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メモリ（10402）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
TE28F256P30T95A Micron Technology Inc. TE28F256P30T95A -
RFQ
 ECAD 6629 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） 28F256P30 フラッシュ - 1.7V〜2V 56-tsop ダウンロード ROHS非準拠 2（1 年） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 96 40 MHz 不揮発性 256mbit 95 ns フラッシュ 16m x 16 平行 95ns
MT53E2G32D4DE-046 AIT:C TR Micron Technology Inc. MT53E2G32D4DE-046 AIT：C Tr 51.3600
RFQ
 ECAD 2435 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 200-TFBGA SDRAM -MOBILE LPDDR4X 1.06V〜1.17V 200-TFBGA （10x14.5） - 557-MT53E2G32D4DE-046AIT：CTR 2,000 2.133 GHz 揮発性 64gbit 3.5 ns ドラム 2g x 32 平行 18ns
EDB8132B4PM-1DAT-F-D TR Micron Technology Inc. EDB8132B4PM-1DAT-FD TR -
RFQ
 ECAD 5849 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 168-wfbga EDB8132 SDRAM-モバイルLPDDR2 1.14V〜1.95V 168-FBGA（12x12） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない EDB8132B4PM-1DAT-F-DTR ear99 8542.32.0036 2,000 533 MHz 揮発性 8gbit ドラム 256m x 32 平行 -
MT29F1T08EMHAFJ4-3R:A TR Micron Technology Inc. MT29F1T08EMHAFJ4-3R：TR -
RFQ
 ECAD 8071 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） sicで中止されました 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 132-VBGA MT29F1T08 フラッシュ -ナンド 2.5V〜3.6V 132-VBGA（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 333 MHz 不揮発性 1tbit フラッシュ 128g x 8 平行 -
MT53D768M64D8WF-053 WT:D TR Micron Technology Inc. MT53D768M64D8WF-053 WT：D TR -
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 ECAD 5251 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 376-WFBGA MT53D768 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 376-WFBGA（14x14） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 1.866 GHz 揮発性 48gbit ドラム 768m x 64 - -
MT29F256G08CMHGBJ4-3R:G TR Micron Technology Inc. MT29F256G08CMHGBJ4-3R：G TR -
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 ECAD 3990 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 132-VBGA MT29F256G08 フラッシュ-nand （mlc） 2.5V〜3.6V 132-VBGA（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 333 MHz 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 平行 -
MT29F2G08ABAEAWP-AITX:E Micron Technology Inc. MT29F2G08ABAEAWP-AITX：e 5.1300
RFQ
 ECAD 880 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F2G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 960 不揮発性 2Gbit フラッシュ 256m x 8 平行 -
MT48LC8M32LFF5-10 Micron Technology Inc. MT48LC8M32LFF5-10 -
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 ECAD 5162 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 90-VFBGA MT48LC8M32 SDRAM- lPSDR 3V〜3.6V 90-VFBGA （8x13 - ROHS非準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 100 MHz 揮発性 256mbit 7 ns ドラム 8m x 32 平行 15ns
MT42L128M32D1U80MWC2 Micron Technology Inc. MT42L128M32D1U80MWC2 -
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 ECAD 4915 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -25°C〜85°C（TC） - - MT42L128M32 SDRAM-モバイルLPDDR2 1.14V〜1.3V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0036 1 揮発性 4gbit ドラム 128m x 32 平行 -
MT25QL512ABB8ESF-0AAT Micron Technology Inc. MT25QL512ABB8ESF-0AAT 8.1150
RFQ
 ECAD 8817 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 バルク アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） MT25QL512 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 16-sop2 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない -791-MT25QL512ABB8ESF-0AAT 3A991B1A 8542.32.0071 1,440 133 MHz 不揮発性 512mbit フラッシュ 64m x 8 spi 8ms、2.8ms
MT29F2T08EELCHD4-QA:C Micron Technology Inc. MT29F2T08EELCHD4-QA：c 41.9550
RFQ
 ECAD 3601 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ - 557-MT29F2T08EELCHD4-QA：c 1
MT40A512M8HX-083E:A Micron Technology Inc. MT40A512M8HX-083E：a -
RFQ
 ECAD 2718 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-TFBGA MT40A512M8 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 78-FBGA （9x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0036 1,000 1.2 GHz 揮発性 4gbit ドラム 512m x 8 平行 -
MT25QL01GBBB8E12E01-2SIT Micron Technology Inc. MT25QL01GBBB8E12E01-2S​​ IT -
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 ECAD 7066 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-tbga MT25QL01 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 24-T-PBGA ダウンロード 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,122 133 MHz 不揮発性 1gbit フラッシュ 128m x 8 spi 8ms、2.8ms
MT44K32M36RCT-125E:A TR Micron Technology Inc. MT44K32M36RCT-125E：TR -
RFQ
 ECAD 9729 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 168-lbga MT44K32M36 rldram 3 1.28V〜1.42V 168-FBGA（13.5x13.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 1,000 800 MHz 揮発性 1.125Gbit 12 ns ドラム 32m x 36 平行 -
M25PX80-VMW6TG TR Micron Technology Inc. M25PX80-VMW6TG TR -
RFQ
 ECAD 7548 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） M25PX80 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 8-SO w ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 1,500 75 MHz 不揮発性 8mbit フラッシュ 1m x 8 spi 15ms、5ms
MT52L256M64D2QB-125 XT:B Micron Technology Inc. MT52L256M64D2QB-125 XT：b -
RFQ
