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メモリ（10402）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT29GZ5A5BPGGA-53IT.87J TR | - |  | 3961 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 149-WFBGA | MT29GZ5A5 | フラッシュ-Nand dram -lpddr4 | 1.8V | 149-WFBGA （8x9.5） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 1866 MHz | 不揮発性、揮発性 | 4gbit （nand ）、4gbit （lpddr4） | フラッシュ、ラム | 512m x 8 | 平行 | - | |||
 | MT40A1G4RH-083E：b | 11.0200 | | 202 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 78-TFBGA | MT40A1G4 | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 78-FBGA （9x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1 | 1.2 GHz | 揮発性 | 4gbit | ドラム | 1g x 4 | 平行 | - | |||
 | MT48H16M32LFCM-6 L IT：B TR | - | | 2514 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 90-VFBGA | MT48H16M32 | SDRAM- lPSDR | 1.7V〜1.95V | 90-VFBGA （10x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 166 MHz | 揮発性 | 512mbit | 5 ns | ドラム | 16m x 32 | 平行 | 15ns | ||
| MT46H128M16LFB7-6 WT：b | - | | 1369 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -25°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 60-VFBGA | MT46H128M16 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 60-vfbga （10x10） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 166 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 5 ns | ドラム | 128m x 16 | 平行 | 15ns | |||
| MT48LC16M8A2BB-6A AIT：L | - | | 4782 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 60-TFBGA | MT48LC16M8A2 | SDRAM | 3V〜3.6V | 60-TFBGA （8x16 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 167 MHz | 揮発性 | 128mbit | 5.4 ns | ドラム | 16m x 8 | 平行 | 12ns | ||
 | MT29F512G08CUCDBJ6-6R：D TR | - | | 7278 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 132-lbga | MT29F512G08 | フラッシュ-nand （mlc） | 2.7V〜3.6V | 132-lbga（12x18） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 166 MHz | 不揮発性 | 512gbit | フラッシュ | 64g x 8 | 平行 | - | |||
 | MT48H16M32L2B5-8 IT | - | | 2861 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | sicで中止されました | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 90-VFBGA | MT48H16M32 | SDRAM- lPSDR | 1.7V〜1.9V | 90-VFBGA （8x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 2（1 年） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 125 MHz | 揮発性 | 512mbit | 7.5 ns | ドラム | 16m x 32 | 平行 | - | ||
| M36L0R7060L3ZSF TR | - | | 7608 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | M36L0R7060 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | |||||||||||||||||
 | MT48LC16M16A2BG-7E：D TR | - | | 5760 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 54-VFBGA | MT48LC16M16A2 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-VFBGA （8x14 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 133 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5.4 ns | ドラム | 16m x 16 | 平行 | 14ns | ||
| mtfc32glxdi-wt tr | - | | 2733 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -25°C〜85°C（タタ | 表面マウント | - | mtfc32g | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | - | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | MMC | - | |||||
| mtfc64gasaqhd-ait | 28.4400 | | 2415 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | AEC-Q104 | 箱 | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 153-VFBGA | フラッシュ-nand（slc） | 2.7V〜3.6V | 153-VFBGA （11.5x13 | - | 557-MTFC64GASAQHD-AIT | 1 | 200 MHz | 不揮発性 | 512gbit | フラッシュ | 64g x 8 | EMMC_5.1 | - | ||||||||
 | MT48LC4M16A2FF4-7E：G TR | - | | 5184 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 54-VFBGA | MT48LC4M16A2 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-VFBGA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 2（1 年） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 133 MHz | 揮発性 | 64mbit | 5.4 ns | ドラム | 4m x 16 | 平行 | 14ns | ||
| MT29F2T08EMLKEM4-ITF：k | 64.8000 | | 3384 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | - | 557-MT29F2T08EMLKEM4-ITF：k | 1 | |||||||||||||||||||||
 | MT53E128M16D1DS-053 AIT：a | - | | 9219 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | トレイ | 廃止 | -40°C〜95°C（TC） | MT53E128 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | MT53E128M16D1DS-053AIT：a | 廃止 | 1,360 | 1.866 GHz | 揮発性 | 2Gbit | ドラム | 128m x 16 | - | - | |||||||
