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メモリ（10402）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
MT53E1G64D8NW-053 WT:E Micron Technology Inc. MT53E1G64D8NW-053 WT：e -
RFQ
 ECAD 6939 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ -30°C〜85°C （TC） MT53E1G64 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - 影響を受けていない 0000.00.0000 1,190 1.866 GHz 揮発性 64gbit ドラム 1g x 64 - -
M29F010B70N6E Micron Technology Inc. M29F010B70N6E -
RFQ
 ECAD 3914 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 32-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） M29F010 フラッシュ - 4.5v〜5.5V 32-tsop - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 156 不揮発性 1mbit 70 ns フラッシュ 128k x 8 平行 70ns
MTFC32GASAONS-IT Micron Technology Inc. mtfc32gasaons-it 28.0200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ トレイ アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 153-TFBGA mtfc32g フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 153-TFBGA （11.5x13 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,520 52 MHz 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 MMC -
MT29F4T08EMLCHD4-QJ:C TR Micron Technology Inc. MT29F4T08EMLCHD4-QJ：C Tr 83.9100
RFQ
 ECAD 2109 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ - 557-MT29F4T08EMLCHD4-QJ：CTR 2,000
MT49H64M9FM-25:B TR Micron Technology Inc. MT49H64M9FM-25：B TR -
RFQ
 ECAD 5429 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） sicで中止されました 0°C〜95°C （TC 表面マウント 144-TFBGA MT49H64M9 ドラム 1.7V〜1.9V 144-µbga（18.5x11） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0028 1,000 400 MHz 揮発性 576mbit 20 ns ドラム 64m x 9 平行 -
MT40A256M16LY-062E AAT:F Micron Technology Inc. MT40A256M16LY-062EAAT：f 13.0200
RFQ
 ECAD 4823 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 バルク アクティブ -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 96-TFBGA MT40A256M16 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 96-FBGA （7.5x13.5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない MT40A256M16LY-062EAAT：f ear99 8542.32.0036 1,080 1.6 GHz 揮発性 4gbit 19 ns ドラム 256m x 16 平行 15ns
MT29F512G08AUEBBH8-12:B Micron Technology Inc. MT29F512G08AUEBBH8-12：b -
RFQ
 ECAD 5260 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 152-lbga MT29F512G08 フラッシュ-nand（slc） 2.7V〜3.6V 152-lbga - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 980 83 MHz 不揮発性 512gbit フラッシュ 64g x 8 平行 -
MT41K128M16HA-187E:D Micron Technology Inc. MT41K128M16HA-187E：d -
RFQ
 ECAD 8430 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-TFBGA MT41K128M16 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA （9x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 533 MHz 揮発性 2Gbit 13.125 ns ドラム 128m x 16 平行 -
MT48H16M32LFB5-6 AAT:C TR Micron Technology Inc. MT48H16M32LFB5-6 AAT：C Tr -
RFQ
 ECAD 4651 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 90-VFBGA MT48H16M32 SDRAM- lPSDR 1.7V〜1.95V 90-VFBGA （8x13 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 1,000 166 MHz 揮発性 512mbit 5 ns ドラム 16m x 32 平行 15ns
MT62F4G32D8DV-023 WT:B TR Micron Technology Inc. MT62F4G32D8DV-023 WT：B TR 90.4650
RFQ
 ECAD 1619 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -25°C〜85°C - - SDRAM- lpddr5 - - - 557-MT62F4G32D8DV-023WT：BTR 2,000 4.266 GHz 揮発性 128GBIT ドラム 4g x 32 平行 -
M29W256GH7AZS6F TR Micron Technology Inc. M29W256GH7AZS6F TR -
RFQ
 ECAD 1417 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-lbga M29W256 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-FBGA （11x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,800 不揮発性 256mbit 70 ns フラッシュ 32m x 8、16m x 16 平行 70ns
PC28F00BM29EWHA Micron Technology Inc. PC28F00BM29EWHA -
RFQ
 ECAD 4421 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-lbga PC28F00B フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-FBGA （11x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 184 不揮発性 2Gbit 100 ns フラッシュ 256m x 8、128m x 16 平行 100ns
M29F800FT55N3E2 Micron Technology Inc. M29F800FT55N3E2 -
RFQ
 ECAD 3105 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） M29F800 フラッシュ - 4.5v〜5.5V 48-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 96 不揮発性 8mbit 55 ns フラッシュ 1M x 8、512K x 16 平行 55ns
MT46V64M8P-6T L:F TR Micron Technology Inc. mt46v64m8p-6t L：f tr -
RFQ
 ECAD 6883 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） mt46v64m8 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 66-tsop ダウンロード ROHS3準拠 4 （72 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 64m x 8 平行 15ns
MT29F2G16ABBEAH4-AAT:E Micron Technology Inc. MT29F2G16ABBEAH4-AAT：e 3.7059
RFQ
 ECAD 5936 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 63-VFBGA MT29F2G16 フラッシュ -ナンド 1.7V〜1.95V 63-VFBGA （9x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 不揮発性 2Gbit フラッシュ 128m x 16 平行 -
MT25QL128ABB8ESF-0AUT Micron Technology Inc. MT25QL128ABB8ESF-0AUT 5.8900