 ECAD 4770 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 - - - MT52L256 SDRAM- lpddr3 1.2V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,190 800 MHz 揮発性 16gbit ドラム 256m x 64 - -
MT29F2G08ABBFAH4-IT:F Micron Technology Inc. MT29F2G08ABBFAH4-IT：f -
RFQ
 ECAD 9431 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 63-VFBGA MT29F2G08 フラッシュ -ナンド 1.7V〜1.95V 63-VFBGA （9x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 1,260 不揮発性 2Gbit フラッシュ 256m x 8 平行 -
MT53D512M64D8TZ-053 WT ES:B Micron Technology Inc. MT53D512M64D8TZ-053 WT ES：b -
RFQ
 ECAD 7165 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜85°C （TC） - - MT53D512 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - - 1 （無制限） 廃止 0000.00.0000 1,190 1.866 GHz 揮発性 32gbit ドラム 512m x 64 - -
MT49H32M18SJ-25:B Micron Technology Inc. MT49H32M18SJ-25：b -
RFQ
 ECAD 9478 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 144-TFBGA MT49H32M18 ドラム 1.7V〜1.9V 144-FBGA（18.5x11） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0028 1,120 400 MHz 揮発性 576mbit 20 ns ドラム 32m x 18 平行 -
EDB130ABDBH-1D-F-D Micron Technology Inc. EDB130ABDBH-1D-FD -
RFQ
 ECAD 5596 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 134-VFBGA EDB130A SDRAM-モバイルLPDDR2 1.14V〜1.95V 134-VFBGA （10x11.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 廃止 0000.00.0000 1,600 533 MHz 揮発性 1gbit ドラム 64m x 16、32m x 32 平行 -
M29W160ET70N6F TR Micron Technology Inc. M29W160ET70N6F TR -
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 ECAD 2950 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） M29W160 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 48-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 1,500 不揮発性 16mbit 70 ns フラッシュ 2m x 8、1m x 16 平行 70ns
MT28FW01GABA1HJS-0AAT Micron Technology Inc. MT28FW01GABA1HJS-0AAT -
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 ECAD 4206 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 バルク アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT28FW01 フラッシュ - 1.7V〜3.6V 56-tsop - 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 576 不揮発性 1gbit 105 ns フラッシュ 64m x 16 平行 60ns
M29F800FT5AM6F2 TR Micron Technology Inc. M29F800FT5AM6F2 TR -
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 ECAD 6192 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 44-SOIC （0.496 "、12.60mm 幅） M29F800 フラッシュ - 4.5v〜5.5V 44-SO ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 500 不揮発性 8mbit 55 ns フラッシュ 1M x 8、512K x 16 平行 55ns
MT41K256M16HA-107 IT:E TR Micron Technology Inc. MT41K256M16HA-107 IT：E TR -
RFQ
 ECAD 8200 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-TFBGA MT41K256M16 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA （9x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 933 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 256m x 16 平行 -
MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.8D Micron Technology Inc. MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.8d -
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 ECAD 9746 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ mt29rz4 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 0000.00.0000 1,190
MT46H64M32LFCX-6 AT:B Micron Technology Inc. MT46H64M32LFCX-6 at：b -
RFQ
 ECAD 9279 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 90-VFBGA MT46H64M32 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 90-VFBGA （9x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0036 1,000 166 MHz 揮発性 2Gbit 5 ns ドラム 64m x 32 平行 15ns
MT41J256M16HA-093:E TR Micron Technology Inc. MT41J256M16HA-093：E Tr -
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 ECAD 2526 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-TFBGA MT41J256M16 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-FBGA （9x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 1.066 GHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 256m x 16 平行 -
MT46V64M8CY-5B AIT:J TR Micron Technology Inc. MT46V64M8CY-5B AIT：J TR -
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 ECAD 2993 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 60-TFBGA mt46v64m8 SDRAM -DDR 2.5V〜2.7V 60-FBGA （8x12.5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 200 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 64m x 8 平行 15ns
MT53D384M32D2DS-046 AIT:C Micron Technology Inc. MT53D384M32D2DS-046 AIT：c -
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 ECAD 2417 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 200-WFBGA MT53D384 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 1,360 2.133 GHz 揮発性 12gbit ドラム 384m x 32 - -
MT44K32M36RB-083E:A TR Micron Technology Inc. MT44K32M36RB-083E：TR -
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 ECAD 9132 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 168-TBGA MT44K32M36 rldram 3 1.28V〜1.42V 168-BGA（13.5x13.5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 1.2 GHz 揮発性 1.125Gbit 7.5 ns ドラム 32m x 36 平行 -
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    毎日の平均RFQボリューム

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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