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メモリ（10402）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ | sicプログラム可能 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT29F8G16ABBCAM71M3WC1 | - |  | 9791 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 死ぬ | MT29F8G16 | フラッシュ -ナンド | 1.7V〜1.95V | 死ぬ | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1 | 不揮発性 | 8gbit | フラッシュ | 512m x 16 | 平行 | - | ||||||
| MT53E2G32D4DE-046 AIT：a | 57.3900 | | 8020 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | 箱 | アクティブ | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 200-TFBGA | SDRAM -MOBILE LPDDR4X | 1.06V〜1.17V | 200-TFBGA （10x14.5） | ダウンロード | 557-MT53E2G32D4DE-046AIT：a | 1 | 2.133 GHz | 揮発性 | 64gbit | 3.5 ns | ドラム | 2g x 32 | 平行 | 18ns | ||||||||
 | PC48F4400P0VB0EE | - | | 6073 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | axcell™ | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（TC） | 表面マウント | 64-lbga | PC48F4400 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 64-easybga （10x13） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 136 | 52 MHz | 不揮発性 | 512mbit | 100 ns | フラッシュ | 32m x 16 | 平行 | 100ns | |||
 | mtfc4gacaana-4m it tr | - | | 6461 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 100-TBGA | mtfc4 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 100-TBGA | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | mtfc4gacaana-4mittr | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 32gbit | フラッシュ | 4g x 8 | MMC | - | |||||
 | MT29RZ1CVCZZHGTN-25 W.4M0 | - | | 3228 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 表面マウント | 121-WFBGA | 121-VFBGA （8x7.5 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | |||||||||||||||
| M29F800DT70M6 | - | | 2002年年 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 44-SOIC （0.525 "、13.34mm 幅） | M29F800 | フラッシュ - | 4.5v〜5.5V | 44-SO | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 16 | 不揮発性 | 8mbit | 70 ns | フラッシュ | 1M x 8、512K x 16 | 平行 | 70ns | ||||
| MT62F1G64D4EK-023 AAT：b | 63.8550 | | 9398 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | 箱 | アクティブ | - | 表面マウント | 441-TFBGA | SDRAM- lpddr5 | 1.05V | 441-TFBGA | - | 557-MT62F1G64D4EK-023AAT：b | 1 | 4.266 GHz | 揮発性 | 64gbit | ドラム | 1g x 64 | 平行 | - | |||||||||
| MT62F1536M32D4DS-026 AAT：b | 47.8950 | | 7123 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | 箱 | アクティブ | - | 表面マウント | 200-WFBGA | SDRAM- lpddr5 | - | 200-WFBGA （10x14.5 | - | 557-MT62F1536M32D4DS-026AAT：b | 1 | 3.2 GHz | 揮発性 | 48gbit | ドラム | 1.5GX 32 | 平行 | - | |||||||||
 | MT53E512M32D2NP-046 WT：e | - | | 7968 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 200-WFBGA | MT53E512 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA （10x14.5 | - | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,360 | 2.133 GHz | 揮発性 | 16gbit | ドラム | 512m x 32 | - | - | |||||||
 | MT53E768M32D4DT-046 AIT：e | - | | 7210 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | トレイ | 廃止 | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 200-VFBGA | MT53E768 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 200-VFBGA （10x14.5 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | MT53E768M32D4DT-046AIT：e | ear99 | 8542.32.0036 | 1,360 | 2.133 GHz | 揮発性 | 24Gbit | ドラム | 768m x 32 | - | - | ||||
 | M29F800FB5AN6F2 | 2.8000 | | 3 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | M29F800 | フラッシュ - | 4.5v〜5.5V | 48-tsop | ダウンロード | 未定義のベンダー | 未定義のベンダー | 3277-M29F800FB5AN6F2TR | ear99 | 8542.32.0071 | 1,500 | 不揮発性 | 8mbit | 55 ns | フラッシュ | 1M x 8、512K x 16 | 平行 | 55ns | ||||
 | MT41J128M16JT-125：k | - | | 2288 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | アクティブ | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 96-TFBGA | MT41J128M16 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-FBGA （8x14） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,368 | 800 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 13.75 ns | ドラム | 128m x 16 | 平行 | - | |||
 | M29W320DT70ZE6F TR | - | | 6689 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFBGA | M29W320 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 48-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 不揮発性 | 32mbit | 70 ns | フラッシュ | 4m x 8、2m x 16 | 平行 | 70ns | ||||
| mt53b4daank-dc | - | | 7697 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 表面マウント | 366-WFBGA | mt53b4 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 366-WFBGA （15x15） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,190 | 揮発性 | ドラム | |||||||||||
