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メモリ（10402）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
MT29F8T08GQLCEG8-QB:C Micron Technology Inc. MT29F8T08GQLCEG8-QB：c 156.3000
RFQ
 ECAD 6470 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ - 557-MT29F8T08GQLCEG8-QB：c 1
MT47H128M8B7-5E L:A TR Micron Technology Inc. MT47H128M8B7-5E L：A TR -
RFQ
 ECAD 1824年年 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） sicで中止されました 0°C〜85°C （TC） 表面マウント 92-TFBGA MT47H128M8 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 92-FBGA （11x19） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 1,000 200 MHz 揮発性 1gbit 600 PS ドラム 128m x 8 平行 15ns
MT53B2DARN-DC Micron Technology Inc. mt53b2darn-dc -
RFQ
 ECAD 3925 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 sicで中止されました - 影響を受けていない 0000.00.0000 1,008
MT40A256M16GE-062E IT:B Micron Technology Inc. MT40A256M16GE-062E IT：b -
RFQ
 ECAD 4753 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-TFBGA MT40A256M16 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 96-FBGA （9x14） - 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,020 1.6 GHz 揮発性 4gbit ドラム 256m x 16 平行 -
JR28F064M29EWTA Micron Technology Inc. JR28F064M29EWTA -
RFQ
 ECAD 7874 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） JR28F064M29 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 48-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 576 不揮発性 64mbit 70 ns フラッシュ 8m x 8、4m x 16 平行 70ns
MT53D384M32D2DS-053 WT:C TR Micron Technology Inc. MT53D384M32D2DS-053 WT：C TR -
RFQ
 ECAD 9237 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 200-WFBGA MT53D384 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 2,000 1.866 GHz 揮発性 12gbit ドラム 384m x 32 - -
MTFC32GASAONS-AAT Micron Technology Inc. mtfc32gasaons-aat 23.2950
RFQ
 ECAD 4687 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 箱 アクティブ -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 153-TFBGA フラッシュ-nand（slc） 2.7V〜3.6V 153-TFBGA （11.5x13 - 557-MTFC32GASAONS-AAT 1 52 MHz 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 UFS2.1 -
MTFC16GAPALGT-AIT Micron Technology Inc. mtfc16gapalgt-ait -
RFQ
 ECAD 3887 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 前回購入します -40°C〜85°C（タタ MTFC16 フラッシュ -ナンド - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 557-MTFC16GAPALGT-AIT 3A991B1A 8542.32.0071 1,520 不揮発性 128GBIT フラッシュ 16g x 8 MMC -
MT25QL128ABB1ESE-0AUT Micron Technology Inc. MT25QL128ABB1ESE-0AUT 5.9500
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 ECAD 3 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） MT25QL128 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-SO - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,500 133 MHz 不揮発性 128mbit 5 ns フラッシュ 16m x 8 spi 1.8ms
MT44K16M36RB-093 IT:A TR Micron Technology Inc. MT44K16M36RB-093 IT：A TR -
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 ECAD 2468 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 168-TBGA MT44K16M36 ドラム 1.28V〜1.42V 168-BGA（13.5x13.5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0024 1,000 1.066 GHz 揮発性 576mbit 10 ns ドラム 16m x 36 平行 -
MT62F2G64D8EK-026 WT:C TR Micron Technology Inc. MT62F2G64D8EK-026 WT：C TR 90.4650
RFQ
 ECAD 7627 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -25°C〜85°C 表面マウント 441-TFBGA SDRAM- lpddr5 1.05V 441-TFBGA - 557-MT62F2G64D8EK-026WT：CTR 2,000 3.2 GHz 揮発性 128GBIT ドラム 2g x 64 平行 -
MT29F128G08AMCABK3-10:A TR Micron Technology Inc. MT29F128G08AMCABK3-10：TR -
RFQ
 ECAD 2068 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） - - MT29F128G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 100 MHz 不揮発性 128GBIT フラッシュ 16g x 8 平行 -
MT47H128M8CF-25E:H TR Micron Technology Inc. MT47H128M8CF-25E：H TR -
RFQ
 ECAD 7987 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜85°C （TC） 表面マウント 60-TFBGA MT47H128M8 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-fbga （8x10） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 2,000 400 MHz 揮発性 1gbit 400 PS ドラム 128m x 8 平行 15ns
MT53E256M32D2FW-046 AAT:B TR Micron Technology Inc. MT53E256M32D2FW-046AAT：B TR 15.4950
RFQ
 ECAD 1410 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 200-TFBGA SDRAM -MOBILE LPDDR4X 1.06V〜1.17V 200-TFBGA （10x14.5） ダウンロード 557-MT53E256M32D2FW-046AAT：BTR 2,000 2.133 GHz 揮発性 8gbit 3.5 ns ドラム 256m x 32 平行 18ns
MTFC16GLTDV-WT TR Micron Technology Inc. mtfc16gltdv-wt tr -
RFQ
 ECAD 8913 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ テープ＆リール（ tr） 廃止 -25°C〜85°C（タタ 表面マウント - mtfc16g フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 128GBIT フラッシュ 16g x 8 MMC -
