- 中国語
- 英語
- フランス語
- ドイツ語
- ポルトガル語
- スペイン語
- ロシア
- 日本語
- 韓国語
- アラビア語
- アイルランド
- ギリシャ語
- トルコ語
- イタリア語
- デンマーク語
- ルーマニア人
- インドネシア語
- チェコ
- アフリカーンス
- スウェーデン語
- 研磨
- バスク
- カタロニア
- エスペラント
- ヒンディー語
- ラオス
- アルバニア語
- アムハラ語
- アルメニア人
- アゼルバイジャン
- ベラルーシ人
- ベンガル語
- ボスニア人
- ブルガリア
- セブアノ
- チチェワ
- コルシカ人
- クロアチア語
- オランダ語
- エストニアン
- フィリピン人
- フィンランド語
- フリジアン
- ガリシア語
- ジョージアン
- グジャラート語
- ハイチ人
- ハウサ
- ハワイアン
- ヘブライ語
- hmong
- ハンガリー
- アイスランド語
- イボ
- Javanese
- カンナダ
- カザフ
- クメール
- クルド
- キルギス
- ラテン
- ラトビアン
- リトアニアン
- ルクセンボウ..
- マケドニア語
- マラガシー
- マレー
- マラヤーラム語
- マルタ
- マオリ
- マラーティー
- モンゴル人
- ビルマ
- ネパール
- ノルウェー語
- パシュ
- ペルシャ語
- パンジャブ
- セルビア人
- セソト
- シンハラ
- スロバキア
- スロベニア人
- ソマリア
- サモアン
- スコットランドゲール語
- ショナ
- シンディ
- スンダネーゼ
- スワヒリ
- タジク
- タミル語
- テルグ語
- タイ
- ウクライナ人
- ウルドゥー語
- ウズベック
- ベトナム人
- ウェールズ
- xhosa
- イディッシュ語
- ヨルバ
- ズールー
- キニャルワンダ
- タタール
- オリヤ
- タークメン
- uyghur
メモリ（10402）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT53E1G64D4HJ-046 AIT：c | 51.3600 |  | 4947 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | 箱 | アクティブ | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 556-TFBGA | SDRAM -MOBILE LPDDR4X | 1.06V〜1.17V | 556-WFBGA（12.4x12.4 | ダウンロード | 557-MT53E1G64D4HJ-046AIT：c | 1 | 2.133 GHz | 揮発性 | 64gbit | 3.5 ns | ドラム | 1g x 64 | 平行 | 18ns | |||||||
 | MT58L512Y36DT-7.5 | 18.9400 | | 255 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst™ | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 100-lqfp | MT58L512Y36 | sram | 3.135V〜3.465V | 100-TQFP（14x20.1 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | 揮発性 | 18mbit | 4.2 ns | sram | 512K x 36 | 平行 | - | ||
| MT53E4D1ABA-DC | 22.5000 | | 5580 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | アクティブ | mt53e4 | - | 影響を受けていない | 557-MT53E4D1ABA-DC | 1,360 | |||||||||||||||||||
| M50FLW080BK5TG TR | - | | 8271 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -20°C〜85°C（Ta） | 表面マウント | 32-lcc | M50FLW080 | フラッシュ - | 3V〜3.6V | 32-PLCC（11.35x13.89） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 750 | 33 MHz | 不揮発性 | 8mbit | 250 ns | フラッシュ | 1m x 8 | 平行 | - | ||
| MT62F1536M64D8EK-023 WT：b | 67.8450 | | 6330 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | -25°C〜85°C | 表面マウント | 441-TFBGA | SDRAM- lpddr5 | - | 441-TFBGA | - | 557-MT62F1536M64D8EK-023WT：b | 1 | 4.266 GHz | 揮発性 | 96gbit | ドラム | 1.5GX 64 | 平行 | - | ||||||||
| mt53e4d1aeg-dc tr | - | | 7675 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | mt53e4 | - | 557-MT53E4D1AEG-DCTR | 廃止 | 2,000 | |||||||||||||||||||
| MT62F2G32D4DS-023 FAAT：c | 63.8550 | | 5581 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | - | 557-MT62F2G32D4DS-023FAAT：c | 1 | |||||||||||||||||||||
| MT62F2G64D8EK-026 AIT：b | 114.9600 | | 7312 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | 箱 | アクティブ | -40°C〜95°C | 表面マウント | 441-TFBGA | SDRAM- lpddr5 | 1.05V | 441-TFBGA | - | 557-MT62F2G64D8EK-026AIT：b | 1 | 3.2 GHz | 揮発性 | 128GBIT | ドラム | 2g x 64 | 平行 | - | ||||||||
