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メモリ（10402）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
MT53E256M32D2DS-053 AAT:B Micron Technology Inc. MT53E256M32D2DS-053 AAT：b 19.1900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ 前回購入します -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 200-WFBGA MT53E256 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない MT53E256M32D2DS-053AAT：b ear99 8542.32.0036 1,360 1.866 GHz 揮発性 8gbit ドラム 256m x 32 - -
MT29F1G08ABAEAH4-ITX:E TR Micron Technology Inc. MT29F1G08ABAEAH4-ITX：E TR -
RFQ
 ECAD 4493 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 63-VFBGA MT29F1G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 63-VFBGA （9x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 1gbit フラッシュ 128m x 8 平行 -
JS28F512P30EF0 Micron Technology Inc. JS28F512P30EF0 -
RFQ
 ECAD 4795 0.00000000 Micron Technology Inc. axcell™ トレイ sicで中止されました -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） JS28F512P30 フラッシュ - 1.7V〜2V 56-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0051 96 40 MHz 不揮発性 512mbit 110 ns フラッシュ 32m x 16 平行 110ns
MT47H256M4HQ-5E:E TR Micron Technology Inc. MT47H256M4HQ-5E：E Tr 27.6200
RFQ
 ECAD 900 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜85°C （TC） 表面マウント 60-FBGA MT47H256M4 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-FBGA （8x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 1,000 200 MHz 揮発性 1gbit 600 PS ドラム 256m x 4 平行 15ns
MT29F4G16ABADAH4-IT:D TR Micron Technology Inc. MT29F4G16ABADAH4-IT：D TR -
RFQ
 ECAD 6680 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 63-VFBGA MT29F4G16 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 63-VFBGA （9x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 4gbit フラッシュ 256m x 16 平行 -
MT44K32M18RB-093E:A Micron Technology Inc. MT44K32M18RB-093E：a -
RFQ
 ECAD 9450 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 168-TBGA MT44K32M18 ドラム 1.28V〜1.42V 168-BGA（13.5x13.5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,190 1.066 GHz 揮発性 576mbit 8 ns ドラム 32m x 18 平行 -
MT29F4T08EULEEM4-R:E Micron Technology Inc. mt29f4t08euleem4-r：e 85.8150
RFQ
 ECAD 9302 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ 0°C〜70°C 表面マウント 132-BGA フラッシュ-Nand （TLC） 2.6V〜3.6V 132-lbga（12x18） - 557-MT29F4T08EULEEM4-R：e 1 不揮発性 4tbit フラッシュ 512g x 8 平行 -
MTFC8GLVEA-1F WT Micron Technology Inc. mtfc8glvea-1f wt -
RFQ
 ECAD 2362 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ トレイ 廃止 -25°C〜85°C（タタ 表面マウント 153-WFBGA mtfc8 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 153-wfbga（11.5x13 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 64gbit フラッシュ 8g x 8 MMC -
M25P64-VMF6PBA Micron Technology Inc. M25P64-VMF6PBA -
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 ECAD 9474 0.00000000 Micron Technology Inc. - チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） M25P64 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 16-sop2 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 75 MHz 不揮発性 64mbit フラッシュ 8m x 8 spi 15ms、5ms
MT62F1G32D2DS-023 WT ES:B Micron Technology Inc. MT62F1G32D2DS-023 WT ES：b 40.9200
RFQ
 ECAD 5505 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ - 表面マウント 200-WFBGA SDRAM- lpddr5 1.05V 200-WFBGA （10x14.5 - 557-MT62F1G32D2DS-023WTES：b 1 4.266 GHz 揮発性 32gbit ドラム 1g x 32 平行 -
JS28F256J3F105B TR Micron Technology Inc. JS28F256J3F105B TR -
RFQ
 ECAD 1724 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash™ テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） JS28F256J3 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 56-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,600 不揮発性 256mbit 105 ns フラッシュ 32m x 8、16m x 16 平行 105ns
M25PE10-VMP6TG TR Micron Technology Inc. M25PE10-VMP6TG TR -
RFQ
 ECAD 2484 0.00000000 Micron Technology Inc. - カットテープ（CT） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-vdfn露出パッド M25PE10 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-VDFPN ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 4,000 75 MHz 不揮発性 1mbit フラッシュ 128k x 8 spi 15ms、3ms
MT53D512M32D2DS-053 AUT:D TR Micron Technology Inc. MT53D512M32DS-053 AUT：D TR 21.9750
RFQ
 ECAD 3913 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） 前回購入します -40°C〜125°C 表面マウント 200-WFBGA MT53D512 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない MT53D512M32D2DS-053AUT：DTR ear99 8542.32.0036 2,000 1.866 GHz 揮発性 16gbit ドラム 512m x 32 - -
MT58L128L32P1T-10 Micron Technology Inc. MT58L128L32P1T-10 7.5200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Micron Technology Inc. Syncburst™ バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp sram-標準 3.135V〜3.6V 100-TQFP（14x20.1 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 未定義のベンダー 3A991B2A 8542.32.0041 1 100 MHz 揮発性 4mbit 5 ns sram 128k x 32 平行 -
MT46V32M16BN-5B:C TR Micron Technology Inc. MT46V32M16BN-5B：C Tr -
RFQ
