA | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 16gbit | フラッシュ | 2g x 8 | MMC | - | ||||
 | MT53E512M32D1ZW-046BAIT：b | - | | 5708 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | トレイ | アクティブ | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 200-TFBGA | SDRAM -MOBILE LPDDR4X | 1.06V〜1.17V | 200-TFBGA （10x14.5） | - | 557-MT53E512M32D1ZW-046BAIT：b | 1 | 2.133 GHz | 揮発性 | 16gbit | 3.5 ns | ドラム | 512m x 32 | 平行 | 18ns | |||||||
| MT29F8T08ESLEEG4-QD：E Tr | 211.8900 | | 2021 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | - | 557-MT29F8T08ESLEEG4-QD：ETR | 1,500 | |||||||||||||||||||||
 | MT29F4G080808ABAFAH4-AIT：F TR | 4.0147 | | 2264 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | 前回購入します | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 63-VFBGA | MT29F4G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 63-VFBGA （9x11） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | MT29F4G080808ABAFAH4-AIT：FTR | 8542.32.0071 | 2,000 | 不揮発性 | 4gbit | フラッシュ | 512m x 8 | 平行 | - | ||||
| mtfc16gapalgt-s1 aat | 19.2750 | | 3951 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | 箱 | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 153-WFBGA | フラッシュ-nand（slc） | 2.7V〜3.6V | 153-wfbga（11.5x13 | - | 557-MTFC16GAPALGT-S1AAT | 1 | 200 MHz | 不揮発性 | 128GBIT | フラッシュ | 16g x 8 | EMMC_5.1 | - | ||||||||
| MT47H128M8SH-25E AIT：M | - | | 3648 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | トレイ | 廃止 | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 60-TFBGA | MT47H128M8 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 60-fbga （8x10） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 253 | 400 MHz | 揮発性 | 1gbit | 400 PS | ドラム | 128m x 8 | 平行 | 15ns | ||
 | mtfc8glgdq-ait z tr | - | | 9638 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 100-lbga | mtfc8 | フラッシュ -ナンド | 1.65v〜3.6V | 100-lbga（14x18） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 64gbit | フラッシュ | 8g x 8 | MMC | - | ||||
 | MT53E768M64D4HJ-046AAT：c | 64.0350 | | 9990 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C （TC） | 表面マウント | 556-TFBGA | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.06V〜1.17V | 556-WFBGA（12.4x12.4 | - | ROHS3準拠 | 557-MT53E768M64D4HJ-046AAT：c | 1 | 2.133 GHz | 揮発性 | 48gbit | 3.5 ns | ドラム | 768m x 64 | 平行 | 18ns | ||||||
 | mtfc8gamalbh-aat tr | 11.1750 | | 7981 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 153-TFBGA | mtfc8 | フラッシュ -ナンド | - | 153-TFBGA （11.5x13 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 64gbit | フラッシュ | 8g x 8 | MMC | - | ||||
| mt49h64m9bm-25：b tr | - | | 7693 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 144-TFBGA | MT49H64M9 | ドラム | 1.7V〜1.9V | 144-µbga（18.5x11） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 400 MHz | 揮発性 | 576mbit | 20 ns | ドラム | 64m x 9 | 平行 | - | ||
 | MT29C1G12MAACAFAMD-6 IT TR | - | | 4940 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 130-VFBGA | MT29C1G12 | フラッシュ-nand 、モバイルlpdram | 1.7V〜1.95V | 130-VFBGA （8x9） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 166 MHz | 不揮発性、揮発性 | 1gbit（nand | フラッシュ、ラム | 128m x 8 | 平行 | - | |||
 | M29DW641F70N6E | - | | 9977 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | M29DW641 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 48-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | 不揮発性 | 64mbit | 70 ns | フラッシュ | 4m x 16 | 平行 | 70ns | |||
| MT49H8M36BM-25：B TR | - | | 8452 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 144-TFBGA | MT49H8M36 | ドラム | 1.7V〜1.9V | 144-µbga（18.5x11） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 400 MHz | 揮発性 | 288mbit | 20 ns | ドラム | 8m x 36 | 平行 | - | ||
 | M25PE80-VMS6TG TR | - | | 4222 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-vdfn露出パッド | M25PE80 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-VDFPN | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 4,000 | 75 MHz | 不揮発性 | 8mbit | フラッシュ | 1m x 8 | spi | 15ms、3ms | |||
| MT29F2G08ABBEAHC-IT：e | 4.2400 | | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 63-VFBGA | MT29F2G08 | フラッシュ -ナンド | 1.7V〜1.95V | 63-VFBGA（10.5x13） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,140 | 不揮発性 | 2Gbit | フラッシュ | 256m x 8 | 平行 | - |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
在庫倉庫
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