| MT29RZ4C4DZZHGPL-18 W.80U | - | | 8411 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | mt29rz4 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | ||||||||||||||||
| MT62F1G32D4DS-031 AUT：b | 37.4700 | | 4200 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | 箱 | アクティブ | -40°C〜125°C | 表面マウント | 200-WFBGA | SDRAM- lpddr5 | 1.05V | 200-WFBGA （10x14.5 | - | 557-MT62F1G32D4DS-031AUT：b | 1 | 3.2 GHz | 揮発性 | 32gbit | ドラム | 1g x 32 | 平行 | - | ||||||||
| MT53E1536M64D8HJ-046 WT ES：c | 67.8450 | | 9186 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | -25°C〜85°C | 表面マウント | 556-TFBGA | SDRAM-モバイルLPDDR4 | - | 556-WFBGA（12.4x12.4 | - | 557-MT53E1536M64D8HJ-046WTES：c | 1 | 2.133 GHz | 揮発性 | 96gbit | ドラム | 1.5mx 64 | - | - | ||||||||
| MT40A1G16TD-062E AIT：F | 18.0450 | | 9291 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | 箱 | アクティブ | -40°C〜95°C（TC） | - | - | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | - | - | 557-MT40A1G16TD-062EAIT：F | 1 | 1.6 GHz | 揮発性 | 16gbit | 19 ns | ドラム | 1g x 16 | 平行 | 15ns | |||||||
| MT53E512M64D2HJ-046AAT：B TR | 32.9700 | | 4611 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C （TC） | 表面マウント | 556-TFBGA | SDRAM -MOBILE LPDDR4X | 1.06V〜1.17V | 556-WFBGA（12.4x12.4 | - | 557-MT53E512M64D2HJ-046AAT：BTR | 2,000 | 2.133 GHz | 揮発性 | 32gbit | 3.5 ns | ドラム | 512m x 64 | 平行 | 18ns | |||||||
 | MT53E1G32D2FW-046AAT：A TR | 32.8500 | | 7552 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C （TC） | 表面マウント | 200-TFBGA | SDRAM -MOBILE LPDDR4X | 1.06V〜1.17V | 200-TFBGA （10x14.5） | ダウンロード | 557-MT53E1G32D2FW-046AAT：ATR | 2,000 | 2.133 GHz | 揮発性 | 32gbit | ドラム | 1g x 32 | 平行 | 18ns | ||||||||
 | MT29F256G08CECEBJ4-37ITRES：e | - | | 1286 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 132-VBGA | MT29F256G08 | フラッシュ-nand （mlc） | 2.7V〜3.6V | 132-VBGA（12x18） | - | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 0000.00.0000 | 1,120 | 267 MHz | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | 平行 | - | |||||
 | MT25QL02GCBB8E12-0AAT TR | 34.4100 | | 3006 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 24-tbga | MT25QL02 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 24-T-PBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 2Gbit | フラッシュ | 256m x 8 | spi | 8ms、2.8ms | |||
| MT25QU01GBBB8E12E-0AUT | 19.8600 | | 8676 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | - | 557-MT25QU01GBBB8E12E-0AUT | 1 | |||||||||||||||||||||
| MT47H256M8EB-25E XIT：C TR | - | | 4404 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 60-TFBGA | MT47H256M8 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 60-FBGA （9x11.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 400 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 400 PS | ドラム | 256m x 8 | 平行 | 15ns | ||
 | M29W400DT55ZE6F TR | - | | 6866 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFBGA | M29W400 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 48-TFBGA （6x9） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 2,500 | 不揮発性 | 4mbit | 55 ns | フラッシュ | 512K x 8、256K x 16 | 平行 | 55ns | |||
