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メモリ（10402）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
MT48LC4M16A2B4-75 IT:G TR Micron Technology Inc. MT48LC4M16A2B4-75 IT：G TR -
RFQ
 ECAD 9116 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-VFBGA MT48LC4M16A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-VFBGA ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 133 MHz 揮発性 64mbit 5.4 ns ドラム 4m x 16 平行 15ns
MT29F128G08CFAAAWP-ITZ:A Micron Technology Inc. MT29F128G08CFAAAWP-ITZ：a -
RFQ
 ECAD 7063 0.00000000 Micron Technology Inc. - チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F128G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 960 不揮発性 128GBIT フラッシュ 16g x 8 平行 -
MT58L128L32P1F-7.5 Micron Technology Inc. MT58L128L32P1F-7.5 7.5200
RFQ
 ECAD 420 0.00000000 Micron Technology Inc. Syncburst™ バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-TBGA sram-標準 3.135V〜3.6V 165-FBGA ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 未定義のベンダー 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 MHz 揮発性 4mbit 4 ns sram 128k x 32 平行 -
MT40A2G8VA-062E:B TR Micron Technology Inc. MT40A2G8VA-062E：B TR -
RFQ
 ECAD 7444 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-TFBGA MT40A2G8 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 78-FBGA （10x11） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） MT40A2G8VA-062E：Btr ear99 8542.32.0036 2,000 1.6 GHz 揮発性 16gbit 19 ns ドラム 4g x 4 平行 15ns
EDFA164A2PB-JD-F-R TR Micron Technology Inc. EDFA164A2PB-JD-FR TR -
RFQ
 ECAD 6800 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -30°C〜85°C （TC） - - EDFA164 SDRAM- lpddr3 1.14V〜1.95V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 1,000 933 MHz 揮発性 16gbit ドラム 256m x 64 平行 -
MT53B1024M64D8PM-062 WT:D Micron Technology Inc. MT53B1024M64D8PM-062 WT：d -
RFQ
 ECAD 4036 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜85°C （TC） - - MT53B1024 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,190 1.6 GHz 揮発性 64gbit ドラム 1g x 64 - -
M29W128GL70ZS3F TR Micron Technology Inc. M29W128GL70ZS3F TR -
RFQ
 ECAD 8546 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 64-lbga M29W128 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-FBGA （11x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,800 不揮発性 128mbit 70 ns フラッシュ 16m x 8、8m x 16 平行 70ns
RC28F256P30BFA Micron Technology Inc. RC28F256P30BFA -
RFQ
 ECAD 7175 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-TBGA RC28F256 フラッシュ - 1.7V〜2V 64-easybga （10x13） ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0051 864 52 MHz 不揮発性 256mbit 100 ns フラッシュ 16m x 16 平行 100ns
MT62F512M64D4EK-031 AIT:B Micron Technology Inc. MT62F512M64D4EK-031AIT：b 29.6100
RFQ
 ECAD 9303 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 箱 アクティブ -40°C〜95°C 表面マウント 441-TFBGA SDRAM- lpddr5 - 441-TFBGA - 557-MT62F512M64D4EK-031AIT：b 1 3.2 GHz 揮発性 32gbit ドラム 512m x 64 平行 -
M25P40-VMN6PB Micron Technology Inc. M25P40-VMN6PB -
RFQ
 ECAD 6378 0.00000000 Micron Technology Inc. - チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） M25P40 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 8-SO ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 557-1583-5 ear99 8542.32.0071 2,000 75 MHz 不揮発性 4mbit フラッシュ 512k x 8 spi 15ms、5ms
MT29F2G08ABBEAH4-IT:E Micron Technology Inc. MT29F2G08ABBEAH4-IT：e -
RFQ
 ECAD 7027 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 63-VFBGA MT29F2G08 フラッシュ -ナンド 1.7V〜1.95V 63-VFBGA （9x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 不揮発性 2Gbit フラッシュ 256m x 8 平行 -
MT41K128M16JT-107 IT:K TR Micron Technology Inc. MT41K128M16JT-107 IT：K Tr 6.4300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-TFBGA MT41K128M16 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA （8x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 933 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 128m x 16 平行 -
MT62F1G64D4EK-023 WT ES:B Micron Technology Inc. MT62F1G64D4EK-023 WT ES：b 45.6900
RFQ
 ECAD 6406 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ - 557-MT62F1G64D4EK-023WTES：b 1
MTFC8GLWDQ-3L AIT A Micron Technology Inc. mtfc8glwdq-3l ait a -
RFQ
 ECAD 9014 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ バルク 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 100-lbga mtfc8 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 100-lbga（14x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） mtfc8glwdq-3laita 廃止 8542.32.0071 1 不揮発性 64gbit フラッシュ 8g x 8 MMC -
MTFC64GAZAOTD-AIT Micron Technology Inc. mtfc64gazaotd-ait 33.5100
RFQ
 ECAD 1489 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ - 557-MTFC64GAZAOTD-AIT 1
