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メモリ（10402）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT62F768M64D4BG-036 WT：a | - |  | 7263 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | 廃止 | -25°C〜85°C | - | - | SDRAM- lpddr5 | - | - | - | 557-MT62F768M64D4BG-036WT：a | 廃止 | 1 | 2.75 GHz | 揮発性 | 48gbit | ドラム | 768m x 64 | 平行 | - | |||||||
| EDB4432BBBJ-1D-FR | - | | 1543 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 134-wfbga | EDB4432 | SDRAM-モバイルLPDDR2 | 1.14V〜1.95V | 134-FBGA （10x11.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 533 MHz | 揮発性 | 4gbit | ドラム | 128m x 32 | 平行 | - | |||
| MT29GZ5A5BPGGA-046AIT.87J | 9.9000 | | 2715 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | 箱 | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 149-WFBGA | フラッシュnand（ slc ）、 dram -lpddr4 | 1.06V〜1.17V | 149-WFBGA （8x9.5） | - | 557-MT29GZ5A5BPGGA-046AIT.87J | 1 | 不揮発性、揮発性 | 4gbit | 25 ns | フラッシュ、ラム | 512m x 8 | onfi | 30ns | ||||||||
| mtfc128gavattc-ait tr | 56.1900 | | 3653 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | - | 557-MTFC128GAVATTC-AITTR | 2,000 | |||||||||||||||||||||
| MT62F1G64D4EK-023 WT：C TR | 68.0400 | | 2148 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -25°C〜85°C | 表面マウント | 441-TFBGA | SDRAM- lpddr5 | 1.05V | 441-TFBGA | - | 557-MT62F1G64D4EK-023WT：CTR | 2,000 | 2.133 GHz | 揮発性 | 64gbit | ドラム | 1g x 64 | 平行 | - | ||||||||
 | MT47H128M8B7-37E L：a | - | | 1309 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | sicで中止されました | 0°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 92-TFBGA | MT47H128M8 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 92-FBGA （11x19） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 267 MHz | 揮発性 | 1gbit | 400 PS | ドラム | 128m x 8 | 平行 | 15ns | ||
| MT29F8T08EWLGEM5-ITF：G TR | 304.1700 | | 5173 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | - | 557-MT29F8T08EWLGEM5-ITF：GTR | 1,500 | |||||||||||||||||||||
 | MT53D512M32D2NP-053 WT：D TR | - | | 9809 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -30°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 200-WFBGA | MT53D512 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA （10x14.5 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.866 GHz | 揮発性 | 16gbit | ドラム | 512m x 32 | - | - | |||
| MTFC32GAPALGT-S1 AAT | 28.4250 | | 1864年年 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | 箱 | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 153-WFBGA | フラッシュ-nand（slc） | 2.7V〜3.6V | 153-wfbga（11.5x13 | - | 557-MTFC32GAPALGT-S1AAT | 1 | 200 MHz | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | EMMC_5.1 | - | ||||||||
| MT29F2T08EMLEEJ4-QD：e | 52.9800 | | 8139 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | - | 557-MT29F2T08EMLEEJ4-QD：e | 1 | |||||||||||||||||||||
 | MT48LC4M16A2P-6A AIT：j | - | | 5086 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | MT48LC4M16A2 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,080 | 167 MHz | 揮発性 | 64mbit | 5.4 ns | ドラム | 4m x 16 | 平行 | 12ns | ||
 | MT53E512M64D2NW-046 WT：b | 23.5200 | | 2909 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | アクティブ | 表面マウント | 432-VFBGA | MT53E512 | 432-VFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 557-MT53E512M64D2NW-046WT：b | 1,360 | ||||||||||||||
| MT29F2T08EMLEEJ4-R：e | 42.9300 | | 7238 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | 0°C〜70°C | 表面マウント | 132-VBGA | フラッシュ-Nand （TLC） | 2.6V〜3.6V | 132-VBGA（12x18） | - | 557-MT29F2T08EMLEEJ4-R：e | 1 | 不揮発性 | 2tbit | フラッシュ | 256g x 8 | 平行 | - | |||||||||
 | MT41J128M16JT-093：K Tr | - | | 7015 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 96-TFBGA | MT41J128M16 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-FBGA （8x14） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.066 GHz | 揮発性 | 2Gbit | 20 ns | ドラム | 128m x 16 | 平行 | - | ||
 | MT53E256M32D1KS-046AAT：L TR | 15.0700 | | 9427 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | 表面マウント | 200-VFBGA | 200-VFBGA （10x14.5 | - | 影響を受けていない | 557-MT53E256M32D1KS-046AAT：LTR | 1 | |||||||||||||||||