RFQ
 ECAD 122 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 箱 sicで中止されました -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） MT25QL128 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 16-sop2 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない -MT25QL128ABB8ESF-0AUT 3A991B1A 8542.32.0071 1,440 133 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi 8ms、2.8ms
MT29F8G08ADADAH4:D TR Micron Technology Inc. MT29F8G08ADADAH4：D TR -
RFQ
 ECAD 5881 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 63-VFBGA MT29F8G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 63-VFBGA （9x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 8gbit フラッシュ 1g x 8 平行 -
RC28F256P30BFA Micron Technology Inc. RC28F256P30BFA -
RFQ
 ECAD 7175 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-TBGA RC28F256 フラッシュ - 1.7V〜2V 64-easybga （10x13） ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0051 864 52 MHz 不揮発性 256mbit 100 ns フラッシュ 16m x 16 平行 100ns
MT29F2G08ABAGAH4-AATES:G Micron Technology Inc. MT29F2G088888ABAGAH4-AATE：g 5.4935
RFQ
 ECAD 1273 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 63-VFBGA MT29F2G08 フラッシュ-nand（slc） 2.7V〜3.6V 63-VFBGA （9x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 8542.32.0071 1,260 不揮発性 2Gbit フラッシュ 256m x 8 平行 -
RC48F4400P0VB00A Micron Technology Inc. RC48F4400P0VB00A -
RFQ
 ECAD 3367 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 64-TBGA RC48F4400 フラッシュ - 1.7V〜2V 64-easybga ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 144 52 MHz 不揮発性 512mbit 85 ns フラッシュ 32m x 16 平行 85ns
EDFA164A2PB-JD-F-R TR Micron Technology Inc. EDFA164A2PB-JD-FR TR -
RFQ
 ECAD 6800 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -30°C〜85°C （TC） - - EDFA164 SDRAM- lpddr3 1.14V〜1.95V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 1,000 933 MHz 揮発性 16gbit ドラム 256m x 64 平行 -
MT29F2G16ABAGAWP-AATES:G TR Micron Technology Inc. MT29F2G16ABAGAWP-AATES：G TR 5.4935
RFQ
 ECAD 3042 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F2G16 フラッシュ-nand（slc） 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない MT29F2G16ABAGAWP-AATES：GTR 0000.00.0000 1,000 不揮発性 2Gbit フラッシュ 128m x 16 平行 -
MT48LC4M16A2B4-75 IT:G TR Micron Technology Inc. MT48LC4M16A2B4-75 IT：G TR -
RFQ
 ECAD 9116 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-VFBGA MT48LC4M16A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-VFBGA ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 133 MHz 揮発性 64mbit 5.4 ns ドラム 4m x 16 平行 15ns
MT29F128G08CFAAAWP-ITZ:A Micron Technology Inc. MT29F128G08CFAAAWP-ITZ：a -
RFQ
 ECAD 7063 0.00000000 Micron Technology Inc. - チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F128G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 960 不揮発性 128GBIT フラッシュ 16g x 8 平行 -
M29W128GL70ZS3F TR Micron Technology Inc. M29W128GL70ZS3F TR -
RFQ
 ECAD 8546 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 64-lbga M29W128 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-FBGA （11x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,800 不揮発性 128mbit 70 ns フラッシュ 16m x 8、8m x 16 平行 70ns
MT29F4T08EULEEM4-QA:E Micron Technology Inc. mt29f4t08euleem4-qa：e 105.9600
RFQ
 ECAD 5258 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ - 557-MT29F4T08EULEEM4-QA：e 1
M29DW127G70ZA6E Micron Technology Inc. M29DW127G70ZA6E -
RFQ
 ECAD 5717 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-TBGA M29DW127 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-TBGA （10x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 136 不揮発性 128mbit 70 ns フラッシュ 16m x 8、8m x 16 平行 70ns
JS28F320J3D75E Micron Technology Inc. JS28F320J3D75E -
RFQ
 ECAD 3804 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash™ トレイ sicで中止されました -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） JS28F320J3 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 56-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 576 不揮発性 32mbit 75 ns フラッシュ 4m x 8、2m x 16 平行 75ns
MT41K1G4THV-125:M Micron Technology Inc. MT41K1G4THV-125：M -
RFQ
 ECAD 8723 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-TFBGA mt41k1g4 SDRAM -DDR3 1.283V〜1.45V 78-FBGA （8x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0036 1,000 800 MHz 揮発性 4gbit 13.75 ns ドラム 1g x 4 平行 -
MT29F2G08ABBEAH4-IT:E Micron Technology Inc. MT29F2G08ABBEAH4-IT：e -
RFQ
 ECAD 7027 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 63-VFBGA MT29F2G08 フラッシュ -ナンド 1.7V〜1.95V 63-VFBGA （9x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 不揮発性 2Gbit フラッシュ 256m x 8 平行 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

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    世界的なメーカー

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    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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