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メモリ（10402）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT29F768G08EEHBBJ4-3R：b | - |  | 9583 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 132-VBGA | MT29F768G08 | フラッシュ -ナンド | 2.5V〜3.6V | 132-VBGA（12x18） | - | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,120 | 333 MHz | 不揮発性 | 768GBIT | フラッシュ | 96g x 8 | 平行 | - | |||||
 | MT62F1536M32D4DS-023 IT：b | 37.6950 | | 8394 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | - | 表面マウント | 200-WFBGA | SDRAM- lpddr5 | - | 200-WFBGA （10x14.5 | - | 557-MT62F1536M32D4DS-023IT：b | 1 | 4.266 GHz | 揮発性 | 48gbit | ドラム | 1.5GX 32 | 平行 | - | ||||||||
 | N25W064A11EF640F TR | - | | 5548 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -25°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-vdfn露出パッド | N25W064 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 8-VDFPN | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4,000 | 108 MHz | 不揮発性 | 64mbit | フラッシュ | 16m x 4 | spi | - | ||||
| mt29c4g48mazamakc-5 it | - | | 8688 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 107-TFBGA | MT29C4G48 | フラッシュ-nand 、モバイルlpdram | 1.7V〜1.95V | 107-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 200 MHz | 不揮発性、揮発性 | 4gbit（nand | フラッシュ、ラム | 256m x 16 | 平行 | - | ||||
 | MT29F2G16ABBGAH4-AAT：g | 2.7962 | | 5716 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 63-VFBGA | MT29F2G16 | フラッシュ-nand（slc） | 1.7V〜1.95V | 63-VFBGA （9x11） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 557-MT29F2G16ABBGAH4-AAT：g | 1,260 | 不揮発性 | 2Gbit | フラッシュ | 128m x 16 | 平行 | - | |||||
| MT29F8T08GULCEM4-QJ：c | 156.3000 | | 1535 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | - | 557-MT29F8T08GULCEM4-QJ：c | 1 | |||||||||||||||||||||
| MT29F1HT08EMHBBJ4-3R：B TR | - | | 5703 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 132-VBGA | MT29F1HT08 | フラッシュ -ナンド | 2.5V〜3.6V | 132-VBGA（12x18） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 333 MHz | 不揮発性 | 1.5tbit | フラッシュ | 192g x 8 | 平行 | - | |||
 | MT47H128M8CF-3 AIT：h | - | | 9338 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | トレイ | 廃止 | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 60-TFBGA | MT47H128M8 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 60-fbga （8x10） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 333 MHz | 揮発性 | 1gbit | 450 PS | ドラム | 128m x 8 | 平行 | 15ns | ||
| MT42L256M32D4KP-3それ：a | - | | 1322 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | -25°C〜85°C（TC） | 表面マウント | 168-VFBGA | MT42L256M32 | SDRAM-モバイルLPDDR2 | 1.14V〜1.3V | 168-FBGA（12x12） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 333 MHz | 揮発性 | 8gbit | ドラム | 256m x 32 | 平行 | - | ||||
 | MT41J256M8DA-093：k | - | | 7356 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 78-TFBGA | MT41J256M8 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 78-FBGA （8x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,440 | 1.066 GHz | 揮発性 | 2Gbit | 20 ns | ドラム | 256m x 8 | 平行 | - | ||
| MT29F1T08EELEEJ4-T：E Tr | 21.4500 | | 3628 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | 0°C〜70°C | 表面マウント | 132-VBGA | フラッシュ-Nand （TLC） | 2.6V〜3.6V | 132-VBGA（12x18） | - | 557-MT29F1T08EELEEJ4-T：ETR | 2,000 | 不揮発性 | 1tbit | フラッシュ | 128g x 8 | 平行 | - | |||||||||
| mtfc64gaxaqea-wt | 7.5600 | | 1321 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | - | 557-MTFC64GAXAQEA-WT | 1 | |||||||||||||||||||||
| N25Q128A11EF740E | - | | 2070 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-vdfn露出パッド | N25Q128A11 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 8-VDFPN | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 490 | 108 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 32m x 4 | spi | 8ms、5ms | |||
 | MT53E512M32D1NP-053 RS WT：B TR | 9.3150 | | 9678 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | 表面マウント | 200-WFBGA | 200-WFBGA （10x14.5 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 557-MT53E512M32D1NP-053RSWT：BTR | 2,000 | |||||||||||||||
| MT46H1DBB5-DC | - | | 9760 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | MT46H1D | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,000 | ||||||||||||||||
