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メモリ（10402）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT25TL256HAA1ESF-0AAT TR | - |  | 8002 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） | MT25TL256 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 16-sop2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 256mbit | フラッシュ | 32m x 8 | spi | 8ms、2.8ms | ||||
 | MT29F2G16ABAEAWP：e | - | | 6233 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | MT29F2G16 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 960 | 不揮発性 | 2Gbit | フラッシュ | 128m x 16 | 平行 | - | ||||
 | MT47H64M8CF-187E：g | - | | 9344 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | sicで中止されました | 0°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 60-TFBGA | MT47H64M8 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 60-fbga （8x10） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 1,000 | 533 MHz | 揮発性 | 512mbit | 350 PS | ドラム | 64m x 8 | 平行 | 15ns | ||
 | MT29VZZZAC8FQKSL-053 W ES.G8F TR | - | | 3414 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | mt29vzzzac8 | - | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 0000.00.0000 | 1,000 | ||||||||||||||||||
| M58WR032KL70ZA6U TR | - | | 1711 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 44-VFBGA | M58WR032 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 44-VFBGA （7.5x5） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 66 MHz | 不揮発性 | 32mbit | 70 ns | フラッシュ | 2m x 16 | 平行 | 70ns | ||
 | MT53D512M32D2DS-053自動：d | 21.9750 | | 1870年 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | トレイ | 前回購入します | -40°C〜125°C | 表面マウント | 200-WFBGA | MT53D512 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA （10x14.5 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | MT53D512M32D2DS-053AUT：d | ear99 | 8542.32.0036 | 1,360 | 1.866 GHz | 揮発性 | 16gbit | ドラム | 512m x 32 | - | - | ||
 | MT29F512G08CUCABH3-10ITZ：TR | - | | 4358 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 100-lbga | MT29F512G08 | フラッシュ-nand （mlc） | 2.7V〜3.6V | 100-lbga（12x18） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 100 MHz | 不揮発性 | 512gbit | フラッシュ | 64g x 8 | 平行 | - | |||
 | M29W512GH7AN6E | - | | 2015年 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | M29W512 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 56-tsop | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 廃止 | 0000.00.0000 | 576 | 不揮発性 | 512mbit | 70 ns | フラッシュ | 64m x 8、32m x 16 | 平行 | 70ns | ||||
| N25Q256A11ESF40G | - | | 8899 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） | N25Q256A11 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 16-sop2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,225 | 108 MHz | 不揮発性 | 256mbit | フラッシュ | 64m x 4 | spi | 8ms、5ms | |||
| MT43A4G80200NFH-S15 ES：a | - | | 5895 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | アクティブ | MT43A4 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 0000.00.0000 | 240 | |||||||||||||||||
| mt29f4t08euleem4-m：e tr | 85.7850 | | 8723 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | - | 557-MT29F4T08EULEEM4-M：ETR | 2,000 | |||||||||||||||||||||
| EDW4032CABG-50-NFD | - | | 1804 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | - | - | EDW4032 | sgram -gddr5 | 1.31V〜1.39V | - | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 1,440 | 1.25 GHz | 揮発性 | 4gbit | ラム | 128m x 32 | 平行 | - | |||
| MT53D1024M64D8PM-053 WT：d | - | | 2455 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | - | - | MT53D1024 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | - | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,190 | 1.866 GHz | 揮発性 | 64gbit | ドラム | 1g x 64 | - | - | |||
| TE28F256P33BFA | - | | 4922 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | axcell™ | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（TC） | 表面マウント | 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | 28F256p33 | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 56-tsop | ダウンロード | ROHS非準拠 | 2（1 年） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0051 | 576 | 40 MHz | 不揮発性 | 256mbit | 105 ns | フラッシュ | 16m x 16 | 平行 | 105ns | ||
| MT47H256M8EB-25E AIT：c | - | | 6105 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | トレイ | 廃止 | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 60-TFBGA | MT47H256M8 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 60-FBGA （9x11.5 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0036 | 1,320 | 400 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 400 PS | ドラム | 256m x 8 | 平行 | 15ns | ||
