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メモリ（10402）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT29C2G24MAAAAKAKD-5 IT | - |  | 6997 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 137-TFBGA | MT29C2G24 | フラッシュ-nand 、モバイルlpdram | 1.7V〜1.95V | 137-TFBGA（10.5x13） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 200 MHz | 不揮発性、揮発性 | 2GBIT （NAND）、1GBIT （LPDRAM） | フラッシュ、ラム | 256m x 8 | 平行 | - | |||
| MT62F1536M32D4DS-023 AUT：B TR | 55.0800 | | 7028 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | - | 557-MT62F1536M32D4DS-023AUT：BTR | 2,000 | |||||||||||||||||||||
| MT47H1G4WTR-25E：c | - | | 1912年年 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | 0°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 63-FBGA | MT47H1G4 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 63-FBGA （9x11.5 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,320 | 400 MHz | 揮発性 | 4gbit | 400 PS | ドラム | 1g x 4 | 平行 | 15ns | ||
| MT49H16M36BM-18 IT：b | - | | 4853 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 144-TFBGA | MT49H16M36 | ドラム | 1.7V〜1.9V | 144-µbga（18.5x11） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 533 MHz | 揮発性 | 576mbit | 15 ns | ドラム | 16m x 36 | 平行 | - | ||
| MT29F64G08EBAAAB74A3WC1P TR | - | | 6503 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 死ぬ | MT29F64G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 死ぬ | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 64gbit | フラッシュ | 8g x 8 | 平行 | - | |||||
| PZ28F064M29EWBB TR | - | | 7300 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | - | PZ28F064M29 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | - | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 不揮発性 | 64mbit | 60 ns | フラッシュ | 8m x 8、4m x 16 | 平行 | 60ns | ||||
 | MT29F4G16ABADAH4：d | - | | 5272 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 63-VFBGA | MT29F4G16 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 63-VFBGA （9x11） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,260 | 不揮発性 | 4gbit | フラッシュ | 256m x 16 | 平行 | - | ||||
| MT46V64M8P-5B IT：J TR | - | | 7635 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | mt46v64m8 | SDRAM -DDR | 2.5V〜2.7V | 66-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 200 MHz | 揮発性 | 512mbit | 700 ps | ドラム | 64m x 8 | 平行 | 15ns | ||
 | MT48H8M16LFB4-6 IT：k | - | | 5446 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 54-VFBGA | MT48H8M16 | SDRAM- lPSDR | 1.7V〜1.95V | 54-VFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 166 MHz | 揮発性 | 128mbit | 5 ns | ドラム | 8m x 16 | 平行 | 15ns | ||
 | MT35XU01GBBA2G12-0AUT TR | 18.8850 | | 2042 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Xccela™-MT35X | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜125°C | 表面マウント | 24-tbga | mt35xu01 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 24-T-PBGA | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | MT35XU01GBBA2G12-0AUTTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 200 MHz | 不揮発性 | 1gbit | フラッシュ | 128m x 8 | xccelaバス | - | ||
| mt29rz4b4dzzhgpl-18 w.80u tr | - | | 7340 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | mt29rz4 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | |||||||||||||||||
| MT62F768M64D4EK-023 FAAT：B TR | 47.8950 | | 2857 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C | 表面マウント | 441-TFBGA | MT62F768 | SDRAM- lpddr5 | - | 441-TFBGA | - | 557-MT62F768M64D4EK-023FAAT：BTR | 1,500 | 3.2 GHz | 揮発性 | 48gbit | ドラム | 768m x 64 | 平行 | - | |||||||
 | MT44K16M36RB-093E IT：A TR | - | | 1067 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 168-TBGA | MT44K16M36 | ドラム | 1.28V〜1.42V | 168-BGA（13.5x13.5） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 1.066 GHz | 揮発性 | 576mbit | 8 ns | ドラム | 16m x 36 | 平行 | - | ||
 | mtfc4gludm-ait | - | | 4664 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 169-TFBGA | mtfc4 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 169-TFBGA | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 32gbit | フラッシュ | 4g x 8 | MMC | - | |||||
| MT41DCHA-V80A：e | - | | 5747 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | mt41dcha | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | |||||||||||||||||
