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メモリ（10402）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ | sicプログラム可能 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT29C4G96MAZBACJG-5 IT | - |  | 3379 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 168-VFBGA | MT29C4G96 | フラッシュ-nand 、モバイルlpdram | 1.7V〜1.95V | 168-VFBGA（12x12） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 200 MHz | 不揮発性、揮発性 | 4gbit（nand | フラッシュ、ラム | 256m x 16 | 平行 | - | |||||
| MT62F1G64D4ZV-023 WT：B TR | 37.2450 | | 3563 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | - | 557-MT62F1G64D4ZV-023WT：BTR | 2,500 | ||||||||||||||||||||||
| ECY4008AACS-Y3 | - | | 1436 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | ear99 | 8542.32.0041 | 1 | 確認されていません | ||||||||||||||||||
| MT53E1536M32D4DE-046 WT ES：C TR | 30.2400 | | 4403 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -25°C〜85°C（TC） | 表面マウント | 200-TFBGA | SDRAM -MOBILE LPDDR4X | 1.06V〜1.17V | 200-TFBGA （10x14.5） | - | 557-MT53E1536M32D4DE-046WTES：CTR | 2,000 | 2.133 GHz | 揮発性 | 48gbit | 3.5 ns | ドラム | 1.5GX 32 | 平行 | 18ns | ||||||||
 | M29W320DB90N6 | - | | 7931 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | M29W320 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | 不揮発性 | 32mbit | 90 ns | フラッシュ | 4m x 8、2m x 16 | 平行 | 90ns | ||||
| MT53B512M64D4EZ-062 WT：C TR | - | | 1074 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | - | - | MT53B512 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | - | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,000 | 1.6 GHz | 揮発性 | 32gbit | ドラム | 512m x 64 | - | - | |||||
 | mtfc16gakaena-4m it tr | - | | 5576 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 100-TBGA | MTFC16 | フラッシュ -ナンド | 1.7V〜1.9V | 100-TBGA | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 128GBIT | フラッシュ | 16g x 8 | MMC | - | ||||||
 | MT40A1G16WBU-083E：B TR | - | | 8932 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 96-TFBGA | MT40A1G16 | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 96-FBGA （8x14） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.2 GHz | 揮発性 | 16gbit | ドラム | 1g x 16 | 平行 | - | ||||
| mtfc64gasaqhd-ait tr | 28.4400 | | 3189 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | AEC-Q104 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 153-VFBGA | フラッシュ-nand（slc） | 2.7V〜3.6V | 153-VFBGA （11.5x13 | - | 557-MTFC64GASAQHD-AITTR | 2,000 | 200 MHz | 不揮発性 | 512gbit | フラッシュ | 64g x 8 | EMMC_5.1 | - | |||||||||
 | MT40A4G4VA-062EPS：b | - | | 1343 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 78-TFBGA | MT40A4G4 | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 78-FBGA （10x11） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 557-MT40A4G4VA-062EPS：b | 廃止 | 1,520 | 1.6 GHz | 揮発性 | 16gbit | 19 ns | ドラム | 4g x 4 | 平行 | 15ns | ||||
 | MT46H64M32LFMA-5 WT：b | - | | 6304 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -25°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 168-wfbga | MT46H64M32 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 168-WFBGA（12x12） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 200 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 5 ns | ドラム | 64m x 32 | 平行 | 15ns | ||||
 | MT41K512M8RH-125 M AIT：E TR | - | | 7432 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 78-TFBGA | MT41K512M8 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-FBGA （9x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 800 MHz | 揮発性 | 4gbit | 13.75 ns | ドラム | 512m x 8 | 平行 | - | ||||
 | MT53E256M32DS-053 AUT：B TR | 17.8200 | | 4577 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | 前回購入します | -40°C〜125°C | 表面マウント | 200-WFBGA | MT53E256 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA （10x14.5 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | MT53E256M32D2DS-053AUT：BTR | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.866 GHz | 揮発性 | 8gbit | ドラム | 256m x 32 | - | - | |||
| MT29F512G08AUEBBK8-12：B TR | - | | 3317 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | - | MT29F512G08 | フラッシュ-nand（slc） | 2.7V〜3.6V | 152-TLGA | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,000 | 83 MHz | 不揮発性 | 512gbit | フラッシュ | 64g x 8 | 平行 | - | |||||
 | MT29F512G08CKCABH7-6：a | - | | 1273 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 152-TBGA | MT29F512G08 | フラッシュ-nand （mlc） | 2.7V〜3.6V | 152-TBGA | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 166 MHz | 不揮発性 | 512gbit | フラッシュ | 64g x 8 | 平行 | - | ||||
