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メモリ（10402）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | mt47h512m4thn-3：h | - |  | 4641 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 63-TFBGA | MT47H512M4 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 63-fbga （8x10） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 333 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 450 PS | ドラム | 512m x 4 | 平行 | 15ns | ||
| N25Q128A23B1241E | - | | 6758 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 24-tbga | N25Q128A23 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 24-T-PBGA | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 187 | 108 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 32m x 4 | spi | 8ms、5ms | ||||
 | MT47H256M4B7-37E：a | - | | 8448 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | sicで中止されました | 0°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 92-TFBGA | MT47H256M4 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 92-FBGA （11x19） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 267 MHz | 揮発性 | 1gbit | 400 PS | ドラム | 256m x 4 | 平行 | 15ns | ||
| MT29F256G08EBHAFB16A3WTA | - | | 2267 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 死ぬ | MT29F256G08 | フラッシュ-Nand （TLC） | 2.5V〜3.6V | 死ぬ | - | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 0000.00.0000 | 1 | 333 MHz | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | 平行 | - | |||||
 | MT53D512M32D2NP-053 WT ES：D TR | - | | 5142 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -30°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 200-WFBGA | MT53D512 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA （10x14.5 | - | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.866 GHz | 揮発性 | 16gbit | ドラム | 512m x 32 | - | - | ||||
 | M28W640HCB70N6E | - | | 4487 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | M28W640 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 557-1582 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 576 | 不揮発性 | 64mbit | 70 ns | フラッシュ | 4m x 16 | 平行 | 70ns | ||
| MT29F128G08CBEBBL85C3WC1-R | - | | 8748 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 死ぬ | MT29F128G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 死ぬ | - | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 128GBIT | フラッシュ | 16g x 8 | 平行 | - | |||||||
| M58WR064KT7AZB6E | - | | 5538 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 56-VFBGA | M58WR064 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 56-VFBGA （7.7x9） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 336 | 66 MHz | 不揮発性 | 64mbit | 70 ns | フラッシュ | 4m x 16 | 平行 | 70ns | ||
| MT29F1T08CUCABK8-6：TR | - | | 2549 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | - | - | MT29F1T08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | - | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 167 MHz | 不揮発性 | 1tbit | フラッシュ | 128g x 8 | 平行 | - | ||||
 | MT47H64M8CF-25E IT：G TR | - | | 4475 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 60-TFBGA | MT47H64M8 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 60-fbga （8x10） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 1,000 | 400 MHz | 揮発性 | 512mbit | 400 PS | ドラム | 64m x 8 | 平行 | 15ns | ||
 | N25Q064A13EF8A0F TR | - | | 1716 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜125°C（タタ | 表面マウント | 8-vdfn露出パッド | N25Q064A13 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-VDFPN | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4,000 | 108 MHz | 不揮発性 | 64mbit | フラッシュ | 16m x 4 | spi | 8ms、5ms | |||
| MT29F2G08ABAEAM69A3WC1 | - | | 2031 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 死ぬ | MT29F2G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 死ぬ | - | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 1 | 不揮発性 | 2Gbit | フラッシュ | 256m x 8 | 平行 | - | ||||
 | MT29F512G08EBHAFJ4-3R：TR | - | | 6420 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 132-VBGA | MT29F512G08 | フラッシュ-Nand （TLC） | 2.5V〜3.6V | 132-VBGA（12x18） | - | 557-MT29F512G08EBHAFJ4-3R：ATR | 廃止 | 8542.32.0071 | 1,000 | 333 MHz | 不揮発性 | 512gbit | フラッシュ | 64g x 8 | 平行 | - | |||||
| MT47H64M8SH-25E：h | - | | 4182 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | アクティブ | 0°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 60-TFBGA | MT47H64M8 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 60-fbga （8x10） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 1,518 | 400 MHz | 揮発性 | 512mbit | 400 PS | ドラム | 64m x 8 | 平行 | 15ns | ||
 | M25PX16SOVZM6TP TR | - | | 9258 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 24-tbga | M25PX16 | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 24-T-PBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 2,500 | 75 MHz | 不揮発性 | 16mbit | フラッシュ | 2m x 8 | spi | 15ms、5ms | |||
