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メモリ（10402）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT53E1G64D4SQ-046 AIT：a | - |  | 7019 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | トレイ | 廃止 | -40°C〜95°C（TC） | MT53E1G64 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | MT53E1G64D4SQ-046AIT：a | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,360 | 2.133 GHz | 揮発性 | 64gbit | ドラム | 1g x 64 | - | - | ||||||
 | MT29F8G0808808ABABABAWP-AATX：b | - | | 9712 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | トレイ | 廃止 | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | MT29F8G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 960 | 不揮発性 | 8gbit | フラッシュ | 1g x 8 | 平行 | - | ||||||
 | MT47H64M8CF-187E：g | - | | 9344 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | sicで中止されました | 0°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 60-TFBGA | MT47H64M8 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 60-fbga （8x10） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 1,000 | 533 MHz | 揮発性 | 512mbit | 350 PS | ドラム | 64m x 8 | 平行 | 15ns | ||
 | mt29f2g01aaaedh4：e tr | - | | 4102 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 63-VFBGA | MT29F2G01 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 63-VFBGA （9x11） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 2Gbit | フラッシュ | 2g x 1 | spi | - | ||||
 | MT35XU01GBBA2G12-0AUT | 25.4400 | | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Xccela™-MT35X | トレイ | アクティブ | -40°C〜125°C | 表面マウント | 24-tbga | mt35xu01 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 24-T-PBGA | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,122 | 200 MHz | 不揮発性 | 1gbit | フラッシュ | 128m x 8 | xccelaバス | - | |||
| MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.8D TR | - | | 4499 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | mt29rz4 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 0000.00.0000 | 1,000 | |||||||||||||||||
| M29W640GT70ZA6F TR | - | | 6177 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFBGA | M29W640 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 48-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 不揮発性 | 64mbit | 70 ns | フラッシュ | 8m x 8、4m x 16 | 平行 | 70ns | |||
 | mtfc32gjved-3f wt | - | | 8022 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | トレイ | 廃止 | -25°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 169-VFBGA | mtfc32g | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 169-VFBGA（14x18） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | MMC | - | |||||
| MT53B256M64D2PX-062 XT ES：C TR | - | | 2378 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -30°C〜105°C（TC） | - | - | MT53B256 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | - | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.6 GHz | 揮発性 | 16gbit | ドラム | 256m x 64 | - | - | |||
| mtfc128gapalna-ait | - | | 3129 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | 前回購入します | MTFC128 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 0000.00.0000 | 980 | |||||||||||||||||
| MT62F1G32D2DS-026 WT：C TR | 22.8450 | | 7250 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -25°C〜85°C | 表面マウント | 200-WFBGA | SDRAM- lpddr5 | 1.05V | 200-WFBGA （10x14.5 | - | 557-MT62F1G32D2DS-026WT：CTR | 2,000 | 3.2 GHz | 揮発性 | 32gbit | ドラム | 1g x 32 | 平行 | - | ||||||||
| MT25TL512HBA8E12-0AAT TR | 10.5450 | | 9285 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 24-tbga | MT25TL512 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 24-T-PBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 133 MHz | 不揮発性 | 512mbit | フラッシュ | 64m x 8 | spi | 8ms、2.8ms | |||
| MT29F256G08CBCBBWP-10M：b | - | | 6654 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | MT29F256G08 | フラッシュ-nand （mlc） | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 廃止 | 0000.00.0000 | 960 | 100 MHz | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | 平行 | - | ||||
| MT28EW512ABA1LPN-0SIT TR | - | | 4225 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 56-VFBGA | MT28EW512 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 56-VFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | MT28EW512ABA1LPN-0SITTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 不揮発性 | 512mbit | 95 ns | フラッシュ | 64m x 8、32m x 16 | 平行 | 60ns | |||
| mtfc64gasaqhd-aat tr | 31.2900 | | 5384 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 153-VFBGA | フラッシュ-nand（slc） | 2.7V〜3.6V | 153-VFBGA （11.5x13 | - | 557-MTFC64GASAQHD-AATTR | 2,000 | 200 MHz | 不揮発性 | 512gbit | フラッシュ | 64g x 8 | EMMC_5.1 | - | ||||||||
