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メモリ（10402）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | mtfc32gapalna-ait es | - |  | 4188 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 100-TBGA | mtfc32g | フラッシュ -ナンド | - | 100-TBGA | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | MMC | - | ||||
 | MT53E512M32D2FW-046AAT：d | 19.1100 | | 6041 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | 箱 | 前回購入します | -40°C〜105°C | 表面マウント | 200-TFBGA | SDRAM-モバイルLPDDR4 | - | 200-TFBGA （10x14.5） | ダウンロード | 557-MT53E512M32D2FW-046AAT：d | 1 | 2.133 GHz | 揮発性 | 16gbit | ドラム | 512m x 32 | 平行 | - | ||||||||
 | MT62F1G64D8EK-031 AUT：b | 71.3850 | | 9767 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | 箱 | アクティブ | -40°C〜125°C | 表面マウント | 441-TFBGA | SDRAM- lpddr5 | 1.05V | 441-TFBGA | - | 557-MT62F1G64D8EK-031AUT：b | 1 | 3.2 GHz | 揮発性 | 64gbit | ドラム | 1g x 64 | 平行 | - | ||||||||
| MT29F4G01ABBFDM70A3WC1 | 3.5200 | | 2794 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 死ぬ | MT29F4G01 | フラッシュ-nand（slc） | 1.7V〜1.95V | 死ぬ | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 0000.00.0000 | 1 | 不揮発性 | 4gbit | フラッシュ | 4g x 1 | spi | - | |||||
| MT53E384M32D2FW-046 AIT：e | 10.7700 | | 2007年 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | ダウンロード | 557-MT53E384M32D2FW-046AIT：e | 1 | |||||||||||||||||||||
| MT66R7072A10AB5ZW.ZCA TR | - | | 6871 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -25°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 121-WFBGA | MT66R7072 | PCM -LPDDR2、MCP -LPDDR2 | 1.14V〜1.95V | 121-VFBGA （11x10） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 166 MHz | 不揮発性 | 1GBIT （PCM | ラム | 128m x 8（PCM | 平行 | - | ||||
| mtfc16gltam-wt tr | - | | 2272 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -25°C〜85°C（タタ | 表面マウント | - | mtfc16g | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | - | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 128GBIT | フラッシュ | 16g x 8 | MMC | - | |||||
| N25Q128A13E1440E | - | | 1037 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 24-tbga | N25Q128A13 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 24-bga （6x8） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 187 | 108 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 32m x 4 | spi | 8ms、5ms | ||||
| MT29VZZZAD8HQKPR-053 W ES.G8C TR | - | | 5061 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | mt29vzzzad8 | - | 1 （無制限） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,000 | ||||||||||||||||||
 | MT46H64M32LFMA-5 WT：B TR | - | | 2469 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -25°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 168-wfbga | MT46H64M32 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 168-WFBGA（12x12） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 200 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 5 ns | ドラム | 64m x 32 | 平行 | 15ns | |||
| MT49H32M18BM-18：B TR | - | | 2027 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 144-TFBGA | MT49H32M18 | ドラム | 1.7V〜1.9V | 144-µbga（18.5x11） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 533 MHz | 揮発性 | 576mbit | 15 ns | ドラム | 32m x 18 | 平行 | - | ||
 | mtfc8gacaens-k1 ait tr | - | | 1461 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 153-TFBGA | mtfc8 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 153-TFBGA （11.5x13 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 64gbit | フラッシュ | 8g x 8 | MMC | - | ||||
| MT42L256M32D2LK-25 WT：TR | - | | 9619 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 216-WFBGA | MT42L256M32 | SDRAM-モバイルLPDDR2 | 1.14V〜1.3V | 216-FBGA（12x12） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 400 MHz | 揮発性 | 8gbit | ドラム | 256m x 32 | 平行 | - | ||||
 | MT35XL512ABA1G12-0SIT TR | - | | 3780 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Xccela™-MT35X | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C | 表面マウント | 24-tbga | mt35xl512 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 24-T-PBGA | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | MT35XL512ABA1G12-0SITTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 133 MHz | 不揮発性 | 512mbit | フラッシュ | 64m x 8 | xccelaバス | - | ||
| MT53E768M32D2FW-046 AUT：c | 43.6350 | | 6976 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | - | 557-MT53E768M32D2FW-046AUT：c | 1 | |||||||||||||||||||||
