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メモリ（10402）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
MT41J256M16RE-15E IT:D Micron Technology Inc. MT41J256M16RE-15E IT：d -
RFQ
 ECAD 6730 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-TFBGA MT41J256M16 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-FBGA （10x14） - ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0036 1,000 667 MHz 揮発性 4gbit 13.5 ns ドラム 256m x 16 平行 -
MT41K128M8DA-107 IT:J TR Micron Technology Inc. MT41K128M8DA-107 IT：J TR 5.1300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 78-TFBGA MT41K128M8 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 2,000 933 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 128m x 8 平行 -
MT53D1G64D8SQ-053 WT ES:E TR Micron Technology Inc. MT53D1G64D8S​​Q-053 WT ES：E TR -
RFQ
 ECAD 5379 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 556-VFBGA MT53D1G64 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 556-VFBGA（12.4x12.4 - 1 （無制限） ear99 8542.32.0036 2,000 1.866 GHz 揮発性 64gbit ドラム 1g x 64 - -
PC28F128G18FE Micron Technology Inc. PC28F128G18FE -
RFQ
 ECAD 6655 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash™ チューブ 廃止 -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 64-TBGA PC28F128 フラッシュ - 1.7V〜2V 64-easybga ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,800 133 MHz 不揮発性 128mbit 96 ns フラッシュ 8m x 16 平行 96ns
MT53ED1ADS-DC Micron Technology Inc. mt53ed1ads-dc 22.5000
RFQ
 ECAD 9063 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク アクティブ mt53ed1 - 影響を受けていない 557-MT53ED1ADS-DC 1,360
M25P16-VMC6G Micron Technology Inc. M25P16-VMC6G -
RFQ
 ECAD 2323 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-udfn露出パッド M25P16 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-UFDFPN ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 490 75 MHz 不揮発性 16mbit フラッシュ 2m x 8 spi 15ms、5ms
MT29F1G08ABBDAH4:D TR Micron Technology Inc. MT29F1G08ABBDAH4：D TR -
RFQ
 ECAD 5090 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 63-VFBGA MT29F1G08 フラッシュ -ナンド 1.7V〜1.95V 63-VFBGA （9x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 1gbit フラッシュ 128m x 8 平行 -
MT25QU128ABA8E12-1SIT TR Micron Technology Inc. MT25QU128ABA8E12-1SIT TR -
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 ECAD 1931年 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-tbga MT25QU128 フラッシュ - 1.7V〜2V 24-tbga （6x8） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） MT25QU128ABA8E12-1SITTR 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 133 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi 8ms、2.8ms
MT29C4G48MAAGBAAKS-5 WT Micron Technology Inc. mt29c4g48maagbaaks-5 wt -
RFQ
 ECAD 1551 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -25°C〜85°C（タタ 表面マウント 137-VFBGA MT29C4G48 フラッシュ-nand 、モバイルlpdram 1.7V〜1.95V 137-VFBGA（13x10.5） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 200 MHz 不揮発性、揮発性 4gbit（nand フラッシュ、ラム 512m x 8 平行 -
N25Q128A13E1440F TR Micron Technology Inc. N25Q128A13E1440F TR -
RFQ
 ECAD 6531 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-tbga N25Q128A13 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 24-bga （6x8） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 108 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 32m x 4 spi 8ms、5ms
M29F800FB5AM6F2 TR Micron Technology Inc. M29F800FB5AM6F2 TR -
RFQ
 ECAD 9997 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 44-SOIC （0.496 "、12.60mm 幅） M29F800 フラッシュ - 4.5v〜5.5V 44-SO ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 500 不揮発性 8mbit 55 ns フラッシュ 1M x 8、512K x 16 平行 55ns
MT25TU01GHBB8ESF-0SIT TR Micron Technology Inc. MT25TU01GHBB8ESF-0SIT TR -
RFQ
 ECAD 9029 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000
M25P40-VMN3TP/X TR Micron Technology Inc. M25P40-VMN3TP/X TR -
RFQ
 ECAD 8776 0.00000000 Micron Technology Inc. - カットテープ（CT） 廃止 -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） M25P40 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 8-SO ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 2,500 50 MHz 不揮発性 4mbit フラッシュ 512k x 8 spi 15ms、5ms
PC28F640P33B85D Micron Technology Inc. PC28F640P33B85D -
RFQ
 ECAD 5700 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 64-TBGA PC28F640 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 64-easybga （10x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,800 52 MHz 不揮発性 64mbit 85 ns フラッシュ 4m x 16 平行 85ns
MT53E384M32D2DS-053 WT:E Micron Technology Inc. MT53E384M32D2DS-053 WT：e 12.3100
RFQ
 ECAD 7534 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 200-WFBGA MT53E384 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない MT53E384M32D2DS-053WT：e ear99 8542.32.0036 1,360 1.866 GHz 揮発性 12gbit ドラム 384m x 32 - -
