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メモリ（10402）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
MT41K64M16V88AWC1 Micron Technology Inc. MT41K64M16V88AWC1 -
RFQ
 ECAD 9193 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 0°C〜95°C （TC - - MT41K64M16 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 廃止 0000.00.0000 1 800 MHz 揮発性 1gbit 13.75 ns ドラム 64m x 16 平行 -
MT53E768M64D4HJ-046 AAT:A TR Micron Technology Inc. MT53E768M64D4HJ-046AAT：A TR -
RFQ
 ECAD 6489 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 556-TFBGA SDRAM-モバイルLPDDR4 1.06V〜1.17V 556-WFBGA（12.4x12.4 - ROHS3準拠 557-MT53E768M64D4HJ-046AAT：ATR 廃止 1 2.133 GHz 揮発性 48gbit 3.5 ns ドラム 768m x 64 平行 18ns
MTFC8GACAEDQ-AIT TR Micron Technology Inc. mtfc8gacaedq-ait tr -
RFQ
 ECAD 1642 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 mtfc8 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない mtfc8gacaedq-aittr 廃止 0000.00.0000 1,000
MT53D768M32D2DS-046 WT:A Micron Technology Inc. MT53D768M32D2DS-046 WT：a 36.7950
RFQ
 ECAD 2918 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ -30°C〜85°C （TC） MT53D768 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない MT53D768M32D2DS-046WT：a 0000.00.0000 1,360 2.133 GHz 揮発性 24Gbit ドラム 768m x 32 - -
MT48H8M32LFB5-75 IT:G TR Micron Technology Inc. MT48H8M32LFB5-75 IT：G TR -
RFQ
 ECAD 8081 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 90-VFBGA MT48H8M32 SDRAM- lPSDR 1.7V〜1.95V 90-VFBGA （8x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 揮発性 256mbit 5.4 ns ドラム 8m x 32 平行 15ns
MT53E128M32D2DS-053 AIT:A TR Micron Technology Inc. MT53E128M32D2DS-053 AIT：A TR 7.9500
RFQ
 ECAD 1146 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 200-WFBGA MT53E128 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない MT53E128M32D2DS-053AIT：ATR ear99 8542.32.0036 2,000 1.866 GHz 揮発性 4gbit ドラム 128m x 32 - -
N25Q064A13EW74ME Micron Technology Inc. N25Q064A13EW74ME -
RFQ
 ECAD 9360 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド N25Q064A13 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-wpdfn - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 2,940 108 MHz 不揮発性 64mbit フラッシュ 16m x 4 spi 8ms、5ms
M29W400DB70N6 Micron Technology Inc. M29W400DB70N6 -
RFQ
 ECAD 1030 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） M29W400 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 48-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 96 不揮発性 4mbit 70 ns フラッシュ 512K x 8、256K x 16 平行 70ns
MTFC8GLWDQ-3L AIT A TR Micron Technology Inc. mtfc8glwdq-3l ait a tr -
RFQ
 ECAD 9286 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 100-lbga mtfc8 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 100-lbga（14x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 557-MTFC8GLWDQ-3LAITATR 廃止 1,000 52 MHz 不揮発性 64gbit フラッシュ 8g x 8 EMMC -
MT29VZZZAD9GQFSM-046 W.9S9 Micron Technology Inc. MT29VZZZAD9GQFSM-046 W.9S9 60.2850
RFQ
 ECAD 1702 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ - 557-MT29VZZZAD9GQFSM-046W.9S9 1
MT47H64M8CF-25E AIT:G Micron Technology Inc. MT47H64M8CF-25E AIT：g -
RFQ
 ECAD 6431 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 バルク 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 60-TFBGA MT47H64M8 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-fbga （8x10） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 1,000 400 MHz 揮発性 512mbit 400 PS ドラム 64m x 8 平行 15ns
MT53E512M32D2FW-046 AIT:D TR Micron Technology Inc. MT53E512M32D2FW-046 AIT：D TR 16.5000
RFQ
 ECAD 8697 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 前回購入します - 557-MT53E512M32D2FW-046AIT：DTR 2,000
MT46H32M32LFB5-5 AAT:B TR Micron Technology Inc. MT46H32M32LFB5-5 AAT：B TR -
RFQ
 ECAD 2000 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 90-VFBGA MT46H32M32 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 90-VFBGA （8x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 200 MHz 揮発性 1gbit 5 ns ドラム 32m x 32 平行 15ns
MT62F2G32D4DS-023 FAAT:B TR Micron Technology Inc. MT62F2G32D4DS-023 FAAT：B TR 63.8550
RFQ
 ECAD 7790 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C 表面マウント 200-WFBGA SDRAM- lpddr5 1.05V 200-WFBGA （10x14.5 - 557-MT62F2G32D4DS-023FAAT：BTR 2,000 2.133 GHz 揮発性 64gbit ドラム 2g x 32 平行 -
MT29F4G08ABADAH4-ITE:D TR Micron Technology Inc. MT29F4G080808ABADAH4-IT：D TR -
RFQ
 ECAD 3309 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 63-VFBGA MT29F4G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 63-VFBGA （9x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 4gbit フラッシュ 512m x 8 平行 -
MT62F1G32D2DS-023 AIT:C TR Micron Technology Inc. MT62F1G32D2DS-023 AIT：C TR 29.0250