| MT62F3G32D8DV-026 WT：B TR | 67.8450 | | 4600 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -25°C〜85°C | - | - | SDRAM- lpddr5 | - | - | - | 557-MT62F3G32D8DV-026WT：BTR | 2,000 | 3.2 GHz | 揮発性 | 96gbit | ドラム | 3g x 32 | 平行 | - | ||||||||
 | MT53B128M32D1DS-062 IT：a | - | | 2849 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 200-WFBGA | MT53B128 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA （10x14.5 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | MT53B128M32D1DS-062IT：a | ear99 | 8542.32.0036 | 1 | 1.6 GHz | 揮発性 | 4gbit | ドラム | 128m x 32 | - | - | |||
| MT53E2G64D8TN-046 AIT：C TR | 109.4700 | | 8271 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 556-LFBGA | SDRAM -MOBILE LPDDR4X | 1.06V〜1.17V | 556-LFBGA（12.4x12.4 | ダウンロード | 557-MT53E2G64D8TN-046AIT：CTR | 2,000 | 2.133 GHz | 揮発性 | 128GBIT | 3.5 ns | ドラム | 2g x 64 | 平行 | 18ns | |||||||
 | MT53D1024M32D4NQ-062 WT ES：D | - | | 6551 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 200-VFBGA | MT53D1024 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 200-VFBGA （10x14.5 | - | 1 （無制限） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,360 | 1.6 GHz | 揮発性 | 32gbit | ドラム | 1g x 32 | - | - | |||||
| MT62F2G32D4DS-023 WT ES：b | 45.6900 | | 7000 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | -25°C〜85°C | 表面マウント | 200-WFBGA | SDRAM- lpddr5 | 1.05V | 200-WFBGA （10x14.5 | - | 557-MT62F2G32D4DS-023WTES：b | 1 | 2.133 GHz | 揮発性 | 64gbit | ドラム | 2g x 32 | 平行 | - | ||||||||
| N25Q008A11EF640E | - | | 7264 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | N25Q008A11 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 490 | 108 MHz | 不揮発性 | 8mbit | フラッシュ | 1m x 8 | spi | 8ms、5ms | ||||||
| EDFA232A2PB-GD-FD | - | | 5773 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | 表面マウント | - | EDFA232 | SDRAM- lpddr3 | 1.14V〜1.95V | 216-FBGA（12x12） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,680 | 800 MHz | 揮発性 | 16gbit | ドラム | 512m x 32 | 平行 | - | ||||
 | MT29F256G08CKCBBH2-10：b | - | | 5586 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 100-TBGA | MT29F256G08 | フラッシュ-nand （mlc） | 2.7V〜3.6V | 100-TBGA（12x18） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 100 MHz | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | 平行 | - | ||||
 | mtfc16gapalbh-it es tr | - | | 3746 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 153-TFBGA | MTFC16 | フラッシュ -ナンド | 1.7V〜1.9V | 153-TFBGA （11.5x13 | - | 1 （無制限） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 128GBIT | フラッシュ | 16g x 8 | MMC | - | ||||||
| mt29c4g96mayapcja-5 it | - | | 9508 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 137-TFBGA | MT29C4G96 | フラッシュ-nand 、モバイルlpdram | 1.7V〜1.95V | 137-TFBGA（10.5x13） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 200 MHz | 不揮発性、揮発性 | 4gbit（nand | フラッシュ、ラム | 512M x 8 | 平行 | - | ||||
| M36L0R7060U3ZSE | - | | 6370 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | M36L0R7060 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,304 | |||||||||||||||||
| MT62F1G32DS-023 AUT：C Tr | 36.7350 | | 6064 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜125°C | 表面マウント | 200-WFBGA | SDRAM- lpddr5 | 1.05V | 200-WFBGA （10x14.5 | - | 557-MT62F1G32D2DS-023AUT：CTR | 2,000 | 3.2 GHz | 揮発性 | 32gbit | ドラム | 1g x 32 | 平行 | - | ||||||||
| MT62F768M64D4EK-023 WT：b | 34.2750 | | 2824 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | - | 表面マウント | 441-TFBGA | MT62F768 | SDRAM- lpddr5 | - | 441-TFBGA | - | 557-MT62F768M64D4EK-023WT：b | 1 | 4.266 GHz | 揮発性 | 48gbit | ドラム | 768m x 64 | 平行 | - | |||||||
| MT47H64M16U88BWC1 | - | | 3667 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | - | MT47H64M16 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | - | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 1 | 揮発性 | 1gbit | ドラム | 64m x 16 | 平行 | ||||||||||
 | MT40A1G8AG-062EAAT：R Tr | - | | 4189 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | - | 影響を受けていない | 557-MT40A1G8AG-062EAAT：RTR | 1 |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
在庫倉庫
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