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メモリ（10402）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ | sicプログラム可能 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT29VZZZCD9GQKPR-046 W.12L TR | 81.4800 |  | 9100 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | - | 557-MT29VZZZCD9GQKPR-046W.12LTR | 2,000 | ||||||||||||||||||||||
| MTFC64GBCAQTC-IT | 29.0800 | | 8935 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | アクティブ | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 557-MTFC64GBCAQTC-IT | 1,520 | ||||||||||||||||||||
 | MT41J128M16JT-107：k | - | | 5378 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 96-TFBGA | MT41J128M16 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-FBGA （8x14） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,368 | 933 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 20 ns | ドラム | 128m x 16 | 平行 | - | |||
 | M28W640HCT70N6F TR | - | | 9482 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | カットテープ（CT） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | M28W640 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 48-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,500 | 不揮発性 | 64mbit | 70 ns | フラッシュ | 4m x 16 | 平行 | 70ns | ||||
| MT29F1T08EELGEJ4-ITF：G TR | 38.2050 | | 8140 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | - | 557-MT29F1T08EELGEJ4-ITF：GTR | 2,000 | ||||||||||||||||||||||
 | MT53E2G32D4NQ-046 WT：a | - | | 4253 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 200-VFBGA | MT53E2G32 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 200-VFBGA （10x14.5 | - | ROHS3準拠 | 557-MT53E2G32D4NQ-046WT：a | 廃止 | 136 | 2.133 GHz | 揮発性 | 64gbit | ドラム | 2g x 32 | - | - | ||||||
| MT53E1536M64D8HJ-046 AIT：C Tr | 82.1100 | | 8948 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | - | 557-MT53E1536M64D8HJ-046AIT：CTR | 2,000 | ||||||||||||||||||||||
 | MT53E256M16D1DS-046 AIT：B TR | - | | 2832 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜95°C（TC） | MT53E256 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | MT53E256M16D1DS-046AIT：BTR | 廃止 | 2,000 | 2.133 GHz | 揮発性 | 4gbit | ドラム | 256m x 16 | - | - | ||||||||
 | MT58L256L36PS-6 | 5.1400 | | 81 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst™ | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 100-lqfp | sram-標準 | 3.135V〜3.6V | 100-TQFP（14x20.1 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 未定義のベンダー | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 166 MHz | 揮発性 | 8mbit | 3.5 ns | sram | 256k x 36 | 平行 | - | ||||
 | N25Q128A21BF840F TR | - | | 1889 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-vdfn露出パッド | N25Q128A21 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 8-VDFPN | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4,000 | 108 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 16m x 8 | spi | 8ms、5ms | ||||
| mt53b4daez-dc tr | - | | 5119 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | - | - | mt53b4 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | - | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,000 | 揮発性 | ドラム | ||||||||||||
 | MT46H8M16LFBF-6：k | - | | 9917 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 60-VFBGA | MT46H8M16 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 60-VFBGA （8x9） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 166 MHz | 揮発性 | 128mbit | 5 ns | ドラム | 8m x 16 | 平行 | 15ns | |||
| MT53E768M64D4HJ-046AAT：b | 47.8950 | | 5745 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | 箱 | アクティブ | -40°C〜105°C （TC） | 表面マウント | 556-TFBGA | SDRAM -MOBILE LPDDR4X | 1.06V〜1.17V | 556-WFBGA（12.4x12.4 | - | 557-MT53E768M64D4HJ-046AAT：b | 1 | 2.133 GHz | 揮発性 | 48gbit | 3.5 ns | ドラム | 768m x 64 | 平行 | 18ns | ||||||||
| MT42L64M32D1TK-18それ：C Tr | - | | 4742 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -25°C〜85°C（TC） | 表面マウント | 134-wfbga | MT42L64M32 | SDRAM-モバイルLPDDR2 | 1.14V〜1.3V | 134-FBGA （10x11.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,000 | 533 MHz | 揮発性 | 2Gbit | ドラム | 64m x 32 | 平行 | - | |||||
 | M29W640GB70ZA6EP | - | | 6312 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFBGA | M29W640 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 48-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | -M29W640GB70ZA6EP | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 187 | 不揮発性 | 64mbit | 70 ns | フラッシュ | 8m x 8、4m x 16 | 平行 | 70ns | |||
 | MT40A4G4SA-062E：F | 22.8900 | | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | アクティブ | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 78-TFBGA | MT40A4G4 | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 78-FBGA （7.5x11） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 557-MT40A4G4SA-062E：F | ear99 | 8542.32.0036 | 1,260 | 1.5 GHz | 揮発性 | 16gbit | 19 ns | ドラム | 4g x 4 | 平行 | 15ns | ||
