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メモリ（10402）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT42L16M32D1AC-25 AAT：A TR | - |  | 6641 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜105°C （TC） | 表面マウント | 134-VFBGA | MT42L16M32 | SDRAM-モバイルLPDDR2 | 1.14V〜1.95V | 134-VFBGA （10x11.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 400 MHz | 揮発性 | 512mbit | ドラム | 16m x 32 | 平行 | - | |||
 | MT62F768M64D4ZU-026 WT：b | 27.9300 | | 6515 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | -25°C〜85°C | - | - | MT62F768 | SDRAM- lpddr5 | - | - | - | 557-MT62F768M64D4ZU-026WT：b | 1 | 3.2 GHz | 揮発性 | 48gbit | ドラム | 768m x 64 | 平行 | - | |||||||
 | MT46H32M16LFBF-5 IT：B TR | - | | 7569 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 60-VFBGA | MT46H32M16 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 60-VFBGA （8x9） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 200 MHz | 揮発性 | 512mbit | 5 ns | ドラム | 32m x 16 | 平行 | 15ns | ||
| MT53D768M64D4SB-046 XT ES：a | - | | 2737 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | 廃止 | -30°C〜105°C（TC） | MT53D768 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | - | 廃止 | 1,190 | 2.133 GHz | 揮発性 | 48gbit | ドラム | 768m x 64 | - | - | ||||||||||
 | M29W160EB70N6 | - | | 7309 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | M29W160 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 48-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 96 | 不揮発性 | 16mbit | 70 ns | フラッシュ | 2m x 8、1m x 16 | 平行 | 70ns | |||
| EMF8132A3MA-DV-FD | - | | 6009 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | EMF8132 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,890 | ||||||||||||||||
| MT53D512M16D1DS-046 IT：D TR | 8.5200 | | 4756 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜95°C | 表面マウント | 200-WFBGA | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.06V〜1.17V | 200-WFBGA （10x14.5 | ダウンロード | 557-MT53D512M16D1DS-046IT：DTR | 2,000 | 2.133 GHz | 揮発性 | 8gbit | ドラム | 512m x 16 | 平行 | - | ||||||||
| M39L0R8090U3ZE6E | - | | 2688 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 133-VFBGA | M39L0R8090 | フラッシュ -モバイルLPDDRSDRAM | 1.7V〜1.95V | 133-VFBGA | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,560 | 不揮発性、揮発性 | 256mbit 、512mbit | 70 ns | フラッシュ、ラム | 16m x 16、32m x 16 | 平行 | - | ||||
 | MT29F16G08ADBCAH4：c | - | | 2256 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 63-VFBGA | MT29F16G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 63-VFBGA （9x11） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,260 | 不揮発性 | 16gbit | フラッシュ | 2g x 8 | 平行 | - | ||||
| MT29F2T08ELLEEG7-QD：e | 52.9800 | | 3786 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | - | 557-MT29F2T08ELLEEG7-QD：e | 1 | |||||||||||||||||||||
 | mtfc64gasaons-ait es tr | - | | 7537 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 153-TFBGA | mtfc64 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 153-TFBGA （11.5x13 | - | 557-MTFC64GASAONS-AITESTRE | 廃止 | 2,000 | 52 MHz | 不揮発性 | 512gbit | フラッシュ | 64g x 8 | MMC | - | ||||||
| EDFP112A3PB-JD-FD TR | - | | 8830 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -30°C〜85°C（TA） | - | - | EDFP112 | SDRAM- lpddr3 | 1.14V〜1.95V | - | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1 | 933 MHz | 揮発性 | 24Gbit | ドラム | 192m x 128 | 平行 | - | ||||
 | mt55v1mv18pt-10 | 17.3600 | | 282 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | ZBT® | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 100-lqfp | mt55v1mv | sram- zbt | 2.375V〜3.465V | 100-TQFP（14x20.1 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 100 MHz | 揮発性 | 18mbit | 5 ns | sram | 1m x 18 | 平行 | - | ||
 | MT29F128G08EBEBBWP：B TR | - | | 4575 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | MT29F128G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,000 | 不揮発性 | 128GBIT | フラッシュ | 16g x 8 | 平行 | - | |||||
 | MT53E512M32D1ZW-046 AUT：B TR | 20.3700 | | 2660 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜125°C | 表面マウント | 200-TFBGA | SDRAM -MOBILE LPDDR4X | 1.06V〜1.17V | 200-TFBGA （10x14.5） | - | 557-MT53E512M32D1ZW-046AUT：BTR | 2,000 | 2.133 GHz | 揮発性 | 16gbit | 3.5 ns | ドラム | 512m x 32 | 平行 | 18ns | |||||||
