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メモリ（10402）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
MT48H8M16LFB4-6 IT:K Micron Technology Inc. MT48H8M16LFB4-6 IT：k -
RFQ
 ECAD 5446 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-VFBGA MT48H8M16 SDRAM- lPSDR 1.7V〜1.95V 54-VFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 166 MHz 揮発性 128mbit 5 ns ドラム 8m x 16 平行 15ns
MT29F64G08EBAAAB74A3WC1P TR Micron Technology Inc. MT29F64G08EBAAAB74A3WC1P TR -
RFQ
 ECAD 6503 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 死ぬ MT29F64G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 死ぬ - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1 不揮発性 64gbit フラッシュ 8g x 8 平行 -
MT62F768M64D4EK-023 FAAT:B TR Micron Technology Inc. MT62F768M64D4EK-023 FAAT：B TR 47.8950
RFQ
 ECAD 2857 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C 表面マウント 441-TFBGA MT62F768 SDRAM- lpddr5 - 441-TFBGA - 557-MT62F768M64D4EK-023FAAT：BTR 1,500 3.2 GHz 揮発性 48gbit ドラム 768m x 64 平行 -
MT29F4G16ABADAH4:D Micron Technology Inc. MT29F4G16ABADAH4：d -
RFQ
 ECAD 5272 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 63-VFBGA MT29F4G16 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 63-VFBGA （9x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 不揮発性 4gbit フラッシュ 256m x 16 平行 -
MT41J256M8DA-107:K TR Micron Technology Inc. MT41J256M8DA-107：K Tr -
RFQ
 ECAD 7895 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-TFBGA MT41J256M8 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-FBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 933 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 256m x 8 平行 -
MT62F1536M32D4DS-023 AUT:B TR Micron Technology Inc. MT62F1536M32D4DS-023 AUT：B TR 55.0800
RFQ
 ECAD 7028 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ - 557-MT62F1536M32D4DS-023AUT：BTR 2,000
MT29C2G24MAAAAKAKD-5 IT Micron Technology Inc. MT29C2G24MAAAAKAKD-5 IT -
RFQ
 ECAD 6997 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 137-TFBGA MT29C2G24 フラッシュ-nand 、モバイルlpdram 1.7V〜1.95V 137-TFBGA（10.5x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 200 MHz 不揮発性、揮発性 2GBIT （NAND）、1GBIT （LPDRAM） フラッシュ、ラム 256m x 8 平行 -
MT49H16M36BM-18 IT:B Micron Technology Inc. MT49H16M36BM-18 IT：b -
RFQ
 ECAD 4853 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 144-TFBGA MT49H16M36 ドラム 1.7V〜1.9V 144-µbga（18.5x11） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 533 MHz 揮発性 576mbit 15 ns ドラム 16m x 36 平行 -
PZ28F064M29EWBB TR Micron Technology Inc. PZ28F064M29EWBB TR -
RFQ
 ECAD 7300 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント - PZ28F064M29 フラッシュ - 2.7V〜3.6V - ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 不揮発性 64mbit 60 ns フラッシュ 8m x 8、4m x 16 平行 60ns
MT35XU01GBBA2G12-0AUT TR Micron Technology Inc. MT35XU01GBBA2G12-0AUT TR 18.8850
RFQ
 ECAD 2042 0.00000000 Micron Technology Inc. Xccela™-MT35X テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C 表面マウント 24-tbga mt35xu01 フラッシュ - 1.7V〜2V 24-T-PBGA - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない MT35XU01GBBA2G12-0AUTTR 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 200 MHz 不揮発性 1gbit フラッシュ 128m x 8 xccelaバス -
MT29RZ4B4DZZHGPL-18 W.80U TR Micron Technology Inc. mt29rz4b4dzzhgpl-18 w.80u tr -
RFQ
 ECAD 7340 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 mt29rz4 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000
MT29F256G08CKEDBJ5-12:D TR Micron Technology Inc. MT29F256G08CKEDBJ5-12：D TR -
RFQ
 ECAD 7377 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント - MT29F256G08 フラッシュ-nand （mlc） 2.7V〜3.6V 132-TBGA（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83 MHz 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 平行 -
MT46V64M8P-5B IT:J TR Micron Technology Inc. MT46V64M8P-5B IT：J TR -
RFQ
 ECAD 7635 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） mt46v64m8 SDRAM -DDR 2.5V〜2.7V 66-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 200 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 64m x 8 平行 15ns
MT53D512M64D4NZ-046 WT ES:E Micron Technology Inc. MT53D512M64D4NZ-046 WT ES：e -
RFQ
 ECAD 9425 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 376-WFBGA MT53D512 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 376-WFBGA（14x14） - 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,190 2.133 GHz 揮発性 32gbit ドラム 512m x 64 - -
MT53D512M32D2DS-046 WT:D TR Micron Technology Inc. MT53D512M32D2DS-046 WT：D TR -
RFQ
 ECAD 9879 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 200-WFBGA MT53D512 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） MT53D512M32D2DS-046WT：DTR ear99 8542.32.0036 2,000 2.133 GHz 揮発性 16gbit ドラム 512m x 32 - -