 | MT29F8G16ABACAWP-IT：C Tr | - | | 3401 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | MT29F8G16 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 8gbit | フラッシュ | 512m x 16 | 平行 | - | ||||
 | PC28F320J3D75A | - | | 1587 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash™ | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 64-TBGA | PC28F320 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-easybga （10x13） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 864 | 不揮発性 | 32mbit | 75 ns | フラッシュ | 4m x 8、2m x 16 | 平行 | 75ns | |||
| MT62F1536M64D8EK-023自動：b | 109.0500 | | 5984 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | 箱 | アクティブ | -40°C〜125°C | 表面マウント | 441-TFBGA | SDRAM- lpddr5 | - | 441-TFBGA | - | 557-MT62F1536M64D8EK-023AUT：b | 1 | 4.266 GHz | 揮発性 | 96gbit | ドラム | 1.5GX 64 | 平行 | - | ||||||||
 | MT48LC16M16A2P-6A AAT：g | - | | 6401 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | トレイ | 廃止 | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | MT48LC16M16A2 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,080 | 167 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5.4 ns | ドラム | 16m x 16 | 平行 | 12ns | ||
| MT29TZZZ7D6EKKFB-107 W.96V | - | | 2263 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | - | 1 （無制限） | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,520 | ||||||||||||||||||
| MT48LC8M16A2P-7E：L | - | | 6962 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | MT48LC8M16A2 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,080 | 133 MHz | 揮発性 | 128mbit | 5.4 ns | ドラム | 8m x 16 | 平行 | 14ns | ||
 | MT48LC32M8A2FB-7E：D TR | - | | 4256 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 60-FBGA | MT48LC32M8A2 | SDRAM | 3V〜3.6V | 60-FBGA （8x16） | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 133 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5.4 ns | ドラム | 32m x 8 | 平行 | 14ns | ||
| MT53E768M64D4HJ-046 AIT：a | - | | 3796 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | バルク | 廃止 | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 556-TFBGA | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.06V〜1.17V | 556-WFBGA（12.4x12.4 | - | ROHS3準拠 | 557-MT53E768M64D4HJ-046AIT：a | 廃止 | 1 | 2.133 GHz | 揮発性 | 48gbit | 3.5 ns | ドラム | 768m x 64 | 平行 | 18ns | |||||
 | MT48LC8M16LFB4-75M：G TR | - | | 7390 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 54-VFBGA | MT48LC8M16 | SDRAM- lPSDR | 3V〜3.6V | 54-VFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 133 MHz | 揮発性 | 128mbit | 5.4 ns | ドラム | 8m x 16 | 平行 | 15ns | ||
| MT29TZZZ8D6DKEZB-107 W.9H6 | - | | 9639 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | -25°C〜85°C | 表面マウント | 221-WFBGA | mt29tzzz8 | フラッシュnand、dram -lpddr3 | 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V | 221-wfbga（13x11.5 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | MT29TZZZ8D6DKEZB-107W.9H6 | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,520 | 933 MHz | 不揮発性、揮発性 | 128GBIT （NAND ）、8GBIT「LPDDR3） | フラッシュ、ラム | 16g x 8 | MMC 、LPDRAM | - | |||
 | MT41K512M16VRN-107 AAT：P Tr | 21.0750 | | 9846 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C （TC） | 表面マウント | 96-TFBGA | MT41K512M16 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-FBGA （8x14） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | MT41K512M16VRN-107AAT：PTR | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 933 MHz | 揮発性 | 8gbit | 20 ns | ドラム | 512m x 16 | 平行 | 15ns | |
 | MT29F64G08AECABJ1-10Z：TR | - | | 7864 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 132-VBGA | MT29F64G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 132-VBGA（12x18） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 100 MHz | 不揮発性 | 64gbit | フラッシュ | 8g x 8 | 平行 | - | ||||
| MT53E512M64D4NK-053 WT：D TR | - | | 5442 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 366-WFBGA | MT53E512 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 366-WFBGA （15x15） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | MT53E512M64D4NK-053WT：DTR | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,000 | 1.866 GHz | 揮発性 | 32gbit | ドラム | 512m x 64 | - | - | ||
| MT53D512M64D4BP-046 WT：e | - | | 9654 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | MT53D512 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | - | 1 （無制限） | ear99 | 8542.32.0036 | 1,360 | 1.866 GHz | 揮発性 | 32gbit | ドラム | 512m x 64 | - | - | ||||||||
 | TE28F256P30T95A | - | | 6629 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash™ | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | 28F256P30 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 56-tsop | ダウンロード | ROHS非準拠 | 2（1 年） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | 40 MHz | 不揮発性 | 256mbit | 95 ns | フラッシュ | 16m x 16 | 平行 | 95ns |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
在庫倉庫
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