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メモリ（10402）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | M29W128GL70N6E | - |  | 5774 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | M29W128 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 56-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 576 | 不揮発性 | 128mbit | 70 ns | フラッシュ | 16m x 8、8m x 16 | 平行 | 70ns | |||
 | MT46H16M32LFB5-5 IT：C Tr | 6.1500 | | 3 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 90-VFBGA | MT46H16M32 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 90-VFBGA （8x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 200 MHz | 揮発性 | 512mbit | 5 ns | ドラム | 16m x 32 | 平行 | 15ns | ||
 | M29F200BB70N6T TR | - | | 4320 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | M29F200 | フラッシュ - | 4.5v〜5.5V | 48-tsop | - | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 1,500 | 不揮発性 | 2mbit | 70 ns | フラッシュ | 256K x 8、128K x 16 | 平行 | 70ns | |||
 | MT42L64M64D2LL-18 WT：c | - | | 8533 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 216-WFBGA | MT42L64M64 | SDRAM-モバイルLPDDR2 | 1.14V〜1.3V | 216-FBGA（12x12） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | ear99 | 8542.32.0036 | 1,008 | 533 MHz | 揮発性 | 4gbit | ドラム | 64m x 64 | 平行 | - | ||||
 | MT28FW01GABA1LPC-0AAT TR | 16.5900 | | 4461 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 64-lbga | MT28FW01 | フラッシュ - | 1.7V〜3.6V | 64-lbga（11x13） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 不揮発性 | 1gbit | 105 ns | フラッシュ | 64m x 16 | 平行 | 60ns | |||
 | MT29F1T08CUECBH8-12：C Tr | - | | 6167 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 152-lbga | MT29F1T08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 152-lbga | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 83 MHz | 不揮発性 | 1tbit | フラッシュ | 128g x 8 | 平行 | - | |||
 | MT29F256G08AUCABH3-10：a | - | | 3790 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 100-lbga | MT29F256G08 | フラッシュ-nand（slc） | 2.7V〜3.6V | 100-lbga（12x18） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 100 MHz | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | 平行 | - | ||||
 | RC28F320J3D75B TR | - | | 5257 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash™ | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 64-TBGA | RC28F320 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-easybga （10x13） | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 不揮発性 | 32mbit | 75 ns | フラッシュ | 4m x 8、2m x 16 | 平行 | 75ns | |||
 | MT46H32M16LFBF-6 AIT：C Tr | - | | 7248 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 60-VFBGA | MT46H32M16 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 60-VFBGA （8x9） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 166 MHz | 揮発性 | 512mbit | 5 ns | ドラム | 32m x 16 | 平行 | 15ns | ||
 | M25P20-VMN6TPBA TR | - | | 4473 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | M25P20 | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 8-SO | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 2,500 | 75 MHz | 不揮発性 | 2mbit | フラッシュ | 256k x 8 | spi | 15ms、5ms | |||
 | MT48LC8M16A2TG-75：G TR | - | | 2127 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | MT48LC8M16A2 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | ダウンロード | ROHS非準拠 | 2（1 年） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 133 MHz | 揮発性 | 128mbit | 5.4 ns | ドラム | 8m x 16 | 平行 | 15ns | ||
 | MT29F2G16ABAGAWP-AAT：g | 3.8700 | | 8986 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | MT29F2G16 | フラッシュ-nand（slc） | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 557-MT29F2G16ABAGAWP-AAT：g | 1 | 不揮発性 | 2Gbit | フラッシュ | 128m x 16 | 平行 | - | |||||
| mt29rz4b2dzzhhtb-18i.80f tr | - | | 5978 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 162-VFBGA | MT29RZ4B2 | フラッシュ-nand、dram -lpddr2 | 1.8V | 162-VFBGA（10.5x8） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 533 MHz | 不揮発性、揮発性 | 4gbit（nand | フラッシュ、ラム | 128m x 32（nand）、64m x 32（lpddr2） | 平行 | - | |||
| MT47H128M8HQ-3 L：g | - | | 4591 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 60-FBGA | MT47H128M8 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 60-FBGA （8x11.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 333 MHz | 揮発性 | 1gbit | 450 PS | ドラム | 128m x 8 | 平行 | 15ns | ||
 | MT29F64G08CBEDBJ4-12M：D TR | - | | 7457 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 132-VBGA | MT29F64G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 132-VBGA（12x18） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 83 MHz | 不揮発性 | 64gbit | フラッシュ | 8g x 8 | 平行 | - | |||