MT47H1G4WTR-25E:C Micron Technology Inc. MT47H1G4WTR-25E：c -
RFQ
 ECAD 1912年年 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 0°C〜85°C （TC） 表面マウント 63-FBGA MT47H1G4 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 63-FBGA （9x11.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,320 400 MHz 揮発性 4gbit 400 PS ドラム 1g x 4 平行 15ns
M25P16-VMW6TG TR Micron Technology Inc. M25P16-VMW6TG TR -
RFQ
 ECAD 4182 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） M25P16 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-SO w ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 1,500 75 MHz 不揮発性 16mbit フラッシュ 2m x 8 spi 15ms、5ms
N25Q064A13EF640FN03 TR Micron Technology Inc. N25Q064A13EF640FN03 TR -
RFQ
 ECAD 4271 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-vdfn露出パッド N25Q064A13 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-VDFPN - ROHS3準拠 1 （無制限） 廃止 0000.00.0000 4,000 108 MHz 不揮発性 64mbit フラッシュ 16m x 4 spi 8ms、5ms
MT44K16M36RB-093E IT:A TR Micron Technology Inc. MT44K16M36RB-093E IT：A TR -
RFQ
 ECAD 1067 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 168-TBGA MT44K16M36 ドラム 1.28V〜1.42V 168-BGA（13.5x13.5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 1.066 GHz 揮発性 576mbit 8 ns ドラム 16m x 36 平行 -
MT53D256M16D1NY-046 XT ES:B TR Micron Technology Inc. MT53D256M16D1NY-046 XT ES：B TR -
RFQ
 ECAD 8212 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -30°C〜105°C（TC） MT53D256 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 2.133 GHz 揮発性 16gbit ドラム 256m x 64 - -
MT29VZZZ7D7DQKWL-053 W.97Y TR Micron Technology Inc. MT29VZZZ7D7DQKWL-053 W.97Y TR -
RFQ
 ECAD 6798 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント mt29vzzz7 - 1 （無制限） 廃止 0000.00.0000 1,000
N25Q064A11E12A0F TR Micron Technology Inc. N25Q064A11E12A0F TR -
RFQ
 ECAD 7574 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 24-tbga N25Q064A11 フラッシュ - 1.7V〜2V 24-T-PBGA - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 108 MHz 不揮発性 64mbit フラッシュ 16m x 4 spi 8ms、5ms
MT53D512M32D2DS-053 AAT ES:D TR Micron Technology Inc. MT53D512M32D2DS-053 AAT ES：D TR -
RFQ
 ECAD 2297 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 200-WFBGA MT53D512 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 1.866 GHz 揮発性 16gbit ドラム 512m x 32 - -
MT62F1536M32D4DS-026 WT ES:B Micron Technology Inc. MT62F1536M32D4DS-026 WT ES：b 51.0300
RFQ
 ECAD 8615 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ - 557-MT62F1536M32D4DS-026WTES：b 1
MT25QL256BBB1EW7-CSIT Micron Technology Inc. MT25QL256BBB1EW7-CSIT 5.6550
RFQ
 ECAD 6525 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-wpdfn ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない -791-MT25QL256BBB1EW7-CSIT 2,940 133 MHz 不揮発性 128mbit 5 ns フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o 1.8ms
MT49H32M9FM-25:B Micron Technology Inc. MT49H32M9FM-25：b -
RFQ
 ECAD 1210 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ sicで中止されました 0°C〜95°C （TC 表面マウント 144-TFBGA MT49H32M9 ドラム 1.7V〜1.9V 144-µbga（18.5x11） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0028 1,000 400 MHz 揮発性 288mbit 20 ns ドラム 32m x 9 平行 -
JS28F640P33B85A Micron Technology Inc. JS28F640P33B85A -
RFQ
 ECAD 7566 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） JS28F640p33 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 56-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 576 40 MHz 不揮発性 64mbit 85 ns フラッシュ 4m x 16 平行 85ns
MT53B128M32D1NP-062 AUT:A Micron Technology Inc. MT53B128M32D1NP-062 AUT：a -
RFQ
 ECAD 5229 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ 廃止 -40°C〜125°C 表面マウント 200-WFBGA MT53B128 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,360 1.6 GHz 揮発性 4gbit ドラム 128m x 32 - -
MTFC32GASAONS-IT Micron Technology Inc. mtfc32gasaons-it 28.0200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ トレイ アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 153-TFBGA mtfc32g フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 153-TFBGA （11.5x13 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,520 52 MHz 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 MMC -
MT46V64M4P-5B:M Micron Technology Inc. mt46v64m4p-5b：m -
RFQ
 ECAD 2005年 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） mt46v64m4 SDRAM -DDR 2.5V〜2.7V 66-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0028 1,000 200 MHz 揮発性 256mbit 700 ps ドラム 64m x 4 平行 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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