| MTC18F1045S1PC48BA2 | 262.0200 | | 3781 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | ダウンロード | 557-MTC18F1045S1PC48BA2 | 1 | |||||||||||||||||||||
 | M25P32-VMW6TG TR | - | | 4222 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） | M25p3 2 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-SO w | ダウンロード | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,500 | 75 MHz | 不揮発性 | 32mbit | フラッシュ | 4m x 8 | spi | 15ms、5ms | ||||
| MT60B1G16HT-48B AAT：A TR | 31.3050 | | 2839 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C | 表面マウント | 144-TFBGA | SDRAM -DDR5 | - | 144-FBGA （11x18.5 | - | 557-MT60B1G16HT-48BAAT：ATR | 2,000 | 2.4 GHz | 揮発性 | 16gbit | ドラム | 1g x 16 | 平行 | - | ||||||||
| MT49H16M36BM-25 IT：b | - | | 6084 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 144-TFBGA | MT49H16M36 | ドラム | 1.7V〜1.9V | 144-µbga（18.5x11） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 400 MHz | 揮発性 | 576mbit | 20 ns | ドラム | 16m x 36 | 平行 | - | ||
| MT62F2G64D8EK-023 AAT：b | 126.4350 | | 8710 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | 箱 | アクティブ | -40°C〜105°C | 表面マウント | 441-TFBGA | SDRAM- lpddr5 | 1.05V | 441-TFBGA | - | 557-MT62F2G64D8EK-023AAT：b | 1 | 4.266 GHz | 揮発性 | 128GBIT | ドラム | 2g x 64 | 平行 | - | ||||||||
| mtfc4glwdm-4m aat a | 11.0850 | | 5598 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | アクティブ | mtfc4 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | mtfc4glwdm-4maata | 0000.00.0000 | 1,520 | ||||||||||||||||
| MT41K256M16HA-125 AIT：e | - | | 1183 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | トレイ | 廃止 | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 96-TFBGA | MT41K256M16 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-FBGA （9x14） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 800 MHz | 揮発性 | 4gbit | 13.75 ns | ドラム | 256m x 16 | 平行 | - | ||
| MT53E768M32D2FW-046 WT：c | 24.0600 | | 3702 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | アクティブ | - | ROHS3準拠 | 557-MT53E768M32D2FW-046WT：c | 1 | ||||||||||||||||||||
| MT53E256M16D1FW-046AAT：b | 9.3900 | | 2957 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | 箱 | アクティブ | -40°C〜105°C （TC） | 表面マウント | 200-TFBGA | SDRAM -MOBILE LPDDR4X | 1.06V〜1.17V | 200-TFBGA （10x14.5） | ダウンロード | 557-MT53E256M16D1FW-046AAT：b | 1 | 2.133 GHz | 揮発性 | 4gbit | 3.5 ns | ドラム | 256m x 16 | 平行 | 18ns | |||||||
 | MT29F4G08ABAFAWP-IT：F TR | 3.0489 | | 4472 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | MT29F4G08 | フラッシュ-nand（slc） | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | MT29F4G08ABAFAWP-IT：FTR | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 4gbit | フラッシュ | 512m x 8 | 平行 | - | ||||
| MT29F768G08EEHBBJ4-3R：b | - | | 9583 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 132-VBGA | MT29F768G08 | フラッシュ -ナンド | 2.5V〜3.6V | 132-VBGA（12x18） | - | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,120 | 333 MHz | 不揮発性 | 768GBIT | フラッシュ | 96g x 8 | 平行 | - |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
在庫倉庫
ウィッシュリスト（0アイテム）