 | M29W400BB90N6 | - | | 3927 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | M29W400 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 48-tsop | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 96 | 不揮発性 | 4mbit | 90 ns | フラッシュ | 512K x 8、256K x 16 | 平行 | 90ns | |||
| MT29F4T08GLLCEG7-QB：C Tr | 78.1500 | | 6433 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | - | 557-MT29F4T08GLLCEG7-QB：CTR | 2,000 | |||||||||||||||||||||
| MT29F4T08EMLCHD4-QC：c | 83.9100 | | 7640 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | - | 557-MT29F4T08EMLCHD4-QC：c | 1 | |||||||||||||||||||||
| MT29F1G16ABBEAM68M3WC2 | - | | 8086 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | - | - | MT29F1G16 | フラッシュ -ナンド | 1.7V〜1.95V | - | - | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 1 | 不揮発性 | 1gbit | フラッシュ | 64m x 16 | 平行 | - | ||||
| MT62F3G32D8DV-023 AIT：b | 86.2050 | | 6007 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | - | 557-MT62F3G32D8DV-023AIT：b | 1 | |||||||||||||||||||||
| mtfc32gasaons-ait | 21.1800 | | 9495 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | AEC-Q104 | 箱 | アクティブ | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 153-TFBGA | フラッシュ-nand（slc） | 2.7V〜3.6V | 153-TFBGA （11.5x13 | - | 557-MTFC32GASAONS-AIT | 1 | 52 MHz | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | UFS2.1 | - | ||||||||
 | JS28F256P30TFA | - | | 4308 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash™ | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | JS28F256P30 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 56-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0051 | 576 | 40 MHz | 不揮発性 | 256mbit | 110 ns | フラッシュ | 16m x 16 | 平行 | 110ns | ||
| MT25QL128ABB1EW7-CSIT | - | | 7252 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | MT25QL128 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-wpdfn | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | -791-MT25QL128ABB1EW7-CSIT | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,940 | 133 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 16m x 8 | spi | 8ms、2.8ms | ||
| MTFC512GBCAVHE-WT | 63.8550 | | 3070 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | - | 557-MTFC512GBCAVHE-WT | 1 | |||||||||||||||||||||
 | mtfc32gapalna-it es tr | - | | 8704 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 100-TBGA | mtfc32g | フラッシュ -ナンド | - | 100-TBGA | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | MMC | - | ||||
| mtfc64gapalht-ait | - | | 9898 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | sicで中止されました | -40°C〜85°C（タタ | mtfc64 | フラッシュ -ナンド | - | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 557-MTFC64GAPALHT-AIT | 8542.32.0071 | 980 | 不揮発性 | 512gbit | フラッシュ | 64g x 8 | MMC | - | |||||||
| MT53E1536M64D8HJ-046AAT：C Tr | 90.3150 | | 4118 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | - | 557-MT53E1536M64D8HJ-046AAT：CTR | 2,000 | |||||||||||||||||||||
| M29F800DT70M6E | - | | 2837 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 44-SOIC （0.525 "、13.34mm 幅） | M29F800 | フラッシュ - | 4.5v〜5.5V | 44-SO | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 16 | 不揮発性 | 8mbit | 70 ns | フラッシュ | 1M x 8、512K x 16 | 平行 | 70ns | |||
 | MT58L64L36FT-7.5 | 5.1700 | | 11 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst™ | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 100-lqfp | sram-標準 | 3.135V〜3.6V | 100-TQFP（14x20.1 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 未定義のベンダー | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 113 MHz | 揮発性 | 2mbit | 7.5 ns | sram | 64k x 36 | 平行 | - | |||
| M58LR256KB70ZQ5F TR | - | | 5690 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -30°C〜85°C（TA） | 表面マウント | 88-TFBGA | M58LR256 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 88-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 66 MHz | 不揮発性 | 256mbit | 70 ns | フラッシュ | 16m x 16 | 平行 | 70ns | ||
| MT29F1G08ABADAWP：d | - | | 8981 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | MT29F1G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 960 | 不揮発性 | 1gbit | フラッシュ | 128m x 8 | 平行 | - |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
在庫倉庫
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