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メモリ（10402）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | mt46v32m8p-6t：g tr | - |  | 8461 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | MT46V32M8 | SDRAM -DDR | 2.3V〜2.7V | 66-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 167 MHz | 揮発性 | 256mbit | 700 ps | ドラム | 32m x 8 | 平行 | 15ns | ||
 | MT29F2G080808ABAGAWP-AIT：G TR | 2.5267 | | 9166 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | MT29F2G08 | フラッシュ-nand（slc） | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 557-MT29F2G08888ABAGAWP-AIT：GTR | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 2Gbit | 20 ns | フラッシュ | 256m x 8 | 平行 | 20ns | |||
 | MT58L256L32FS-8.5IT | 18.9100 | | 9504 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst™ | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 100-lqfp | sram-標準 | 3.135V〜3.6V | 100-TQFP（14x20.1 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 未定義のベンダー | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 100 MHz | 揮発性 | 8mbit | 8.5 ns | sram | 256k x 32 | 平行 | - | |||
 | MT48LC16M16A2P-6A L：g | - | | 3368 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | MT48LC16M16A2 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 167 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5.4 ns | ドラム | 16m x 16 | 平行 | 12ns | ||
 | MT53B512M32D2DS-062 AAT：C Tr | - | | 3096 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜105°C （TC） | 表面マウント | 200-WFBGA | MT53B512 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA （10x14.5 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.6 GHz | 揮発性 | 16gbit | ドラム | 512m x 32 | - | - | |||
 | MT48LC2M32B2B5-6A AIT：J TR | - | | 2873 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 90-VFBGA | MT48LC2M32B2 | SDRAM | 3V〜3.6V | 90-VFBGA （8x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 167 MHz | 揮発性 | 64mbit | 5.4 ns | ドラム | 2m x 32 | 平行 | 12ns | ||
| MT53D4DACR-DC TR | - | | 9643 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | - | - | mt53d4 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | - | - | 1 （無制限） | 廃止 | 0000.00.0000 | 2,000 | 揮発性 | ドラム | ||||||||||||
| MT29F64G088888888888888-IT：TR | - | | 8234 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | MT29F64G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 64gbit | フラッシュ | 8g x 8 | 平行 | - | |||||
 | MT55V512V32PT-6 | 17.3600 | | 230 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | ZBT® | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 100-lqfp | SRAM -ZBT | 2.375V〜2.625V | 100-TQFP（14x20.1 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 166 MHz | 揮発性 | 18mbit | 3.5 ns | sram | 512K x 32 | 平行 | - | |||
| MT29C2G24MAABAKAML-5 IT | - | | 1525 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 153-VFBGA | MT29C2G24 | フラッシュ-nand 、モバイルlpdram | 1.7V〜1.95V | 153-VFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 200 MHz | 不揮発性、揮発性 | 2GBIT （NAND）、1GBIT （LPDRAM） | フラッシュ、ラム | 128m x 16 | 平行 | - | ||||
 | MT53E512M64D4NW-046 IT：e | - | | 2179 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 432-VFBGA | MT53E512 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 432-VFBGA | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 557-MT53E512M64D4NW-046IT：e | 廃止 | 1,360 | 2.133 GHz | 揮発性 | 32gbit | ドラム | 512m x 64 | - | - | ||||
| MT40A8G4CLU-062H：E Tr | 136.1250 | | 1464 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Twindie™ | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 78-TFBGA | MT40A8G4 | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 78-FBGA （7.5x11） | - | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 557-MT40A8G4CLU-062H：ETR | 8542.32.0071 | 2,000 | 1.6 GHz | 不揮発性 | 32gbit | 13.75 ns | ドラム | 8g x 4 | 平行 | - | |||
 | MT29F128G08EBCDBJ4-37ES：D Tr | - | | 9647 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 132-VBGA | MT29F128G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 132-VBGA（12x18） | - | 1 （無制限） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,000 | 267 MHz | 不揮発性 | 128GBIT | フラッシュ | 16g x 8 | 平行 | - | |||||
 | N25Q128A11ESF40G | - | | 5355 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） | N25Q128A11 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 16-SO | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 557-1573-5 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,225 | 108 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 32m x 4 | spi | 8ms、5ms | ||
| MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E TR | - | | 7005 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -25°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 162-VFBGA | MT29RZ4B2 | フラッシュ-nand、dram -lpddr2 | 1.8V | 162-VFBGA （11.5x13 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 533 MHz | 不揮発性、揮発性 | 4gbit（nand | フラッシュ、ラム | 512m x 8 | 平行 | - | |||