| MT58L128L18DT-10 | 4.5300 | | 28 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst™ | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 100-lqfp | sram-標準 | 3.135V〜3.6V | 100-TQFP（14x20.1 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 未定義のベンダー | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 500 | 100 MHz | 揮発性 | 2mbit | 5 ns | sram | 128k x 18 | 平行 | - | |||
 | MT48LC2M32B2P-6A IT：J | - | | 2534 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 86-TFSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | MT48LC2M32B2 | SDRAM | 3V〜3.6V | 86-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,080 | 167 MHz | 揮発性 | 64mbit | 5.4 ns | ドラム | 2m x 32 | 平行 | 12ns | ||
| MTFC128GAOAMEA-WT ES | - | | 1754 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | トレイ | sicで中止されました | -25°C〜85°C（タタ | - | - | MTFC128 | フラッシュ -ナンド | - | - | - | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,520 | 不揮発性 | 1tbit | フラッシュ | 128g x 8 | MMC | - | ||||||
| MT60B1G16HC-56B：g | 19.0650 | | 9184 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 102-VFBGA | SDRAM -DDR5 | - | 102-VFBGA （9x14 | - | 557-MT60B1G16HC-56B：g | 1 | 2.8 GHz | 揮発性 | 16gbit | 16 ns | ドラム | 1g x 16 | ポッド | - | |||||||
 | MT46H64M16LFCK-5それ：a | - | | 3978 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 60-VFBGA | MT46H64M16 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 60-VFBGA （10x11.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 200 MHz | 揮発性 | 1gbit | 5 ns | ドラム | 64m x 16 | 平行 | 15ns | ||
 | MT29F512G08CUCABH3-10R：a | - | | 9255 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 100-lbga | MT29F512G08 | フラッシュ-nand （mlc） | 2.7V〜3.6V | 100-lbga（12x18） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 100 MHz | 不揮発性 | 512gbit | フラッシュ | 64g x 8 | 平行 | - | ||||
| MT61K512M32KPA-24：U TR | 33.4650 | | 8915 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 180-tfbga | sgram -gddr6 | 1.3095V〜1.3905V | 180-FBGA（12x14） | - | 557-MT61K512M32KPA-24：UTR | 2,000 | 12 GHz | 揮発性 | 16gbit | ドラム | 512m x 32 | pod_135 | - | ||||||||
 | MT47H64M8JN-25E：g | - | | 2160 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | 0°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 60-TFBGA | MT47H64M8 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 60-fbga （8x10） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | ear99 | 8542.32.0028 | 1,000 | 400 MHz | 揮発性 | 512mbit | 400 PS | ドラム | 64m x 8 | 平行 | 15ns | |||
| MT47H512M4THN-25E：h | - | | 8328 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 63-TFBGA | MT47H512M4 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 63-fbga （8x10） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 400 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 400 PS | ドラム | 512m x 4 | 平行 | 15ns | ||
| MT55L512Y36FT-11 | 18.6700 | | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | ZBT® | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 100-lqfp | SRAM -ZBT | 3.135V〜3.465V | 100-TQFP（14x20.1 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 90 MHz | 揮発性 | 18mbit | 8.5 ns | sram | 512K x 36 | 平行 | - | |||
| N25Q128A13E1441E | - | | 2313 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 24-tbga | N25Q128A13 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 24-bga （6x8） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 187 | 108 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 32m x 4 | spi | 8ms、5ms | ||||
| MT62F1G32D2DS-023 AAT：C Tr | 31.9350 | | 2943 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C | 表面マウント | 200-WFBGA | SDRAM- lpddr5 | 1.05V | 200-WFBGA （10x14.5 | - | 557-MT62F1G32D2DS-023AAT：CTR | 2,000 | 3.2 GHz | 揮発性 | 32gbit | ドラム | 1g x 32 | 平行 | - | ||||||||
| MT29F16G08ABECBM72A3WC1L | 26.7100 | | 4582 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 死ぬ | MT29F16G08 | フラッシュ-nand（slc） | 2.7V〜3.6V | ウェーハ | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 557-MT29F16G08ABECBM72A3WC1L | 1 | 不揮発性 | 16gbit | フラッシュ | 2g x 8 | - | - | |||||
| MT29F1T08EELEEJ4-QA：E TR | 26.4750 | | 8139 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | - | 557-MT29F1T08EELEEJ4-QA：ETR | 2,000 | |||||||||||||||||||||
 | MT45W512KW16PEGA-70 IT TR | - | | 1546 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（TC） | 表面マウント | 48-VFBGA | MT45W512KW16 | psram（pseudo sram | 1.7V〜1.95V | 48-VFBGA （6x8） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 揮発性 | 8mbit | 70 ns | psram | 512K x 16 | 平行 | 70ns |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
在庫倉庫
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