| MT46H256M32L4JV-6 WT：b | - | | 7724 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -25°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 168-VFBGA | MT46H256M32 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 168-VFBGA（12x12） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 166 MHz | 揮発性 | 8gbit | 5 ns | ドラム | 256m x 32 | 平行 | 15ns | |||
| EDBM432B3PD-1D-FR TR | - | | 1788 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | - | - | EDBM432 | SDRAM-モバイルLPDDR2 | 1.14V〜1.95V | - | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,000 | 533 MHz | 揮発性 | 12gbit | ドラム | 384m x 32 | 平行 | - | ||||
| mt53b2daank-dc | - | | 2694 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 表面マウント | 366-WFBGA | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 366-WFBGA （15x15） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,190 | 揮発性 | ドラム | |||||||||||
 | MT47H32M16BN-37E IT：D TR | - | | 7565 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 84-TFBGA | MT47H32M16 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-FBGA （10x12.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 267 MHz | 揮発性 | 512mbit | 500 PS | ドラム | 32m x 16 | 平行 | 15ns | ||
| MT28EW128ABA1HPN-0SIT TR | - | | 1932年年 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 56-VFBGA | MT28EW128 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 56-VFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 不揮発性 | 128mbit | 95 ns | フラッシュ | 16m x 8、8m x 16 | 平行 | 60ns | ||||
 | M25P40-VMC6TGB TR | - | | 4545 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-udfn露出パッド | M25P40 | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 8-UFDFPN | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | ear99 | 8542.32.0071 | 4,000 | 75 MHz | 不揮発性 | 4mbit | フラッシュ | 512k x 8 | spi | 15ms、5ms | ||||
| MT29VZZZBD8FQKSM-046 W.G8J | - | | 8869 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | mt29vzzzbd8 | - | ROHS3準拠 | 557-MT29VZZZBD8FQKSM-046W.G8J | 廃止 | 152 | ||||||||||||||||||
 | mt29f1g08abbdah4：d | - | | 8300 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 63-VFBGA | MT29F1G08 | フラッシュ -ナンド | 1.7V〜1.95V | 63-VFBGA （9x11） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,260 | 不揮発性 | 1gbit | フラッシュ | 128m x 8 | 平行 | - | ||||
 | M28W320FCB70ZB6F TR | - | | 3858 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 47-TFBGA | M28W320 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 47-TFBGA （6.39x6.37 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 不揮発性 | 32mbit | 70 ns | フラッシュ | 2m x 16 | 平行 | 70ns | |||
| M29W800FB7AZA6F TR | - | | 7214 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFBGA | M29W800 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 48-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | ear99 | 8542.32.0071 | 2,500 | 不揮発性 | 8mbit | 70 ns | フラッシュ | 1M x 8、512K x 16 | 平行 | 70ns | ||||
| MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F | - | | 3570 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 162-VFBGA | MT29RZ4B2 | フラッシュ-nand、dram -lpddr2 | 1.8V | 162-VFBGA（10.5x8） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,440 | 533 MHz | 不揮発性、揮発性 | 4gbit（nand | フラッシュ、ラム | 128m x 32（nand）、64m x 32（lpddr2） | 平行 | - | |||
 | MT29F64G08CBABBWPR：B TR | - | | 5535 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | MT29F64G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 64gbit | フラッシュ | 8g x 8 | 平行 | - | |||||
| MT53D384M32D2DS-053 AAT ES：C TR | - | | 4598 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜105°C （TC） | 表面マウント | 200-WFBGA | MT53D384 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA （10x14.5 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 廃止 | 0000.00.0000 | 2,000 | 1.866 GHz | 揮発性 | 12gbit | ドラム | 384m x 32 | - | - | ||||
 | MT53D1024M64D8NW-046 WT：D TR | - | | 4207 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -30°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 432-VFBGA | MT53D1024 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 432-VFBGA | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 2.133 GHz | 揮発性 | 64gbit | ドラム | 1g x 64 | - | - | |||
 | MT53E2G32D4DT-046 WT：TR | 47.4300 | | 6642 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -30°C〜85°C （TC） | MT53E2G32 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | MT53E2G32D4DT-046WT：ATR | 0000.00.0000 | 2,000 | 2.133 GHz | 揮発性 | 64gbit | ドラム | 2g x 32 | - | - |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
在庫倉庫
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