| MT40A2G8AG-062E AUT：F TR | 22.8450 | | 6573 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜125°C | - | - | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | - | - | 557-MT40A2G8AG-062EAUT：FTR | 2,000 | 1.6 GHz | 揮発性 | 16gbit | 19 ns | ドラム | 2g x 8 | 平行 | 15ns | ||||||||
| MT53E768M32D2FW-046 WT：C TR | 24.0600 | | 2692 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | - | ROHS3準拠 | 557-MT53E768M32D2FW-046WT：CTR | 2,000 | |||||||||||||||||||||
 | MT41K256M16TW-107 AUT：P Tr | 8.4000 | | 1632 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜125°C | 表面マウント | 96-TFBGA | MT41K256M16 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-FBGA （9x14） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 933 MHz | 揮発性 | 4gbit | 20 ns | ドラム | 256m x 16 | 平行 | - | |||
 | MT53B1024M32D4NQ-053 WT：C TR | - | | 6762 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 200-VFBGA | MT53B1024 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 200-VFBGA （10x14.5 | - | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.866 GHz | 揮発性 | 32gbit | ドラム | 1g x 32 | - | - | |||||
| MT28F320J3BS-11GMET | 2.0000 | | 4 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-FBGA （10x13） | - | 3277-MT28F320J3BS-11GMET | ear99 | 8542.32.0071 | 500 | 不揮発性 | 32mbit | 110 ns | フラッシュ | 4m x 8、2m x 16 | 平行 | 確認されていません | ||||||||
| MT62F1G64D8EK-031 WT：B TR | 46.6200 | | 6757 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -25°C〜85°C | 表面マウント | 441-TFBGA | SDRAM- lpddr5 | 1.05V | 441-TFBGA | - | 557-MT62F1G64D8EK-031WT：BTR | 1,500 | 3.2 GHz | 揮発性 | 64gbit | ドラム | 1g x 64 | 平行 | - | |||||||||
 | MT29F1G16ABBDAH4-IT：D TR | - | | 1273 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 63-VFBGA | MT29F1G16 | フラッシュ -ナンド | 1.7V〜1.95V | 63-VFBGA （9x11） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 1gbit | フラッシュ | 64m x 16 | 平行 | - | |||||
 | N25Q032A13ESF40G | - | | 1552 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） | N25Q032A13 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 16-sop2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,225 | 108 MHz | 不揮発性 | 32mbit | フラッシュ | 8m x 4 | spi | 8ms、5ms | ||||
| MT53E512M32D2NP-053 RS WT：H | 8.4000 | | 6065 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | - | 557-MT53E512M32D2NP-053RSWT：h | 1 | ||||||||||||||||||||||
 | MT53E256M32DS-053 AUT：B TR | 17.8200 | | 4577 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | 前回購入します | -40°C〜125°C | 表面マウント | 200-WFBGA | MT53E256 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA （10x14.5 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | MT53E256M32D2DS-053AUT：BTR | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.866 GHz | 揮発性 | 8gbit | ドラム | 256m x 32 | - | - | |||
 | MT29F512G08CKCABH7-6：a | - | | 1273 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 152-TBGA | MT29F512G08 | フラッシュ-nand （mlc） | 2.7V〜3.6V | 152-TBGA | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 166 MHz | 不揮発性 | 512gbit | フラッシュ | 64g x 8 | 平行 | - | ||||
| mt29c4g48mazamakc-5 it | - | | 8688 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 107-TFBGA | MT29C4G48 | フラッシュ-nand 、モバイルlpdram | 1.7V〜1.95V | 107-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 200 MHz | 不揮発性、揮発性 | 4gbit（nand | フラッシュ、ラム | 256m x 16 | 平行 | - | |||||
| MT29F2G16ABBGAH4-AAT：g | 2.7962 | | 5716 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 63-VFBGA | MT29F2G16 | フラッシュ-nand（slc） | 1.7V〜1.95V | 63-VFBGA （9x11） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 557-MT29F2G16ABBGAH4-AAT：g | 1,260 | 不揮発性 | 2Gbit | フラッシュ | 128m x 16 | 平行 | - | ||||||
| MT29F256G08CBHBBL06B3WC1-R | - | | 5433 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 死ぬ | MT29F256G08 | フラッシュ-nand （mlc） | 2.5V〜3.6V | 死ぬ | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | 平行 | - | |||||
 | MT41K128M16JT-125 M：k | - | | 3979 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 96-TFBGA | MT41K128M16 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-FBGA （8x14） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 800 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 13.75 ns | ドラム | 128m x 16 | 平行 | - | ||||
 | MT48LC4M16A2P-6A AAT：J TR | - | | 8169 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | MT48LC4M16A2 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 167 MHz | 揮発性 | 64mbit | 5.4 ns | ドラム | 4m x 16 | 平行 | 12ns |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
在庫倉庫
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