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メモリ（10402）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | mtfc32gamakam-wt es tr | - |  | 5362 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -25°C〜85°C（タタ | - | - | mtfc32g | フラッシュ -ナンド | - | - | - | 1 （無制限） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | MMC | - | ||||||
 | MT53B128M32D1DS-062 IT：a | - | | 2849 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 200-WFBGA | MT53B128 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA （10x14.5 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | MT53B128M32D1DS-062IT：a | ear99 | 8542.32.0036 | 1 | 1.6 GHz | 揮発性 | 4gbit | ドラム | 128m x 32 | - | - | |||
| MT47H64M8SH-25E IT：h | - | | 9556 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 60-TFBGA | MT47H64M8 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 60-fbga （8x10） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 1,518 | 400 MHz | 揮発性 | 512mbit | 400 PS | ドラム | 64m x 8 | 平行 | 15ns | ||
| MT29F4T08EULGEM4-ITF：G TR | 130.1100 | | 8374 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | - | 557-MT29F4T08EULGEM4-ITF：GTR | 2,000 | |||||||||||||||||||||
 | M29DW323DT70ZE6E | - | | 4567 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFBGA | M29DW323 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 48-TFBGA | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | -M29DW323DT70ZE6E | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 187 | 不揮発性 | 32mbit | 70 ns | フラッシュ | 4m x 8、2m x 16 | 平行 | 70ns | ||
 | PC28F128P33B85B TR | - | | 9060 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash™ | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（TC） | 表面マウント | 64-TBGA | PC28F128 | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 64-easybga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 52 MHz | 不揮発性 | 128mbit | 85 ns | フラッシュ | 8m x 16 | 平行 | 85ns | ||
 | MT29F1G08ABAEAWP-ITX：e | - | | 2911 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | MT29F1G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 960 | 不揮発性 | 1gbit | フラッシュ | 128m x 8 | 平行 | - | ||||
| mtfc64gjtdn-3f wt | - | | 5222 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | バルク | 廃止 | -25°C〜85°C（タタ | 表面マウント | - | mtfc64 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | - | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 512gbit | フラッシュ | 64g x 8 | MMC | - | |||||
| MT61K512M32KPA-16：c | 19.4100 | | 7845 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 180-tfbga | sgram -gddr6 | 1.3095V〜1.3905V | 180-FBGA（12x14） | - | 557-MT61K512M32KPA-16：c | 1 | 8 GHz | 揮発性 | 16gbit | ドラム | 512m x 32 | pod_135 | - | ||||||||
 | MT40A1G8AG-062EAAT：R Tr | - | | 4189 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | - | 影響を受けていない | 557-MT40A1G8AG-062EAAT：RTR | 1 | ||||||||||||||||||||
| mtfc128gaxatea-wt tr | 20.4900 | | 6379 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -25°C〜85°C | 表面マウント | 153-VFBGA | フラッシュ-nand（slc） | - | 153-VFBGA （11.5x13 | - | 557-MTFC128GAXATEA-WTTR | 2,000 | 不揮発性 | 1tbit | フラッシュ | 128g x 8 | UFS 3.1 | - | |||||||||
 | mt45w4mw16bfb-708 wt f tr | - | | 3529 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | sicで中止されました | -30°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 54-VFBGA | MT45W4MW16 | psram（pseudo sram | 1.7V〜1.95V | 54-VFBGA （6x9） | ダウンロード | ROHS非準拠 | 2（1 年） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | 揮発性 | 64mbit | 70 ns | psram | 4m x 16 | 平行 | 70ns | |||
 | MT41K256M16TW-107：P Tr | 5.2703 | | 3454 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 96-TFBGA | MT41K256M16 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-FBGA （8x14） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | MT41K256M16TW-107：PTR | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 933 MHz | 揮発性 | 4gbit | 20 ns | ドラム | 256m x 16 | 平行 | - | |
 | MT29F2G16ABAGAWP-AIT：g | 2.5267 | | 6696 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | MT29F2G16 | フラッシュ-nand（slc） | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 557-MT29F2G16ABAGAWP-AIT：g | 8542.32.0071 | 960 | 不揮発性 | 2Gbit | フラッシュ | 128m x 16 | 平行 | - | ||||
| NP8P128AE3TSM60E | - | | 2855 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | OMN EO™ | トレイ | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | NP8P128A | PCM （プラム） | 2.7V〜3.6V | 56-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | 不揮発性 | 128mbit | 135 ns | PCM （プラム） | 16m x 8 | 平行、 spi | 135ns | ||||