PN28F256M29EWHD Micron Technology Inc. PN28F256M29EWHD -
RFQ
 ECAD 4619 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ - - PN28F256M29 フラッシュ - 2.7V〜3.6V - - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 廃止 0000.00.0000 576 不揮発性 256mbit 100 ns フラッシュ 32m x 8、16m x 16 平行 100ns
MT53E256M32D2DS-046 WT:B TR Micron Technology Inc. MT53E256M32D2DS-046 WT：B TR 11.6400
RFQ
 ECAD 9807 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 200-WFBGA MT53E256 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA （10x14.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 557-MT53E256M32D2DS-046WT：BTR 2,000 2.133 GHz 揮発性 8gbit ドラム 256m x 32 - -
M29F400BB90N6 Micron Technology Inc. M29F400BB90N6 -
RFQ
 ECAD 9060 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） M29F400 フラッシュ - 4.5v〜5.5V 48-tsop - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 96 不揮発性 4mbit 90 ns フラッシュ 512K x 8、256K x 16 平行 90ns
MT46H128M32L2KQ-5 WT:B Micron Technology Inc. MT46H128M32L2KQ-5 WT：b -
RFQ
 ECAD 9545 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -25°C〜85°C（タタ 表面マウント 168-wfbga MT46H128M32 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 168-WFBGA（12x12） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0036 1,000 200 MHz 揮発性 4gbit 5 ns ドラム 128m x 32 平行 15ns
MTFC256GBCAQTC-IT Micron Technology Inc. MTFC256GBCAQTC-IT 95.4200
RFQ
 ECAD 1873年 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ - ROHS3準拠 3 （168 時間） 557-MTFC256GBCAQTC-IT 1,520
N25W256A11EF840F TR Micron Technology Inc. N25W256A11EF840F TR -
RFQ
 ECAD 5695 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 100-lbga N25W256 フラッシュ - 1.7V〜2V 100-lbga（14x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 108 MHz 不揮発性 256mbit フラッシュ 64m x 4 spi -
MTFC32GJUEF-AIT TR Micron Technology Inc. mtfc32gjuef-ait tr -
RFQ
 ECAD 7288 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 169-TFBGA mtfc32g フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 169-TFBGA - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 MMC -
MT53D1024M32D4DT-046 AIT:D TR Micron Technology Inc. MT53D1024M32D4DT-046 AIT：D TR 35.5500
RFQ
 ECAD 1052 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） 前回購入します -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 200-VFBGA MT53D1024 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-VFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 2.133 GHz 揮発性 32gbit ドラム 1g x 32 - -
MT40A1G16KH-062E AIT:E Micron Technology Inc. MT40A1G16KH-062E AIT：e 15.6150
RFQ
 ECAD 8976 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 箱 アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-TFBGA SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 96-FBGA （9x13） ダウンロード 557-MT40A1G16KH-062EAIT：e 1 1.6 GHz 揮発性 16gbit 19 ns ドラム 1g x 16 ポッド 15ns
N25Q00AA13G1241F TR Micron Technology Inc. N25Q00AA13G1241F TR -
RFQ
 ECAD 4398 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-lbga N25Q00AA13 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 24-lpbga ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 108 MHz 不揮発性 1gbit フラッシュ 256m x 4 spi 8ms、5ms
MT62F3G32D8DV-026 AIT:B Micron Technology Inc. MT62F3G32D8DV-026 AIT：b 86.2050
RFQ
 ECAD 9714 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 箱 アクティブ -40°C〜95°C - - SDRAM- lpddr5 - - - 557-MT62F3G32D8DV-026AIT：b 1 3.2 GHz 揮発性 96gbit ドラム 3g x 32 平行 -
PC28F128P30BF65A Micron Technology Inc. PC28F128P30BF65A -
RFQ
 ECAD 7394 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-TBGA PC28F128 フラッシュ - 1.7V〜2V 64-easybga （10x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 864 52 MHz 不揮発性 128mbit 65 ns フラッシュ 8m x 16 平行 65ns
MT41J64M16JT-15E IT:G TR Micron Technology Inc. MT41J64M16JT-15E IT：G TR -
RFQ
 ECAD 8587 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-TFBGA MT41J64M16 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-FBGA （8x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 2,000 667 MHz 揮発性 1gbit ドラム 64m x 16 平行 -
MT29F1G08ABAEAWP-ITX:E TR Micron Technology Inc. MT29F1G08ABAEAWP-ITX：E TR 3.2700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F1G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 1gbit フラッシュ 128m x 8 平行 -
MT52L256M64D2PD-107 XT:B TR Micron Technology Inc. MT52L256M64D2PD-107 XT：B TR -
RFQ
 ECAD 6340 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ - 表面マウント 216-WFBGA MT52L256 SDRAM- lpddr3 1.2V 216-FBGA （15x15） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 933 MHz 揮発性 16gbit ドラム 256m x 64 - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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