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メモリ（10402）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT29F128G08CBCCBH6-6C：c | - |  | 5684 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 152-VBGA | MT29F128G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 152-VBGA（14x18） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 166 MHz | 不揮発性 | 128GBIT | フラッシュ | 16g x 8 | 平行 | - | ||||
 | JS28F256P30TFA | - | | 4308 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash™ | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | JS28F256P30 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 56-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0051 | 576 | 40 MHz | 不揮発性 | 256mbit | 110 ns | フラッシュ | 16m x 16 | 平行 | 110ns | ||
 | MT53E128M32D2DS-046 AAT：a | 12.1200 | | 2 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C （TC） | 表面マウント | 200-WFBGA | MT53E128 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA （10x14.5 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | MT53E128M32D2DS-046AAT：a | ear99 | 8542.32.0036 | 1,360 | 2.133 GHz | 揮発性 | 4gbit | ドラム | 128m x 32 | - | - | ||
 | MT41K256M16TW-107 AIT：P Tr | 8.1700 | | 9844 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 96-TFBGA | MT41K256M16 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-FBGA （8x14） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 933 MHz | 揮発性 | 4gbit | 20 ns | ドラム | 256m x 16 | 平行 | - | ||
 | MT29VZZZCD91SKSM-046 W.17Y TR | 49.5750 | | 3933 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | - | ROHS3準拠 | 557-MT29VZZZCD91SKSM-046W.17YTR | 1 | ||||||||||||||||||||
 | MT29F1G08888ABAFAH4-IT：f | - | | 9994 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 63-VFBGA | MT29F1G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 63-VFBGA （9x11） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,260 | 不揮発性 | 1gbit | フラッシュ | 128m x 8 | 平行 | - | ||||
| MT62F1G64D4EK-023 AIT：b | 58.0650 | | 4296 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | 箱 | アクティブ | - | 表面マウント | 441-TFBGA | SDRAM- lpddr5 | 1.05V | 441-TFBGA | - | 557-MT62F1G64D4EK-023AIT：b | 1 | 4.266 GHz | 揮発性 | 64gbit | ドラム | 1g x 64 | 平行 | - | ||||||||
 | MT48LC8M8A2P-6A：J TR | - | | 9905 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | MT48LC8M8A2 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 2,000 | 167 MHz | 揮発性 | 64mbit | 5.4 ns | ドラム | 8m x 8 | 平行 | 12ns | ||
| mtfc32gasaons-ait | 21.1800 | | 9495 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | AEC-Q104 | 箱 | アクティブ | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 153-TFBGA | フラッシュ-nand（slc） | 2.7V〜3.6V | 153-TFBGA （11.5x13 | - | 557-MTFC32GASAONS-AIT | 1 | 52 MHz | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | UFS2.1 | - | ||||||||
| MT29F4T08EMLCHD4-QC：c | 83.9100 | | 7640 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | - | 557-MT29F4T08EMLCHD4-QC：c | 1 | |||||||||||||||||||||
| MT53E128M16D1DS-053 AIT：a | - | | 9219 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | トレイ | 廃止 | -40°C〜95°C（TC） | MT53E128 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | MT53E128M16D1DS-053AIT：a | 廃止 | 1,360 | 1.866 GHz | 揮発性 | 2Gbit | ドラム | 128m x 16 | - | - | |||||||
| MT62F3G32D8DV-023 AIT：b | 86.2050 | | 6007 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | - | 557-MT62F3G32D8DV-023AIT：b | 1 | |||||||||||||||||||||
 | M29W400BB90N6 | - | | 3927 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | M29W400 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 48-tsop | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 96 | 不揮発性 | 4mbit | 90 ns | フラッシュ | 512K x 8、256K x 16 | 平行 | 90ns | |||
| MT29F1G16ABBEAM68M3WC2 | - | | 8086 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | - | - | MT29F1G16 | フラッシュ -ナンド | 1.7V〜1.95V | - | - | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 1 | 不揮発性 | 1gbit | フラッシュ | 64m x 16 | 平行 | - | ||||
| MT25QL128ABB1EW7-CSIT | - | | 7252 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | MT25QL128 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-wpdfn | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | -791-MT25QL128ABB1EW7-CSIT | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,940 | 133 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 16m x 8 | spi | 8ms、2.8ms | ||