 | MT29F128G08AECBBH6-6IT：B Tr | - | | 1060 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 152-VBGA | MT29F128G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 152-VBGA（14x18） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 167 MHz | 不揮発性 | 128GBIT | フラッシュ | 16g x 8 | 平行 | - | ||||
| MT53E128M16D1DS-053 IT：a | - | | 4999 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 200-WFBGA | MT53E128 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.06V〜1.17V | 200-WFBGA （10x14.5 | - | 3 （168 時間） | 557-MT53E128M16D1DS-053IT：a | 廃止 | 1,360 | 1.866 GHz | 揮発性 | 2Gbit | ドラム | 128m x 16 | 平行 | - | ||||||
 | MT25QU256ABA8E12-MAAT TR | 5.4450 | | 9830 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 24-tbga | フラッシュ - （slc） | 1.7V〜2V | 24-T-PBGA | - | 557-MT25QU256ABA8E12-MAATTR | 2,000 | 166 MHz | 不揮発性 | 256mbit | 5 ns | フラッシュ | 32m x 8 | spi -quad i/o | 1.8ms | ||||||||
| MT62F4G32D8DV-026AAT：B TR | 126.4350 | | 7742 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C | - | - | SDRAM- lpddr5 | - | - | - | 557-MT62F4G32D8DV-026AAT：BTR | 2,000 | 3.2 GHz | 揮発性 | 128GBIT | ドラム | 4g x 32 | 平行 | - | |||||||||
| MT35XU256ABA1G12-0AAT | - | | 1604 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Xccela™-MT35X | バルク | アクティブ | -40°C〜105°C | 表面マウント | 24-tbga | mt35xu256 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 24-T-PBGA | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,122 | 200 MHz | 不揮発性 | 256mbit | フラッシュ | 32m x 8 | xccelaバス | - | ||||
| mtfc16gapalna-aat | - | | 4238 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | sicで中止されました | MTFC16 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 0000.00.0000 | 980 | ||||||||||||||||||
 | MT46H64M16LFBF-5 IT：b | 7.8100 | | 4 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 60-VFBGA | MT46H64M16 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 60-VFBGA （8x9） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 1,782 | 200 MHz | 揮発性 | 1gbit | 5 ns | ドラム | 64m x 16 | 平行 | 15ns | |||
 | MT48H16M32LFCM-75：TR | - | | 8728 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 90-VFBGA | MT48H16M32 | SDRAM- lPSDR | 1.7V〜1.95V | 90-VFBGA （10x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 133 MHz | 揮発性 | 512mbit | 5.4 ns | ドラム | 16m x 32 | 平行 | 15ns | |||
| MT41K256M8DA-125 AAT：K Tr | 5.7000 | | 9773 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | 前回購入します | -40°C〜105°C （TC） | 表面マウント | 78-TFBGA | MT41K256M8 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-FBGA （8x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | MT41K256M8DA-125AAT：KTR | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 800 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 13.75 ns | ドラム | 256m x 8 | 平行 | 15ns | ||
| MT53E2G32D4DE-046 WT：C TR | 42.4500 | | 4219 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -25°C〜85°C（TC） | 表面マウント | 200-TFBGA | SDRAM -MOBILE LPDDR4X | 1.06V〜1.17V | 200-TFBGA （10x14.5） | ダウンロード | 557-MT53E2G32D4DE-046WT：CTR | 2,000 | 2.133 GHz | 揮発性 | 64gbit | 3.5 ns | ドラム | 2g x 32 | 平行 | 18ns | ||||||||
 | MT41K256M8DA-125：M | - | | 3506 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 78-TFBGA | MT41K256M8 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-FBGA （8x10.5 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 800 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 13.75 ns | ドラム | 256m x 8 | 平行 | - | ||||
 | MT46H64M32LFBQ-48 WT：C TR | 12.7300 | | 6626 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -25°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 90-VFBGA | MT46H64M32 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 90-VFBGA （8x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 208 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 5 ns | ドラム | 64m x 32 | 平行 | 14.4ns | |||
 | MT53E1G32D2FW-046 IT：b | 28.7250 | | 2178 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 200-TFBGA | SDRAM -MOBILE LPDDR4X | 1.06V〜1.17V | 200-TFBGA （10x14.5） | - | 557-MT53E1G32D2FW-046IT：b | 1 | 2.133 GHz | 揮発性 | 32gbit | 3.5 ns | ドラム | 1g x 32 | 平行 | 18ns | ||||||||
| MT29VZZZAD8FQFSL-046 W.G8K TR | - | | 3937 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | mt29vzzzad8 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 557-MT29VZZZAD8FQFSL-046W.G8KTR | 廃止 | 2,000 | 確認されていません |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
在庫倉庫
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