 | RC28F640J3D75A | - | | 2436 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash™ | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 64-TBGA | RC28F640 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-easybga （10x13） | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 864 | 不揮発性 | 64mbit | 75 ns | フラッシュ | 8m x 8、4m x 16 | 平行 | 75ns | |||
 | mtfc16gakaeef-o1 ait tr | - | | 4569 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 169-TFBGA | MTFC16 | フラッシュ -ナンド | - | 169-TFBGA | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 128GBIT | フラッシュ | 16g x 8 | MMC | - | ||||
 | mtfc32gakaejp-ait | - | | 4035 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 153-VFBGA | mtfc32g | フラッシュ -ナンド | - | 153-VFBGA （11.5x13 | - | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,520 | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | MMC | - | |||||||
 | MT25QL512ABB8E12-1SIT | - | | 3708 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 24-tbga | MT25QL512 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 24-T-PBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,122 | 133 MHz | 不揮発性 | 512mbit | フラッシュ | 64m x 8 | spi | 8ms、2.8ms | ||||
| MT42L128M64D2LL-25 IT：A TR | - | | 3473 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -25°C〜85°C（TC） | 表面マウント | 216-WFBGA | MT42L128M64 | SDRAM-モバイルLPDDR2 | 1.14V〜1.3V | 216-FBGA（12x12） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 400 MHz | 揮発性 | 8gbit | ドラム | 128m x 64 | 平行 | - | |||
| mtfc128gapalna-aat es | - | | 6186 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | 廃止 | MTFC128 | - | 1 （無制限） | 廃止 | 0000.00.0000 | 980 | ||||||||||||||||||
 | MT53E768M32D4DT-053 AUT：e | 50.2500 | | 1728 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | トレイ | アクティブ | -40°C〜125°C | MT53E768 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | - | 影響を受けていない | 557-MT53E768M32D4DT-053AUT：e | 136 | 1.866 GHz | 揮発性 | 24Gbit | ドラム | 768m x 32 | - | - | |||||||||
 | M29W400BB90N1 | - | | 9838 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | M29W400 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 48-tsop | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 96 | 不揮発性 | 4mbit | 90 ns | フラッシュ | 512K x 8、256K x 16 | 平行 | 90ns | |||
 | TE28F640P33B85A | - | | 9171 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash™ | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（TC） | 表面マウント | 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | 28F640p33 | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 56-tsop | ダウンロード | ROHS非準拠 | 2（1 年） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 576 | 40 MHz | 不揮発性 | 64mbit | 85 ns | フラッシュ | 4m x 16 | 平行 | 85ns | ||
| MT62F768M64D4EK-023 WT ES：b | 61.3800 | | 9141 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | MT62F768 | - | 557-MT62F768M64D4EK-023WTES：b | 1 | ||||||||||||||||||||
 | mt29c1g12maaiyamd-5 it tr | - | | 3780 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 130-VFBGA | MT29C1G12 | フラッシュ-nand 、モバイルlpdram | 1.7V〜1.95V | 130-VFBGA （8x9） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 200 MHz | 不揮発性、揮発性 | 1gbit（nand | フラッシュ、ラム | 128m x 8 | 平行 | - | |||
 | MT25QL01GBBBBB8ESF-0SIT TR | 17.9500 | | 3 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） | MT25QL01 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 16-SO | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 1gbit | フラッシュ | 128m x 8 | spi | 8ms、2.8ms | |||
| MT28EW256ABA1LPN-0SIT TR | - | | 8438 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 56-VFBGA | MT28EW256 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 56-VFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | MT28EW256ABA1LPN-0SITTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 不揮発性 | 256mbit | 75 ns | フラッシュ | 32m x 8、16m x 16 | 平行 | 60ns | |||
| 1787 | 59.8650 | | 8186 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | - | 557-1787M | 1 | |||||||||||||||||||||
| MT62F2G32D4DS-026 AIT：B TR | 58.0650 | | 4615 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜95°C | 表面マウント | 200-WFBGA | SDRAM- lpddr5 | 1.05V | 200-WFBGA （10x14.5 | - | 557-MT62F2G32D4DS-026AIT：BTR | 2,000 | 3.2 GHz | 揮発性 | 64gbit | ドラム | 2g x 32 | 平行 | - |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
在庫倉庫
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