MT29F2G08ABAGAWP-AAT:G TR Micron Technology Inc. MT29F2G080808ABAGAWP-AAT：G TR 2.7962
RFQ
 ECAD 4305 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F2G08 フラッシュ-nand（slc） 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 557-MT29F2G08888ABAGAWP-AAT：GTR 8542.32.0071 1,000 不揮発性 2Gbit 20 ns フラッシュ 256m x 8 平行 20ns
M25P10-AVMN6PYA Micron Technology Inc. M25P10-AVMN6PYA -
RFQ
 ECAD 8527 0.00000000 Micron Technology Inc. - チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） M25P10 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 8-SO ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0071 2,000 50 MHz 不揮発性 1mbit フラッシュ 128k x 8 spi 15ms、5ms
M29W128GSL70ZA6E Micron Technology Inc. M29W128GSL70ZA6E -
RFQ
 ECAD 6975 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-TBGA M29W128 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-TBGA （10x13 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 816 不揮発性 128mbit 70 ns フラッシュ 16m x 8、8m x 16 平行 70ns
MT46V64M8P-5B L IT:J Micron Technology Inc. mt46v64m8p-5b l it：j -
RFQ
 ECAD 6817 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） mt46v64m8 SDRAM -DDR 2.5V〜2.7V 66-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 1,080 200 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 64m x 8 平行 15ns
EDB4432BBPA-1D-F-R TR Micron Technology Inc. EDB4432BBPA-1D-FR TR -
RFQ
 ECAD 1185 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 168-wfbga EDB4432 SDRAM-モバイルLPDDR2 1.14V〜1.95V 168-FBGA（12x12） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 533 MHz 揮発性 4gbit ドラム 128m x 32 平行 -
MT29F256G08CKCBBH2-10:B TR Micron Technology Inc. MT29F256G08CKCBBH2-10：B TR -
RFQ
 ECAD 8275 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-TBGA MT29F256G08 フラッシュ-nand （mlc） 2.7V〜3.6V 100-TBGA（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 100 MHz 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 平行 -
MT53D512M64D8TZ-053 WT ES:B TR Micron Technology Inc. MT53D512M64D8TZ-053 WT ES：B TR -
RFQ
 ECAD 4008 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -30°C〜85°C （TC） - - MT53D512 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - - 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 1.866 GHz 揮発性 32gbit ドラム 512m x 64 - -
MT29VZZZBD8DQOPR-053 W.9G8 Micron Technology Inc. MT29VZZZBD8DQOPR-053 W.9G8 -
RFQ
 ECAD 9345 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 mt29vzzzbd8 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 廃止 0000.00.0000 1,520
MT28HL64GRBA6EBL-0GCT Micron Technology Inc. MT28HL64GRBA6EBL-0GCT -
RFQ
 ECAD 8251 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 MT28HL64 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 270
MT29F64G08AECABJ1-10ITZ:A Micron Technology Inc. MT29F64G08AECABJ1-10ITZ：a -
RFQ
 ECAD 9549 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント - MT29F64G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 100 MHz 不揮発性 64gbit フラッシュ 8g x 8 平行 -
MT53E768M64D4HJ-046 AIT:C TR Micron Technology Inc. MT53E768M64D4HJ-046 AIT：C TR 58.2150
RFQ
 ECAD 4412 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 556-TFBGA SDRAM-モバイルLPDDR4 1.06V〜1.17V 556-WFBGA（12.4x12.4 - ROHS3準拠 557-MT53E768M64D4HJ-046AIT：CTR 2,000 2.133 GHz 揮発性 48gbit 3.5 ns ドラム 768m x 64 平行 18ns
MT29F4G08ABAFAWP-ITES:F Micron Technology Inc. MT29F4G08ABAFAWP-ITS：F -
RFQ
 ECAD 8486 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F4G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 960 不揮発性 4gbit フラッシュ 512m x 8 平行 -
PC28F512M29EWHA Micron Technology Inc. PC28F512M29EWHA -
RFQ
 ECAD 6620 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-lbga PC28F512 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-FBGA （11x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,104 不揮発性 512mbit 100 ns フラッシュ 64m x 8、32m x 16 平行 100ns
MT53E1G16D1FW-046 AIT:A TR Micron Technology Inc. MT53E1G16D1FW-046 AIT：A TR 14.5050
RFQ
 ECAD 4747 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 200-TFBGA SDRAM -MOBILE LPDDR4X 1.06V〜1.17V 200-TFBGA （10x14.5） ダウンロード 557-MT53E1G16D1FW-046AIT：ATR 2,000 2.133 GHz 揮発性 16gbit 3.5 ns ドラム 1g x 16 平行 18ns
MT29F32G08CBACAL73A3WC1P Micron Technology Inc. MT29F32G08CBACAL73A3WC1P -
RFQ
 ECAD 9935 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 死ぬ MT29F32G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 死ぬ - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 683 不揮発性 32gbit フラッシュ 4g x 8 平行 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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