MTFC256GASAONS-AIT TR Micron Technology Inc. mtfc256gasaons-ait tr 92.5800
RFQ
 ECAD 9619 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ - 557-MTFC256GASAONS-AITTR 2,000
MTFC16GAKAEEF-AAT TR Micron Technology Inc. mtfc16gakaeef-aat tr -
RFQ
 ECAD 5901 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 169-TFBGA MTFC16 フラッシュ -ナンド - 169-TFBGA - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 128GBIT フラッシュ 16g x 8 MMC -
MT61K512M32KPA-14C:B Micron Technology Inc. MT61K512M32KPA-14C：b -
RFQ
 ECAD 8000 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 180-tfbga MT61K512 sgram -gddr6 1.31V〜1.391V 180-FBGA（12x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 557-MT61K512M32KPA-14C：b 廃止 1,260 7 GHz 揮発性 16gbit ドラム 512m x 32 -
MTFC16GLXDV-WT TR Micron Technology Inc. mtfc16glxdv-wt tr -
RFQ
 ECAD 1666 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ テープ＆リール（ tr） 廃止 -25°C〜85°C（タタ 表面マウント - mtfc16g フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 128GBIT フラッシュ 16g x 8 MMC -
MT58L256L18P1T-10 Micron Technology Inc. MT58L256L18P1T-10 6.4000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. Syncburst™ バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp sram-標準 3.135V〜3.6V 100-TQFP（14x20.1 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 未定義のベンダー 3A991B2A 8542.32.0041 1 100 MHz 揮発性 4mbit 5 ns sram 256k x 18 平行 -
MTFC256GBCAQTC-IT Micron Technology Inc. MTFC256GBCAQTC-IT 95.4200
RFQ
 ECAD 1873年 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ - ROHS3準拠 3 （168 時間） 557-MTFC256GBCAQTC-IT 1,520
PC28F640P33B85D Micron Technology Inc. PC28F640P33B85D -
RFQ
 ECAD 5700 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 64-TBGA PC28F640 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 64-easybga （10x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,800 52 MHz 不揮発性 64mbit 85 ns フラッシュ 4m x 16 平行 85ns
MT29F64G08AFAAAWP-IT:A TR Micron Technology Inc. MT29F64G088888888888888-IT：TR -
RFQ
 ECAD 8234 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F64G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 64gbit フラッシュ 8g x 8 平行 -
MT41K256M16TW-107 AIT:P TR Micron Technology Inc. MT41K256M16TW-107 AIT：P Tr 8.1700
RFQ
 ECAD 9844 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-TFBGA MT41K256M16 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA （8x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 933 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 256m x 16 平行 -
MT55V512V32PT-6 Micron Technology Inc. MT55V512V32PT-6 17.3600
RFQ
 ECAD 230 0.00000000 Micron Technology Inc. ZBT® バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp SRAM -ZBT 2.375V〜2.625V 100-TQFP（14x20.1 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1 166 MHz 揮発性 18mbit 3.5 ns sram 512K x 32 平行 -
MT53E512M64D4NW-046 IT:E Micron Technology Inc. MT53E512M64D4NW-046 IT：e -
RFQ
 ECAD 2179 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 432-VFBGA MT53E512 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 432-VFBGA - ROHS3準拠 3 （168 時間） 557-MT53E512M64D4NW-046IT：e 廃止 1,360 2.133 GHz 揮発性 32gbit ドラム 512m x 64 - -
MT53B512M64D4EZ-062 WT:B TR Micron Technology Inc. MT53B512M64D4EZ-062 WT：B TR -
RFQ
 ECAD 4792 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -30°C〜85°C （TC） - - MT53B512 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 1,000 1.6 GHz 揮発性 32gbit ドラム 512m x 64 - -
MT29F16G08ABCBBM62B3WC1 Micron Technology Inc. MT29F16G08ABCBBM62B3WC1 -
RFQ
 ECAD 9848 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 死ぬ MT29F16G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 死ぬ - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 1 不揮発性 16gbit フラッシュ 2g x 8 平行 -
MT53B256M64D2TP-062 L XT ES:C Micron Technology Inc. MT53B256M64D2TP-062 L XT ES：C -
RFQ
 ECAD 8723 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜105°C（TC） - - MT53B256 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,120 1.6 GHz 揮発性 16gbit ドラム 256m x 64 - -
MT53E256M64D4NZ-053 WT:B Micron Technology Inc. MT53E256M64D4NZ-053 WT：b -
RFQ
 ECAD 2628 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜85°C （TC） MT53E256 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない MT53E256M64D4NZ-053WT：b ear99 8542.32.0036 1,190 1.866 GHz 揮発性 16gbit ドラム 256m x 64 - -
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    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

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    世界的なメーカー

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    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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