RFQ
 ECAD 1537 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜95°C 表面マウント 200-WFBGA SDRAM- lpddr5 1.05V 200-WFBGA （10x14.5 - 557-MT62F1G32D2DS-023AIT：CTR 2,000 3.2 GHz 揮発性 32gbit ドラム 1g x 32 平行 -
MT35XU512ABA1G12-0SIT TR Micron Technology Inc. MT35XU512ABA1G12-0SIT TR 7.5600
RFQ
 ECAD 7889 0.00000000 Micron Technology Inc. Xccela™-MT35X テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 24-tbga mt35xu512 フラッシュ - 1.7V〜2V 24-T-PBGA - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない MT35XU512ABA1G12-0SITTR 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 200 MHz 不揮発性 512mbit フラッシュ 64m x 8 xccelaバス -
MT62F2G32D4DS-023 WT:C Micron Technology Inc. MT62F2G32D4DS-023 WT：c 45.6900
RFQ
 ECAD 1443 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ -25°C〜85°C 表面マウント 200-WFBGA SDRAM- lpddr5 1.05V 200-WFBGA （10x14.5 - 557-MT62F2G32D4DS-023WT：c 1 2.133 GHz 揮発性 64gbit ドラム 2g x 32 平行 -
MT29F512G08EBLEEJ4-T:E TR Micron Technology Inc. MT29F512G08EBLEEJ4-T：E TR 10.7250
RFQ
 ECAD 2298 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜70°C 表面マウント 132-VBGA フラッシュ-Nand （TLC） 2.6V〜3.6V 132-VBGA（12x18） - 557-MT29F512G08EBLEEJ4-T：ETR 2,000 不揮発性 512gbit フラッシュ 64g x 8 平行 -
PC28F256G18FF TR Micron Technology Inc. PC28F256G18FF TR -
RFQ
 ECAD 3985 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash™ テープ＆リール（ tr） 廃止 -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 64-TBGA PC28F256 フラッシュ - 1.7V〜2V 64-easybga ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 133 MHz 不揮発性 256mbit 96 ns フラッシュ 16m x 16 平行 96ns
MT53E1536M32D4DE-046 AAT:B TR Micron Technology Inc. MT53E1536M32D4DE-046 AAT：B TR 47.8950
RFQ
 ECAD 1221 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 200-TFBGA SDRAM -MOBILE LPDDR4X 1.06V〜1.17V 200-TFBGA （10x14.5） - 557-MT53E1536M32D4DE-046AAT：BTR 2,000 2.133 GHz 揮発性 48gbit 3.5 ns ドラム 1.5GX 32 平行 18ns
MT62F768M64D4BG-036 WT:A Micron Technology Inc. MT62F768M64D4BG-036 WT：a -
RFQ
 ECAD 7263 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 廃止 -25°C〜85°C - - SDRAM- lpddr5 - - - 557-MT62F768M64D4BG-036WT：a 廃止 1 2.75 GHz 揮発性 48gbit ドラム 768m x 64 平行 -
EDB4432BBBJ-1D-F-R Micron Technology Inc. EDB4432BBBJ-1D-FR -
RFQ
 ECAD 1543 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 134-wfbga EDB4432 SDRAM-モバイルLPDDR2 1.14V〜1.95V 134-FBGA （10x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 533 MHz 揮発性 4gbit ドラム 128m x 32 平行 -
MT29GZ5A5BPGGA-046AIT.87J Micron Technology Inc. MT29GZ5A5BPGGA-046AIT.87J 9.9000
RFQ
 ECAD 2715 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 箱 アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 149-WFBGA フラッシュnand（ slc ）、 dram -lpddr4 1.06V〜1.17V 149-WFBGA （8x9.5） - 557-MT29GZ5A5BPGGA-046AIT.87J 1 不揮発性、揮発性 4gbit 25 ns フラッシュ、ラム 512m x 8 onfi 30ns
MT62F1G64D4EK-023 WT:C TR Micron Technology Inc. MT62F1G64D4EK-023 WT：C TR 68.0400
RFQ
 ECAD 2148 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -25°C〜85°C 表面マウント 441-TFBGA SDRAM- lpddr5 1.05V 441-TFBGA - 557-MT62F1G64D4EK-023WT：CTR 2,000 2.133 GHz 揮発性 64gbit ドラム 1g x 64 平行 -
MT47H128M8B7-37E L:A Micron Technology Inc. MT47H128M8B7-37E L：a -
RFQ
 ECAD 1309 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ sicで中止されました 0°C〜85°C （TC） 表面マウント 92-TFBGA MT47H128M8 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 92-FBGA （11x19） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 1,000 267 MHz 揮発性 1gbit 400 PS ドラム 128m x 8 平行 15ns
MT29F8T08EWLGEM5-ITF:G TR Micron Technology Inc. MT29F8T08EWLGEM5-ITF：G TR 304.1700
RFQ
 ECAD 5173 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ - 557-MT29F8T08EWLGEM5-ITF：GTR 1,500
MTFC32GAPALGT-S1 AAT Micron Technology Inc. MTFC32GAPALGT-S1 AAT 28.4250
RFQ
 ECAD 1864年年 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 箱 アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 153-WFBGA フラッシュ-nand（slc） 2.7V〜3.6V 153-wfbga（11.5x13 - 557-MTFC32GAPALGT-S1AAT 1 200 MHz 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 EMMC_5.1 -
MT29F2T08EMLEEJ4-QD:E Micron Technology Inc. MT29F2T08EMLEEJ4-QD：e 52.9800
RFQ
 ECAD 8139 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ - 557-MT29F2T08EMLEEJ4-QD：e 1
MT48LC4M16A2P-6A AIT:J Micron Technology Inc. MT48LC4M16A2P-6A AIT：j -
RFQ
 ECAD 5086 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 バルク 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT48LC4M16A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,080 167 MHz 揮発性 64mbit 5.4 ns ドラム 4m x 16 平行 12ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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