 | MT46H32M32LFB5-5 IT：b | - | | 5754 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 90-VFBGA | MT46H32M32 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 90-VFBGA （8x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 1,440 | 200 MHz | 揮発性 | 1gbit | 5 ns | ドラム | 32m x 32 | 平行 | 15ns | |||
 | MT58L256L36FS-10 | 13.7700 | | 15 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst™ | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 100-lqfp | sram-標準 | 3.135V〜3.6V | 100-TQFP（14x20.1 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 未定義のベンダー | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 500 | 66 MHz | 揮発性 | 8mbit | 10 ns | sram | 256k x 36 | 平行 | - | ||||
| MT29VZZZBD9DQKPR-046 W.9M9 | 87.4800 | | 1322 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | アクティブ | mt29vzzzbd9 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | MT29VZZZBD9DQKPR-046W.9M9 | 0000.00.0000 | 1,520 | |||||||||||||||||
 | N25Q032A11ESF40G | - | | 7985 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） | N25Q032A11 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 16-SO | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,225 | 108 MHz | 不揮発性 | 32mbit | フラッシュ | 8m x 4 | spi | 8ms、5ms | |||||
 | TE28F256P30B95A | - | | 9446 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash™ | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | 28F256P30 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 56-tsop | ダウンロード | ROHS非準拠 | 2（1 年） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | 40 MHz | 不揮発性 | 256mbit | 95 ns | フラッシュ | 16m x 16 | 平行 | 95ns | |||
 | RC48F4400P0VB0EA | - | | 7427 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | axcell™ | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（TC） | 表面マウント | 64-TBGA | RC48F4400 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 64-easybga | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 864 | 52 MHz | 不揮発性 | 512mbit | 100 ns | フラッシュ | 32m x 16 | 平行 | 100ns | |||
| mt53d8darg-dc tr | - | | 2413 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | mt53d8 | - | 1 （無制限） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,000 | |||||||||||||||||||
| MT29F8T08ESLCEG4-R：c | 242.1750 | | 2295 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | - | 557-MT29F8T08ESLCEG4-R：c | 1 | ||||||||||||||||||||||
 | MT53D512M64D4NZ-046 WT ES：e | - | | 9425 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | アクティブ | -30°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 376-WFBGA | MT53D512 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 376-WFBGA（14x14） | - | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,190 | 2.133 GHz | 揮発性 | 32gbit | ドラム | 512m x 64 | - | - | |||||
| MT29VZZZ7D7DQKWL-053 W.97Y TR | - | | 6798 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 表面マウント | mt29vzzz7 | - | 1 （無制限） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,000 | ||||||||||||||||||
| N25Q064A13EF640FN03 TR | - | | 4271 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-vdfn露出パッド | N25Q064A13 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-VDFPN | - | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 廃止 | 0000.00.0000 | 4,000 | 108 MHz | 不揮発性 | 64mbit | フラッシュ | 16m x 4 | spi | 8ms、5ms | |||||
| MT53D256M16D1NY-046 XT ES：B TR | - | | 8212 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -30°C〜105°C（TC） | MT53D256 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | - | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 2.133 GHz | 揮発性 | 16gbit | ドラム | 256m x 64 | - | - | ||||||||
 | N25Q064A11E12A0F TR | - | | 7574 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜125°C（タタ | 表面マウント | 24-tbga | N25Q064A11 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 24-T-PBGA | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 108 MHz | 不揮発性 | 64mbit | フラッシュ | 16m x 4 | spi | 8ms、5ms | ||||
| MT53D512M32D2DS-053 AAT ES：D TR | - | | 2297 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C （TC） | 表面マウント | 200-WFBGA | MT53D512 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA （10x14.5 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.866 GHz | 揮発性 | 16gbit | ドラム | 512m x 32 | - | - | ||||
| MT53B128M32D1NP-062 AUT：a | - | | 5229 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | トレイ | 廃止 | -40°C〜125°C | 表面マウント | 200-WFBGA | MT53B128 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA （10x14.5 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,360 | 1.6 GHz | 揮発性 | 4gbit | ドラム | 128m x 32 | - | - |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
在庫倉庫
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