 | MT29F16G16ADACAH4：c | - | | 6576 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 63-VFBGA | MT29F16G16 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 63-VFBGA （9x11） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3277-MT29F16G16ADACAH4：c | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,260 | 不揮発性 | 16gbit | フラッシュ | 1g x 16 | 平行 | - | |||
| MT29F4T08EULKEM4-ITF：K Tr | 136.1250 | | 4726 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | - | 557-MT29F4T08EULKEM4-ITF：KTR | 2,000 | |||||||||||||||||||||
 | MT25QL02GCBB8E12-0AUT TR | 39.4950 | | 1664 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜125°C（タタ | 表面マウント | 24-tbga | MT25QL02 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 24-T-PBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | MT25QL02GCBB8E12-0AUTTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 133 MHz | 不揮発性 | 2Gbit | フラッシュ | 256m x 8 | spi | 1.8ms | ||
| mtfc64gbcaqtc-it tr | 20.2500 | | 5370 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | - | 557-MTFC64GBCAQTC-ITTR | 2,000 | |||||||||||||||||||||
| MT62F768M64D4BG-031 WT：A TR | - | | 9973 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -25°C〜85°C | - | - | SDRAM- lpddr5 | - | - | - | 557-MT62F768M64D4BG-031WT：ATR | 廃止 | 2,000 | 3.2 GHz | 揮発性 | 48gbit | ドラム | 768m x 64 | 平行 | - | |||||||
| MT53E768M32D2NP-053 RS WT：B TR | 13.9650 | | 1117 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | - | 557-MT53E768M32D2NP-053RSWT：BTR | 2,000 | |||||||||||||||||||||
 | MT53E512M32D1ZW-046BAIT：b | - | | 5708 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | トレイ | アクティブ | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 200-TFBGA | SDRAM -MOBILE LPDDR4X | 1.06V〜1.17V | 200-TFBGA （10x14.5） | - | 557-MT53E512M32D1ZW-046BAIT：b | 1 | 2.133 GHz | 揮発性 | 16gbit | 3.5 ns | ドラム | 512m x 32 | 平行 | 18ns | |||||||
 | MT29F1T08CUCBBH8-6C：b | - | | 1762 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 152-lbga | MT29F1T08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 152-lbga | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 167 MHz | 不揮発性 | 1tbit | フラッシュ | 128g x 8 | 平行 | - | ||||
| MT53E768M32D2FW-046 AUT：C TR | 43.6350 | | 1299 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | - | 557-MT53E768M32D2FW-046AUT：CTR | 2,000 | |||||||||||||||||||||
| MT29F2T08EMLEEJ4-QC：e | 52.9800 | | 2023 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | - | 557-MT29F2T08EMLEEJ4-QC：e | 1 | |||||||||||||||||||||
| mt53b2danh-dc | - | | 9284 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | - | - | SDRAM-モバイルLPDDR4 | - | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,190 | 揮発性 | ドラム | ||||||||||||
| mtfc256gavattc-it | 82.2150 | | 5591 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | - | 557-MTFC256GAVATTC-AIT | 1 | |||||||||||||||||||||
 | PC28F128P30TF65B TR | - | | 9398 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash™ | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 64-TFBGA | PC28F128 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 64-easybga （10x13） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 52 MHz | 不揮発性 | 128mbit | 65 ns | フラッシュ | 8m x 16 | 平行 | 65ns | |||
 | MT29F1T08EELCEJ4-R：c | - | | 2446 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 132-VBGA | MT29F1T08 | フラッシュ-Nand （TLC） | 2.7V〜3.6V | 132-VBGA（12x18） | - | 557-MT29F1T08EELCEJ4-R：c | 廃止 | 8542.32.0071 | 1,120 | 不揮発性 | 1tbit | フラッシュ | 128g x 8 | 平行 | - | ||||||
 | MT29F4G08888ABADAH4-IT：d | - | | 4349 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 63-VFBGA | MT29F4G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 63-VFBGA （9x11） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,260 | 不揮発性 | 4gbit | フラッシュ | 512m x 8 | 平行 | - |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
在庫倉庫
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