 | MT42L32M32D2AC-25 AAT：A TR | - | | 4129 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜105°C （TC） | 表面マウント | 134-VFBGA | MT42L32M32 | SDRAM-モバイルLPDDR2 | 1.14V〜1.95V | 134-FBGA （10x11.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 400 MHz | 揮発性 | 1gbit | ドラム | 32m x 32 | 平行 | - | |||
| MT53E512M32D4NQ-053 RS WT：F TR | - | | 1179 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | - | 557-MT53E512M32D4NQ-053RSWT：FTR | 廃止 | 2,000 | ||||||||||||||||||||
 | mt46v32m8cy-5b：m tr | - | | 2246 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 60-TFBGA | MT46V32M8 | SDRAM -DDR | 2.5V〜2.7V | 60-FBGA （8x12.5） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 200 MHz | 揮発性 | 256mbit | 700 ps | ドラム | 32m x 8 | 平行 | 15ns | ||
| MT29F512G08EBLEEJ4-QJ：e | 13.2450 | | 6614 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | - | 557-MT29F512G08EBLEEJ4-QJ：e | 1 | |||||||||||||||||||||
| MT46H64M32LFCX-6 AT：B TR | - | | 2519 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 90-VFBGA | MT46H64M32 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 90-VFBGA （9x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 166 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 5 ns | ドラム | 64m x 32 | 平行 | 15ns | |||
 | MT29F1G16ABBEAHC-IT：e | - | | 3166 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 63-VFBGA | MT29F1G16 | フラッシュ -ナンド | 1.7V〜1.95V | 63-VFBGA（10.5x13） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 1gbit | フラッシュ | 64m x 16 | 平行 | - | ||||
 | MT29RZ2B1DZZHGWD-18I.83G TR | - | | 2279 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 162-VFBGA | MT29RZ2B1 | フラッシュ-nand、dram -lpddr2 | 1.8V | 162-VFBGA（10.5x8） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 533 MHz | 不揮発性、揮発性 | 2GBIT「NAND ）、1GBit （LPDDR2」 | フラッシュ、ラム | 256M x 8 | 平行 | - | |||
 | MT29F2T08EMHBFJ4-T：B TR | - | | 2212 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 132-VBGA | MT29F2T08 | フラッシュ-Nand （TLC） | 1.7V〜1.95V | 132-VBGA（12x18） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 557-MT29F2T08EMHBFJ4-T：BTR | 廃止 | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 2tbit | フラッシュ | 256g x 8 | 平行 | - | |||
| N25Q016A11EV7A0 | - | | 3506 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | バルク | 廃止 | -40°C〜125°C（タタ | - | - | N25Q016A11 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | - | - | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1 | 108 MHz | 不揮発性 | 16mbit | フラッシュ | 2m x 8 | spi | 8ms、1ms | ||||
| MT29F1G16ABBDAHC-IT：D TR | - | | 2716 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 63-VFBGA | MT29F1G16 | フラッシュ -ナンド | 1.7V〜1.95V | 63-VFBGA（10.5x13） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 1gbit | フラッシュ | 64m x 16 | 平行 | - | ||||
| MT49H32M18CFM-18：B Tr | - | | 8085 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | sicで中止されました | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 144-TFBGA | MT49H32M18 | ドラム | 1.7V〜1.9V | 144-µbga（18.5x11） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0028 | 1,000 | 533 MHz | 揮発性 | 576mbit | 15 ns | ドラム | 32m x 18 | 平行 | - | ||
 | N25Q128A31EF840E | - | | 8034 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-vdfn露出パッド | N25Q128A31 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 8-VDFPN | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,920 | 108 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 32m x 4 | spi | 8ms、5ms | ||||
 | PC28F256M29EWLB TR | - | | 5209 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 64-lbga | PC28F256 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-FBGA （11x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 不揮発性 | 256mbit | 100 ns | フラッシュ | 32m x 8、16m x 16 | 平行 | 100ns | ||||
 | MT53E128M16D1DS-046 AIT：a | - | | 7913 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | トレイ | 廃止 | -40°C〜95°C（TC） | MT53E128 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | MT53E128M16D1DS-046AIT：a | 廃止 | 1,360 | 2.133 GHz | 揮発性 | 2Gbit | ドラム | 128m x 16 | - | - | |||||||
 | MT40A1G8WE-075E IT：b | - | | 5752 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 78-TFBGA | MT40A1G8 | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 78-FBGA （8x12） | ダウンロード | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,900 | 1.33 GHz | 揮発性 | 8gbit | ドラム | 1g x 8 | 平行 | - |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
在庫倉庫
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