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メモリ（10402）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー sicプログラム可能 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
M29DW256G70NF6F TR Micron Technology Inc. M29DW256G70NF6F TR -
RFQ
 ECAD 1309 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） M29DW256 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 56-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,200 不揮発性 256mbit 70 ns フラッシュ 16m x 16 平行 70ns
MT55L256V18P1T Micron Technology Inc. MT55L256V18P1T 5.5100
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Micron Technology Inc. ZBT® バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp SRAM -ZBT 3.135V〜3.6V 100-TQFP（14x20.1 ダウンロード 適用できない 3 （168 時間） 未定義のベンダー 3A991B2A 8542.32.0041 1 100 MHz 揮発性 4mbit 5 ns sram 256k x 18 平行 -
MT53B4DATT-DC Micron Technology Inc. mt53b4datt-dc -
RFQ
 ECAD 9840 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 廃止 mt53b4 SDRAM-モバイルLPDDR4 - 1 （無制限） 廃止 0000.00.0000 1,680 揮発性 ドラム
MT48LC16M8A2TG-75 L:G Micron Technology Inc. MT48LC16M8A2TG-75 L：g -
RFQ
 ECAD 5595 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 sicで中止されました 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT48LC16M8A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS非準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 133 MHz 揮発性 128mbit 5.4 ns ドラム 16m x 8 平行 15ns
MT29F128G08EBCDBJ4-37ES:D Micron Technology Inc. MT29F128G08EBCDBJ4-37ES：d -
RFQ
 ECAD 8088 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 132-VBGA MT29F128G08 フラッシュ -ナンド 確認されていません 2.7V〜3.6V 132-VBGA（12x18） - 1 （無制限） 廃止 0000.00.0000 1,120 267 MHz 不揮発性 128GBIT フラッシュ 16g x 8 平行 -
MT46V16M16TG-6T:F TR Micron Technology Inc. MT46V16M16TG-6T：F Tr -
RFQ
 ECAD 6167 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT46V16M16 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 66-tsop ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 揮発性 256mbit 700 ps ドラム 16m x 16 平行 15ns
MT28F800B5SG-8 B Micron Technology Inc. MT28F800B5SG-8 b -
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 ECAD 8844 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 44-SOIC （0.496 "、12.60mm 幅） MT28F800B5 フラッシュ - 4.5v〜5.5V 44-SO ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 500 不揮発性 8mbit 80 ns フラッシュ 1M x 8、512K x 16 平行 80ns
MT46H16M32LFB5-6 AT:C Micron Technology Inc. MT46H16M32LFB5-6 at：c -
RFQ
 ECAD 9131 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 90-VFBGA MT46H16M32 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 90-VFBGA （8x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,440 166 MHz 揮発性 512mbit 5 ns ドラム 16m x 32 平行 15ns
MT46V16M16TG-75:F Micron Technology Inc. MT46V16M16TG-75：F -
RFQ
 ECAD 9194 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT46V16M16 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 66-tsop ダウンロード ROHS非準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 揮発性 256mbit 750 PS ドラム 16m x 16 平行 15ns
MTFC4GGQDQ-IT TR Micron Technology Inc. mtfc4ggqdq-it tr -
RFQ
 ECAD 6128 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ - - mtfc4 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 32gbit フラッシュ 4g x 8 MMC -
MT62F1G32D4DS-031 IT:B Micron Technology Inc. MT62F1G32D4DS-031 IT：b 25.6350
RFQ
 ECAD 1278 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ -40°C〜95°C 表面マウント 200-WFBGA SDRAM- lpddr5 1.05V 200-WFBGA （10x14.5 - 557-MT62F1G32D4DS-031IT：b 1 3.2 GHz 揮発性 32gbit ドラム 1g x 32 平行 -
MT46H16M32LFCM-6 IT TR Micron Technology Inc. mt46h16m32lfcm-6 it tr -
RFQ
 ECAD 6091 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 90-VFBGA MT46H16M32 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 90-VFBGA （10x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 166 MHz 揮発性 512mbit 5 ns ドラム 16m x 32 平行 15ns
MT40A2G4WE-083E:B TR Micron Technology Inc. MT40A2G4WE-083E：B TR 14.9900
RFQ
 ECAD 720 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-TFBGA MT40A2G4 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 78-FBGA （8x12） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 1.2 GHz 揮発性 8gbit ドラム 2g x 4 平行 -
MT53D512M32D2DS-053 AIT:D TR Micron Technology Inc. MT53D512M32D2DS-053 AIT：D TR 16.5000
RFQ
 ECAD 1298 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） 前回購入します -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 200-WFBGA MT53D512 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 1.866 GHz 揮発性 16gbit ドラム 512m x 32 - -
MT29F256G08CKCABH2-12Z:A Micron Technology Inc. MT29F256G08CKCABH2-12Z：a -
RFQ