| MT29F8G08ABBCAM71M3WC1L | 7.3700 | | 1032 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | - | - | フラッシュ-nand（slc） | 1.7V〜1.95V | - | - | 557-MT29F8G08ABBCAM71M3WC1L | 1 | 不揮発性 | 8gbit | 25 ns | フラッシュ | 1g x 8 | onfi | 25ns | ||||||||
 | MT53E512M64D2HJ-046 WT：b | 34.6500 | | 5535 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | アクティブ | -25°C〜85°C（TC） | 表面マウント | 556-TFBGA | MT53E512 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.06V〜1.17V | 556-WFBGA（12.4x12.4 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 557-MT53E512M64D2HJ-046WT：b | 1 | 2.133 GHz | 揮発性 | 32gbit | 3.5 ns | ドラム | 512m x 64 | 平行 | 18ns | ||||
| MT53E1G64D4SQ-046 AIT：A TR | - | | 1006 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜95°C（TC） | MT53E1G64 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | MT53E1G64D4SQ-046AIT：ATR | 廃止 | 0000.00.0000 | 2,000 | 2.133 GHz | 揮発性 | 64gbit | ドラム | 1g x 64 | - | - | ||||||
 | EDBA232B2PF-1D-FD | - | | 7796 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 168-TFBGA | EDBA232 | SDRAM-モバイルLPDDR2 | 1.14V〜1.95V | 168-FBGA（12x12） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,680 | 533 MHz | 揮発性 | 16gbit | ドラム | 512m x 32 | 平行 | - | ||||
| MT53E384M64D4NK-053 WT：e | - | | 8561 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | MT53E384 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | - | 557-MT53E384M64D4NK-053WT：e | 廃止 | 119 | 1.866 GHz | 揮発性 | 24Gbit | ドラム | 384m x 64 | - | - | |||||||||
 | NP5Q128AE3ESFC0E | - | | 9478 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | OMN EO™ | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） | NP5Q128A | PCM （プラム） | 2.7V〜3.6V | 16-SO | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 240 | 33 MHz | 不揮発性 | 128mbit | 360 µs | PCM （プラム） | 16m x 8 | spi | 350µs | |||
| MT29F2G16ABAGAWP-AAT：G TR | 2.7962 | | 2441 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | - | 557-MT29F2G16ABAGAWP-AAT：GTR | 1,000 | |||||||||||||||||||||
 | MT40A1G16TB-062E：F | 17.0800 | | 9155 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | アクティブ | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 96-TFBGA | MT40A1G16 | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 96-FBGA （7.5x13 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,020 | 1.5 GHz | 揮発性 | 16gbit | 19 ns | ドラム | 1g x 16 | 平行 | 15ns | ||
| N25Q032A13EV741 | - | | 7579 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | -40°C〜125°C（タタ | - | - | N25Q032A13 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | - | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 108 MHz | 不揮発性 | 32mbit | フラッシュ | 8m x 4 | spi | 8ms、5ms | |||
| MT46V32M16BN-5B IT：F | - | | 8119 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 60-TFBGA | MT46V32M16 | SDRAM -DDR | 2.5V〜2.7V | 60-FBGA （10x12.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 1,000 | 200 MHz | 揮発性 | 512mbit | 700 ps | ドラム | 32m x 16 | 平行 | 15ns | ||
| MT29F16T08GWLCEM5-QB：c | 312.5850 | | 4181 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | - | 557-MT29F16T08GWLCEM5-QB：c | 1 | |||||||||||||||||||||
 | MT48H4M16LFB4-75 IT：h | - | | 8846 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 54-VFBGA | MT48H4M16 | SDRAM- lPSDR | 1.7V〜1.9V | 54-VFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 133 MHz | 揮発性 | 64mbit | 6 ns | ドラム | 4m x 16 | 平行 | 15ns | ||
| MT46H256M32L4JV-5それ：B Tr | - | | 9461 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 168-VFBGA | MT46H256M32 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 168-VFBGA（12x12） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 200 MHz | 揮発性 | 8gbit | 5 ns | ドラム | 256m x 32 | 平行 | 15ns | |||
| MT53E256M32D2DS-053 AAT：b | 19.1900 | | 2 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | トレイ | 前回購入します | -40°C〜105°C （TC） | 表面マウント | 200-WFBGA | MT53E256 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA （10x14.5 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | MT53E256M32D2DS-053AAT：b | ear99 | 8542.32.0036 | 1,360 | 1.866 GHz | 揮発性 | 8gbit | ドラム | 256m x 32 | - | - | ||
 | MT29F1G08ABAEAH4-ITX：E TR | - | | 4493 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 63-VFBGA | MT29F1G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 63-VFBGA （9x11） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 1gbit | フラッシュ | 128m x 8 | 平行 | - |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
在庫倉庫
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