| MT29F2T08EMLKEM4-ITF：k | 64.8000 | | 3384 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | - | 557-MT29F2T08EMLKEM4-ITF：k | 1 | |||||||||||||||||||||
 | mtfc4gmvea-1m wt | - | | 5700 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | バルク | sicで中止されました | -25°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 153-WFBGA | mtfc4 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 153-wfbga（11.5x13 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 32gbit | フラッシュ | 4g x 8 | MMC | - | ||||
| JS28F256M29EWHB TR | - | | 1297 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | JS28F256M29 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 56-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,600 | 不揮発性 | 256mbit | 110 ns | フラッシュ | 32m x 8、16m x 16 | 平行 | 110ns | |||
 | M58LT128KSB8ZA6F TR | - | | 1059 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 64-TBGA | M58LT128 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 64-TBGA （10x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 52 MHz | 不揮発性 | 128mbit | 85 ns | フラッシュ | 8m x 16 | 平行 | 85ns | |||
| N25Q032A13EV140 | - | | 5949 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | - | - | N25Q032A13 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | - | - | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1 | 108 MHz | 不揮発性 | 32mbit | フラッシュ | 8m x 4 | spi | 8ms、5ms | ||||
 | MT46V16M16P-6T：F | - | | 4432 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | MT46V16M16 | SDRAM -DDR | 2.3V〜2.7V | 66-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 2（1 年） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 167 MHz | 揮発性 | 256mbit | 700 ps | ドラム | 16m x 16 | 平行 | 15ns | ||
| NAND512W3A2SZA6F TR | - | | 3465 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 63-TFBGA | NAND512 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 63-VFBGA （9x11） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 不揮発性 | 512mbit | 50 ns | フラッシュ | 64m x 8 | 平行 | 50ns | |||
| MT53B512M64D4EZ-062 WT ES：B TR | - | | 1328 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | - | - | MT53B512 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | - | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,000 | 1.6 GHz | 揮発性 | 32gbit | ドラム | 512m x 64 | - | - | ||||
| M36L0R7050B4ZAQE | - | | 8877 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | M36L0R7050 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 253 | |||||||||||||||||
| mt29f4t08euleem4-qj：e tr | 105.9600 | | 7278 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | - | 557-MT29F4T08EULEEM4-QJ：ETR | 2,000 | |||||||||||||||||||||
 | MT29F1T08EEHAFJ4-3R：TR | - | | 9248 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 132-VBGA | MT29F1T08 | フラッシュ -ナンド | 2.5V〜3.6V | 132-VBGA（12x18） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | MT29F1T08EEHAFJ4-3R：ATR | 廃止 | 8542.32.0071 | 1,000 | 333 MHz | 不揮発性 | 1tbit | フラッシュ | 128g x 8 | 平行 | - | |||
| MT29F2T08EMLGEJ4-ITF：G TR | 70.0350 | | 7558 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | - | 557-MT29F2T08EMLGEJ4-ITF：GTR | 2,000 | |||||||||||||||||||||
 | M25P80-VMW6TGBA TR | - | | 2843 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） | M25P80 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-SO w | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 1,500 | 75 MHz | 不揮発性 | 8mbit | フラッシュ | 1m x 8 | spi | 15ms、5ms | |||
 | MT46H128M16LFDD-48 AIT：c | - | | 3228 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 60-VFBGA | MT46H128M16 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 60-VFBGA （8x9） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,782 | 208 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 5 ns | ドラム | 128m x 16 | 平行 | 14.4ns | ||
| MT29VZZZAD9GUFSM-046 W.213 | 21.6407 | | 8659 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | アクティブ | - | 557-MT29VZZZAD9GUFSM-046W.213 | 1,520 |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
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