| MT42L128M64D4KJ-3それ：a | - | | 2555 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | -25°C〜85°C（TC） | 表面マウント | 216-VFBGA | MT42L128M64 | SDRAM-モバイルLPDDR2 | 1.14V〜1.3V | 216-FBGA（12x12） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 333 MHz | 揮発性 | 8gbit | ドラム | 128m x 64 | 平行 | - | ||||
 | MT29F32G08ABCABH1-10：a | - | | 8425 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 100-VBGA | MT29F32G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 100-VBGA（12x18） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 100 MHz | 不揮発性 | 32gbit | フラッシュ | 4g x 8 | 平行 | - | ||||
| MT49H32M18CBM-18：B Tr | - | | 3504 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 144-TFBGA | MT49H32M18 | ドラム | 1.7V〜1.9V | 144-µbga（18.5x11） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 533 MHz | 揮発性 | 576mbit | 15 ns | ドラム | 32m x 18 | 平行 | - | ||
 | MT49H32M9FM-25 TR | - | | 8921 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 144-TFBGA | MT49H32M9 | ドラム | 1.7V〜1.9V | 144-µbga（18.5x11） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 400 MHz | 揮発性 | 288mbit | 20 ns | ドラム | 32m x 9 | 平行 | - | ||
| mt53e4dcdt-dc tr | 22.5000 | | 6155 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | mt53e4 | - | 影響を受けていない | 557-MT53E4DCDT-DCTR | 2,000 | |||||||||||||||||||
| MT29F32G08AECBBH1-12IT：b | - | | 2083 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 100-VBGA | MT29F32G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 100-VBGA（12x18） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 83 MHz | 不揮発性 | 32gbit | フラッシュ | 4g x 8 | 平行 | - | ||||
| mtfc64gasaons-ait | 37.6950 | | 7651 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | AEC-Q104 | 箱 | アクティブ | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 153-TFBGA | フラッシュ-nand（slc） | 2.7V〜3.6V | 153-TFBGA （11.5x13 | - | 557-MTFC64GASAONS-AIT | 1 | 52 MHz | 不揮発性 | 512gbit | フラッシュ | 64g x 8 | UFS2.1 | - | ||||||||
| MT46H64M16LFBF-5 AAT：b | - | | 9716 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | トレイ | 廃止 | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 60-VFBGA | MT46H64M16 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 60-VFBGA （8x9） | - | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 1,782 | 200 MHz | 揮発性 | 1gbit | 5 ns | ドラム | 64m x 16 | 平行 | 15ns | ||||
| MT46H64M32LFCX-5 AIT：B TR | - | | 7233 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -25°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 90-VFBGA | MT46H64M32 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 90-VFBGA （9x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 200 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 5 ns | ドラム | 64m x 32 | 平行 | 15ns | |||
| M29F200FT5AM6F2 TR | - | | 6118 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 44-SOIC （0.496 "、12.60mm 幅） | M29F200 | フラッシュ - | 4.5v〜5.5V | 44-SO | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | ear99 | 8542.32.0071 | 500 | 不揮発性 | 2mbit | 55 ns | フラッシュ | 256K x 8、128K x 16 | 平行 | 55ns | ||||
 | MT53D1024M32D4DT-053 WT：d | - | | 4518 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 200-VFBGA | MT53D1024 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 200-VFBGA （10x14.5 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,360 | 1.866 GHz | 揮発性 | 32gbit | ドラム | 1g x 32 | - | - | |||
| MT47H32M16HR-3：g | - | | 1294 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 84-TFBGA | MT47H32M16 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-FBGA （8x12.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 333 MHz | 揮発性 | 512mbit | 450 PS | ドラム | 32m x 16 | 平行 | 15ns | |||
| M29W256GH7AZA6E | - | | 1948年年 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 64-TBGA | M29W256 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-TBGA （10x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 136 | 不揮発性 | 256mbit | 70 ns | フラッシュ | 32m x 8、16m x 16 | 平行 | 70ns | ||||
 | M25P32-VMW3GB TR | - | | 6323 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜125°C（タタ | 表面マウント | 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） | M25p3 2 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-SO | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,500 | 75 MHz | 不揮発性 | 32mbit | フラッシュ | 4m x 8 | spi | 15ms、5ms | ||||
| MT29F32G08CBADBWPR：d | - | | 1300 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | MT29F32G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 960 | 不揮発性 | 32gbit | フラッシュ | 4g x 8 | 平行 | - |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
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