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メモリ（10402）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT53D2048M32D8QD-053 WT ES：D | - |  | 8437 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | - | - | MT53D2048 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | - | - | 1 （無制限） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,360 | 1.866 GHz | 揮発性 | 64gbit | ドラム | 2g x 32 | - | - | |||||
| MT47H1G4WTR-25E：C Tr | - | | 3615 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 63-FBGA | MT47H1G4 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 63-FBGA （9x11.5 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 400 MHz | 揮発性 | 4gbit | 400 PS | ドラム | 1g x 4 | 平行 | 15ns | ||
 | MT58L512L18PT-7.5 | 6.0500 | | 3 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst™ | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 100-lqfp | sram-標準 | 3.135V〜3.6V | 100-TQFP（14x20.1 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 5 | 133 MHz | 揮発性 | 8mbit | 4 ns | sram | 512K x 18 | 平行 | - | |||
 | mtfc32gakaejp-4m it | - | | 1627 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 153-VFBGA | mtfc32g | フラッシュ -ナンド | - | 153-VFBGA （11.5x13 | - | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,520 | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | MMC | - | |||||||
 | MT53E128M32D2DS-046 AUT：a | 12.1200 | | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | トレイ | アクティブ | -40°C〜125°C | 表面マウント | 200-WFBGA | MT53E128 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA （10x14.5 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | MT53E128M32D2DS-046AUT：a | ear99 | 8542.32.0036 | 1,360 | 2.133 GHz | 揮発性 | 4gbit | ドラム | 128m x 32 | - | - | ||
| mtfc64gaqamea-wt tr | - | | 8668 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -25°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 153-WFBGA | mtfc64 | フラッシュ -ナンド | - | 153-wfbga（11.5x13 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 512gbit | フラッシュ | 64g x 8 | MMC | - | ||||
 | MT25QL512ABB8ESF-0SIT | - | | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） | MT25QL512 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 16-SO | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,440 | 133 MHz | 不揮発性 | 512mbit | フラッシュ | 64m x 8 | spi | 8ms、2.8ms | |||
 | N25Q512A13GF840F TR | - | | 4298 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-vdfn露出パッド | N25Q512A13 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-VDFPN | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4,000 | 108 MHz | 不揮発性 | 512mbit | フラッシュ | 128m x 4 | spi | 8ms、5ms | |||
 | MT41J64M16JT-15E IT：G TR | - | | 8587 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 96-TFBGA | MT41J64M16 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-FBGA （8x14） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 2,000 | 667 MHz | 揮発性 | 1gbit | ドラム | 64m x 16 | 平行 | - | |||
| MT52L256M64D2PD-107 XT：B TR | - | | 6340 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | - | 表面マウント | 216-WFBGA | MT52L256 | SDRAM- lpddr3 | 1.2V | 216-FBGA （15x15） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 933 MHz | 揮発性 | 16gbit | ドラム | 256m x 64 | - | - | |||
 | mtfc32gjuef-ait tr | - | | 7288 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 169-TFBGA | mtfc32g | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 169-TFBGA | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | MMC | - | |||||
| N25Q00AA13G1241F TR | - | | 4398 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 24-lbga | N25Q00AA13 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 24-lpbga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 108 MHz | 不揮発性 | 1gbit | フラッシュ | 256m x 4 | spi | 8ms、5ms | ||||
| N25W256A11EF840F TR | - | | 5695 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 100-lbga | N25W256 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 100-lbga（14x18） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4,000 | 108 MHz | 不揮発性 | 256mbit | フラッシュ | 64m x 4 | spi | - | |||
 | PC28F128P30BF65A | - | | 7394 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash™ | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 64-TBGA | PC28F128 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 64-easybga （10x13） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 864 | 52 MHz | 不揮発性 | 128mbit | 65 ns | フラッシュ | 8m x 16 | 平行 | 65ns | ||
 | MT53D1024M32D4DT-046 AIT：D TR | 35.5500 | | 1052 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | 前回購入します | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 200-VFBGA | MT53D1024 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 200-VFBGA （10x14.5 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 2.133 GHz | 揮発性 | 32gbit | ドラム | 1g x 32 | - | - | |||