 | MT48LC2M32B2P-6A：J TR | - | | 4722 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 86-TFSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | MT48LC2M32B2 | SDRAM | 3V〜3.6V | 86-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 2,000 | 167 MHz | 揮発性 | 64mbit | 5.4 ns | ドラム | 2m x 32 | 平行 | 12ns | ||
 | N25Q128A13ESFC0F TR | - | | 7497 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） | N25Q128A13 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 16-sop2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 108 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 32m x 4 | spi | 8ms、5ms | |||
| MT40A512M16LY-062E：E TR | 6.0000 | | 7311 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 96-TFBGA | MT40A512M16 | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 96-FBGA （7.5x13.5） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.6 GHz | 揮発性 | 8gbit | ドラム | 512m x 16 | 平行 | - | |||
| MT29F1G08ABAFAWP-IT：F | - | | 2343 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | MT29F1G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 960 | 不揮発性 | 1gbit | フラッシュ | 128m x 8 | 平行 | - | |||||
 | JS28F512P33TFA | - | | 3084 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | axcell™ | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | JS28F512p33 | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 56-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 576 | 40 MHz | 不揮発性 | 512mbit | 105 ns | フラッシュ | 32m x 16 | 平行 | 105ns | ||
 | MT29F128G08CBCEBJ4-37ITR：E TR | - | | 8106 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 132-VBGA | MT29F128G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 132-VBGA（12x18） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | MT29F128G08CBCEBJ4-37ITR：ETR | 廃止 | 8542.32.0071 | 2,000 | 267 MHz | 不揮発性 | 128GBIT | フラッシュ | 16g x 8 | 平行 | - | |||
| EDBM432B3PD-1D-FD | - | | 5189 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | - | - | EDBM432 | SDRAM-モバイルLPDDR2 | 1.14V〜1.95V | - | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,680 | 533 MHz | 揮発性 | 12gbit | ドラム | 384m x 32 | 平行 | - | ||||
| MT53D384M64D4FL-046 XT：e | - | | 7206 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | -30°C〜105°C（TC） | MT53D384 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | - | 影響を受けていない | 0000.00.0000 | 1,120 | 2.133 GHz | 揮発性 | 24Gbit | ドラム | 384m x 64 | - | - | |||||||||
| MT40A512M8SA-075：F Tr | 8.3250 | | 1123 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 78-TFBGA | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 78-FBGA （7.5x11） | ダウンロード | 557-MT40A512M8SA-075：FTR | 2,000 | 1.333 GHz | 揮発性 | 4gbit | 19 ns | ドラム | 512m x 8 | ポッド | 15ns | |||||||
| MT62F1G64D4EK-026 WT：b | 45.6900 | | 3874 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | - | 表面マウント | 441-TFBGA | SDRAM- lpddr5 | 1.05V | 441-TFBGA | - | 557-MT62F1G64D4EK-026WT：b | 1 | 3.2 GHz | 揮発性 | 64gbit | ドラム | 1g x 64 | 平行 | - | ||||||||
| MT29F1G01AAADDH4：D TR | - | | 2465 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 63-VFBGA | MT29F1G01 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 63-VFBGA （9x11） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 1gbit | フラッシュ | 1g x 1 | spi | - | ||||
| ECB130ABDCN-Y3 | - | | 6511 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | - | 1 （無制限） | ear99 | 8542.32.0032 | 1 | |||||||||||||||||||
 | MT40A1G16KNR-075：E TR | 21.7650 | | 4381 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 78-TFBGA | MT40A1G16 | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 78-FBGA （8x12） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | MT40A1G16KNR-075：ETR | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.33 GHz | 揮発性 | 16gbit | 19 ns | ドラム | 1g x 16 | 平行 | 15ns | |
 | MT48H8M16LFB4-6 IT：k | - | | 5446 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 54-VFBGA | MT48H8M16 | SDRAM- lPSDR | 1.7V〜1.95V | 54-VFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 166 MHz | 揮発性 | 128mbit | 5 ns | ドラム | 8m x 16 | 平行 | 15ns | ||
| MT29F64G08EBAAAB74A3WC1P TR | - | | 6503 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 死ぬ | MT29F64G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 死ぬ | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 64gbit | フラッシュ | 8g x 8 | 平行 | - |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
在庫倉庫
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