 ECAD 1779 0.00000000 Micron Technology Inc. - チューブ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-TBGA MT29F256G08 フラッシュ-nand （mlc） 2.7V〜3.6V 100-tbga（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83 MHz 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 平行 -
MT53E512M32D2NP-046 TR Micron Technology Inc. MT53E512M32D2NP-046 TR -
RFQ
 ECAD 7314 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜95°C 表面マウント 200-WFBGA MT53E512 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA （10x14.5 - 1 （無制限） 廃止 0000.00.0000 2,000 2.133 GHz 揮発性 16gbit ドラム 512m x 32 - -
PC28F256M29EWLD Micron Technology Inc. PC28F256M29EWLD -
RFQ
 ECAD 1788 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-lbga PC28F256 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-FBGA （11x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 184 不揮発性 256mbit 100 ns フラッシュ 32m x 8、16m x 16 平行 100ns
MT53D8DATZ-DC Micron Technology Inc. mt53d8datz-dc -
RFQ
 ECAD 8277 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 - - mt53d8 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 廃止 0000.00.0000 1,190 揮発性 ドラム - -
MT53D384M64D4KA-046 XT:E TR Micron Technology Inc. MT53D384M64D4KA-046 XT：E TR 36.7950
RFQ
 ECAD 1477 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -30°C〜105°C（TC） - - MT53D384 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 2.133 GHz 揮発性 24Gbit ドラム 384m x 64 - -
MT29F128G08AKCABH2-10ITZ:A Micron Technology Inc. MT29F128G08AKCABH2-10ITZ：a 159.3000
RFQ
 ECAD 983 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 100-TBGA MT29F128G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 100-TBGA（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,120 100 MHz 不揮発性 128GBIT フラッシュ 16g x 8 平行 -
MT29F4T08EUHAFM4-3T:A TR Micron Technology Inc. MT29F4T08EUHAFM4-3T：TR -
RFQ
 ECAD 2536 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） - - MT29F4T08 フラッシュ -ナンド 2.5V〜3.6V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 333 MHz 不揮発性 4tbit フラッシュ 512g x 8 平行 -
M25P80S-VMN6TP TR Micron Technology Inc. M25P80S-VMN6TP TR -
RFQ
 ECAD 8207 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） M25P80 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-SO ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0071 2,500 75 MHz 不揮発性 8mbit フラッシュ 1m x 8 spi 15ms、5ms
MT29RZ8C4DZZHGPL-18 W.81U Micron Technology Inc. MT29RZ8C4DZZHGPL-18 W.81U -
RFQ
 ECAD 9285 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000
MT29E256G08CMCABJ2-10Z:A TR Micron Technology Inc. MT29E256G08CMCABJ2-10Z：TR -
RFQ
 ECAD 7028 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 132-VBGA MT29E256G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 132-VBGA（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 100 MHz 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 平行 -
MT53D1G32D4BD-053 WT ES:D Micron Technology Inc. MT53D1G32D4BD-053 WT ES：d -
RFQ
 ECAD 9774 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -30°C〜85°C （TC） MT53D1G32 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - 1 （無制限） 廃止 0000.00.0000 1,360 1.866 GHz 揮発性 32gbit ドラム 1g x 32 - -
NAND08GW3F2AN6E Micron Technology Inc. NAND08GW3F2AN6E -
RFQ
 ECAD 9135 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） NAND08G フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない -NAND08GW3F2AN6E 3A991B1A 8542.32.0051 96 不揮発性 8gbit 25 ns フラッシュ 1g x 8 平行 25ns
M29F160FB55N3E2 Micron Technology Inc. M29F160FB55N3E2 -
RFQ
 ECAD 2809 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） M29F160 フラッシュ - 4.5v〜5.5V 48-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 96 不揮発性 16mbit 55 ns フラッシュ 2m x 8、1m x 16 平行 55ns
MT48H4M32LFB5-6 IT:K Micron Technology Inc. MT48H4M32LFB5-6 IT：k -
RFQ
 ECAD 6829 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 90-VFBGA MT48H4M32 SDRAM- lPSDR 1.7V〜1.95V 90-VFBGA （8x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 166 MHz 揮発性 128mbit 5 ns ドラム 4m x 32 平行 15ns
MT46V16M16CY-5B IT:M TR Micron Technology Inc. MT46V16M16CY-5B IT：M TR 5.9988
RFQ
 ECAD 8418 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 60-TFBGA MT46V16M16 SDRAM -DDR 2.5V〜2.7V 60-FBGA （8x12.5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 200 MHz 揮発性 256mbit 700 ps ドラム 16m x 16 平行 15ns
RC28F128P33BF60A Micron Technology Inc. RC28F128P33BF60A -
RFQ
 ECAD 8456 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 64-TBGA RC28F128 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 64-easybga ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 300 52 MHz 不揮発性 128mbit 60 ns フラッシュ 8m x 16 平行 60ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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