| MT62F3G32D8DV-026 AIT：b | 86.2050 | | 9714 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | 箱 | アクティブ | -40°C〜95°C | - | - | SDRAM- lpddr5 | - | - | - | 557-MT62F3G32D8DV-026AIT：b | 1 | 3.2 GHz | 揮発性 | 96gbit | ドラム | 3g x 32 | 平行 | - | ||||||||
 | MT29F1G08ABAEAWP-ITX：E TR | 3.2700 | | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | MT29F1G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 1gbit | フラッシュ | 128m x 8 | 平行 | - | ||||
| mtfc64gazaqhd-ait | 38.9100 | | 1220 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 153-VFBGA | mtfc64 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 153-VFBGA （11.5x13 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 557-MTFC64GAZAQHD-AIT | 1 | 不揮発性 | 512gbit | フラッシュ | 64g x 8 | EMMC | - | |||||
| MT40A1G16KH-062E AIT：e | 15.6150 | | 8976 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | 箱 | アクティブ | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 96-TFBGA | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 96-FBGA （9x13） | ダウンロード | 557-MT40A1G16KH-062EAIT：e | 1 | 1.6 GHz | 揮発性 | 16gbit | 19 ns | ドラム | 1g x 16 | ポッド | 15ns | |||||||
 | NAND512W3A2SN6E | - | | 7416 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | NAND512 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 48-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 576 | 不揮発性 | 512mbit | 50 ns | フラッシュ | 64m x 8 | 平行 | 50ns | |||
| MT41J256M8HX-15E AAT：d | - | | 9876 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | バルク | 廃止 | -40°C〜105°C （TC） | 表面マウント | 78-TFBGA | MT41J256M8 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 78-FBGA （9x11.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 667 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 13.5 ns | ドラム | 256m x 8 | 平行 | - | |||
| M58BW32FT4D150 | - | | 6077 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | - | - | - | M58BW32 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | - | - | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1 | 不揮発性 | 32mbit | 45 ns | フラッシュ | 4m x 8 | 平行 | 45ns | ||||
| MT58L256L32FS-7.5 | 12.8400 | | 426 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst™ | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 100-lqfp | sram-標準 | 3.135V〜3.6V | 100-TQFP（14x20.1 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 未定義のベンダー | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 113 MHz | 揮発性 | 8mbit | 7.5 ns | sram | 256k x 32 | 平行 | - | |||
 | MT40A2G8SA-062E IT：F Tr | 14.9550 | | 4562 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 78-TFBGA | MT40A2G8 | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 78-FBGA （7.5x11） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 557-MT40A2G8SA-062EIT：FTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 1.6 GHz | 揮発性 | 16gbit | 19 ns | ドラム | 2g x 8 | 平行 | 15ns | |
 | MT40A4G4DVN-068H：E Tr | - | | 2043 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 78-TFBGA | MT40A4G4 | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 78-FBGA （7.5x11） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 557-MT40A4G4DVN-068H：ETR | 廃止 | 2,000 | 1.467 GHz | 揮発性 | 16gbit | 27 ns | ドラム | 4g x 4 | 平行 | - | |||
 | JS28F320J3F75F | - | | 7224 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash™ | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | JS28F320J3 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 56-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | -JS28F320J3F75F | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | 不揮発性 | 32mbit | 75 ns | フラッシュ | 4m x 8、2m x 16 | 平行 | 75ns | ||
 | MT40A256M16GE-062E：B TR | - | | 9652 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 96-TFBGA | MT40A256M16 | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 96-FBGA （9x14） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | MT40A256M16GE-062E：BTR | 廃止 | 0000.00.0000 | 2,000 | 1.6 GHz | 揮発性 | 4gbit | ドラム | 256m x 16 | 平行 | - | |||
 | MT53E256M32D2FW-046AIT：b | 14.0850 | | 8237 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | 箱 | 前回購入します | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 200-TFBGA | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.06V〜1.17V | 200-TFBGA （10x14.5） | ダウンロード | 557-MT53E256M32D2FW-046AIT：b | 1 | 2.133 GHz | 揮発性 | 8gbit | 3.5 ns | ドラム | 256m x 32 | 平行 | 18ns | |||||||
 | MT28F400B3SG-8 TET TR | - | | 1858年年 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 44-SOIC （0.496 "、12.60mm 幅） | MT28F400B3 | フラッシュ - | 3V〜3.6V | 44-SO | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 500 | 不揮発性 | 4mbit | 80 ns | フラッシュ | 512K x 8、256K x 16 | 平行 | 80ns | |||
| MT29F512G08EBLEEJ4-T：e | 10.7250 | | 4522 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | 0°C〜70°C | 表面マウント | 132-VBGA | フラッシュ-Nand （TLC） | 2.6V〜3.6V | 132-VBGA（12x18） | - | 557-MT29F512G08EBLEEJ4-T：e | 1 | 不揮発性 | 512gbit | フラッシュ | 64g x 8 | 平行 | - |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
在庫倉庫
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