 | MT29F2G01AAAEDH4：e | - | | 1894年年 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 63-VFBGA | MT29F2G01 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 63-VFBGA （9x11） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,260 | 不揮発性 | 2Gbit | フラッシュ | 2g x 1 | spi | - | ||||
| M29W800DB70M6 | - | | 4504 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 44-SOIC （0.525 "、13.34mm 幅） | M29W800 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 44-SO | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 16 | 不揮発性 | 8mbit | 70 ns | フラッシュ | 1M x 8、512K x 16 | 平行 | 70ns | |||
 | MT46V256M4TG-6T：a | - | | 5031 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | sicで中止されました | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | MT46V256M4 | SDRAM -DDR | 2.3V〜2.7V | 66-tsop | ダウンロード | ROHS非準拠 | 5 （48 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 167 MHz | 揮発性 | 1gbit | 700 ps | ドラム | 256m x 4 | 平行 | 15ns | ||
| MT29F2G08ABBFAH4：F Tr | - | | 9820 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 63-VFBGA | MT29F2G08 | フラッシュ -ナンド | 1.7V〜1.95V | 63-VFBGA （9x11） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,000 | 不揮発性 | 2Gbit | フラッシュ | 256m x 8 | 平行 | - | |||||
 | MT41K128M16JT-125 M AIT：K Tr | - | | 2753 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 96-TFBGA | MT41K128M16 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-FBGA （8x14） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 800 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 13.75 ns | ドラム | 128m x 16 | 平行 | - | ||
 | PC28F128P33B85A | - | | 6813 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash™ | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（TC） | 表面マウント | 64-TBGA | PC28F128 | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 64-easybga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,800 | 52 MHz | 不揮発性 | 128mbit | 85 ns | フラッシュ | 8m x 16 | 平行 | 85ns | ||
| MT53B256M32D1GZ-062 WT：B TR | - | | 5848 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 200-WFBGA | MT53B256 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA （11x14.5 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,000 | 1.6 GHz | 揮発性 | 8gbit | ドラム | 256m x 32 | - | - | ||||
 | MTFC4GMWDM-3M AIT | - | | 9105 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 153-TFBGA | mtfc4 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 153-TFBGA （11.5x13 | - | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,520 | 不揮発性 | 32gbit | フラッシュ | 4g x 8 | MMC | - | ||||||
 | MT41K64M16JT-15E：G Tr | - | | 6425 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 96-TFBGA | MT41K64M16 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-FBGA （8x14） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 667 MHz | 揮発性 | 1gbit | 13.5 ns | ドラム | 64m x 16 | 平行 | - | |||
 | M45PE10S-VMP6G | - | | 3903 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-vdfn露出パッド | M45PE10 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-VFQFPN （6x5） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | ear99 | 8542.32.0071 | 490 | 75 MHz | 不揮発性 | 1mbit | フラッシュ | 128k x 8 | spi | 3ms | ||||
 | MT46V64M4FG-75E：g | - | | 3193 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | sicで中止されました | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 60-FBGA | mt46v64m4 | SDRAM -DDR | 2.3V〜2.7V | 60-fbga （8x14） | ダウンロード | ROHS非準拠 | 2（1 年） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 133 MHz | 揮発性 | 256mbit | 750 PS | ドラム | 64m x 4 | 平行 | 15ns | ||
| MT42L128M64D2MP-25 WT：A TR | - | | 4891 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 220-WFBGA | MT42L128M64 | SDRAM-モバイルLPDDR2 | 1.14V〜1.3V | 220-FBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 400 MHz | 揮発性 | 8gbit | ドラム | 128m x 64 | 平行 | - | ||||
 | MT25QU128ABA8ESF-0AAT | 4.7300 | | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | バルク | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） | MT25QU128 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 16-sop2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,440 | 133 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 16m x 8 | spi | 8ms、2.8ms | |||
| M25P40-VMP6TGBM3 TR | - | | 4037 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-vdfn露出パッド | M25P40 | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 8-VDFPN | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 廃止 | 0000.00.0000 | 4,000 | 75 MHz | 不揮発性 | 4mbit | フラッシュ | 512k x 8 | spi | 15ms、5ms | ||||
 | mt53b4dbnq-dc | - | | 8876 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 表面マウント | 200-VFBGA | mt53b4 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 200-VFBGA （10x14.5 | - | 1 （無制限） | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,360 | 揮発性 | ドラム |
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