 ECAD 3754 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 60-TFBGA MT46V32M16 SDRAM -DDR 2.5V〜2.7V 60-FBGA （10x12.5 - ROHS3準拠 5 （48 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 200 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 32m x 16 平行 15ns
MTFC4GLMDQ-AIT Z TR Micron Technology Inc. mtfc4glmdq-ait z tr -
RFQ
 ECAD 8775 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 100-lbga mtfc4 フラッシュ -ナンド - 100-lbga（14x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 32gbit フラッシュ 4g x 8 MMC -
MT46H64M32LFCX-6 WT:B TR Micron Technology Inc. MT46H64M32LFCX-6 WT：B TR -
RFQ
 ECAD 5317 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -25°C〜85°C（タタ 表面マウント 90-VFBGA MT46H64M32 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 90-VFBGA （9x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0036 1,000 166 MHz 揮発性 2Gbit 5 ns ドラム 64m x 32 平行 15ns
MT42L32M32D2AC-25 AIT:A TR Micron Technology Inc. MT42L32M32D2AC-25 AIT：A TR -
RFQ
 ECAD 3807 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） 廃止 -25°C〜85°C（TC） 表面マウント 134-VFBGA MT42L32M32 SDRAM-モバイルLPDDR2 1.14V〜1.95V 134-FBGA （10x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 400 MHz 揮発性 1gbit ドラム 32m x 32 平行 -
PZ28F064M29EWLA Micron Technology Inc. PZ28F064M29EWLA -
RFQ
 ECAD 8004 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-VFBGA PZ28F064M29 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 48-bga （6x8） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,122 不揮発性 64mbit 60 ns フラッシュ 8m x 8、4m x 16 平行 60ns
MT53B4DAWT-DC Micron Technology Inc. MT53B4DAWT-DC -
RFQ
 ECAD 8332 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 - - mt53b4 SDRAM-モバイルLPDDR4 - - 1 （無制限） 廃止 0000.00.0000 1,190 揮発性 ドラム
MT29GZ5A5BPGGA-53ITES.87J TR Micron Technology Inc. MT29GZ5A5BPGGA-53ITE.87J TR -
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 ECAD 8413 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 149-WFBGA MT29GZ5A5 フラッシュ-Nand dram -lpddr4 1.8V 149-WFBGA （8x9.5） - 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 1866 MHz 不揮発性、揮発性 4gbit （nand ）、4gbit （lpddr4） フラッシュ、ラム 512m x 8 平行 -
M29W400DB45N6E Micron Technology Inc. M29W400DB45N6E -
RFQ
 ECAD 6284 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） M29W400 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 48-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0071 96 不揮発性 4mbit 45 ns フラッシュ 512K x 8、256K x 16 平行 45ns
M29W040B90K1E Micron Technology Inc. M29W040B90K1E -
RFQ
 ECAD 9355 0.00000000 Micron Technology Inc. - チューブ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 32-lcc M29W040 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 32-PLCC（11.35x13.89） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 32 不揮発性 4mbit 90 ns フラッシュ 512k x 8 平行 90ns
MT53E2G64D8TN-046 AIT:C TR Micron Technology Inc. MT53E2G64D8TN-046 AIT：C TR 109.4700
RFQ
 ECAD 8271 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 556-LFBGA SDRAM -MOBILE LPDDR4X 1.06V〜1.17V 556-LFBGA（12.4x12.4 ダウンロード 557-MT53E2G64D8TN-046AIT：CTR 2,000 2.133 GHz 揮発性 128GBIT 3.5 ns ドラム 2g x 64 平行 18ns
N25Q008A11EF640E Micron Technology Inc. N25Q008A11EF640E -
RFQ
 ECAD 7264 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ N25Q008A11 フラッシュ - 1.7V〜2V - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 490 108 MHz 不揮発性 8mbit フラッシュ 1m x 8 spi 8ms、5ms
EDFA232A2PB-GD-F-D Micron Technology Inc. EDFA232A2PB-GD-FD -
RFQ
 ECAD 5773 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜85°C （TC） 表面マウント - EDFA232 SDRAM- lpddr3 1.14V〜1.95V 216-FBGA（12x12） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 1,680 800 MHz 揮発性 16gbit ドラム 512m x 32 平行 -
MT53D1024M32D4NQ-062 WT ES:D Micron Technology Inc. MT53D1024M32D4NQ-062 WT ES：D -
RFQ
 ECAD 6551 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 200-VFBGA MT53D1024 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-VFBGA （10x14.5 - 1 （無制限） 廃止 0000.00.0000 1,360 1.6 GHz 揮発性 32gbit ドラム 1g x 32 - -
MT62F2G32D4DS-023 WT ES:B Micron Technology Inc. MT62F2G32D4DS-023 WT ES：b 45.6900
RFQ
 ECAD 7000 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ -25°C〜85°C 表面マウント 200-WFBGA SDRAM- lpddr5 1.05V 200-WFBGA （10x14.5 - 557-MT62F2G32D4DS-023WTES：b 1 2.133 GHz 揮発性 64gbit ドラム 2g x 32 平行 -
PC28F064M29EWTA Micron Technology Inc. PC28F064M29EWTA -
RFQ
 ECAD 4754 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-lbga PC28F064 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-FBGA （11x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,104 不揮発性 64mbit 60 ns フラッシュ 8m x 8、4m x 16 平行 60ns
MT29F2G01ABBGDSF-IT:G TR Micron Technology Inc. MT29F2G01ABBGDSF-IT：G TR -
RFQ
 ECAD 6284 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） MT29F2G01 フラッシュ -ナンド 1.7V〜1.95V 16-SO - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 2Gbit フラッシュ 2g x 1 spi -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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