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メモリ（10402）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
MT49H8M36BM-5:B Micron Technology Inc. MT49H8M36BM-5：b -
RFQ
 ECAD 1534 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ sicで中止されました 0°C〜95°C （TC 表面マウント 144-TFBGA MT49H8M36 ドラム 1.7V〜1.9V 144-µbga（18.5x11） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0028 1,000 200 MHz 揮発性 288mbit 20 ns ドラム 8m x 36 平行 -
MT29F2G16ABBEAH4-IT:E Micron Technology Inc. MT29F2G16ABBEAH4-IT：e -
RFQ
 ECAD 5756 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 63-VFBGA MT29F2G16 フラッシュ -ナンド 1.7V〜1.95V 63-VFBGA （9x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 不揮発性 2Gbit フラッシュ 128m x 16 平行 -
N25Q064A13EW94ME Micron Technology Inc. N25Q064A13EW94ME -
RFQ
 ECAD 7726 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ - - N25Q064A13 フラッシュ - 2.7V〜3.6V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,920 108 MHz 不揮発性 64mbit フラッシュ 16m x 4 spi 8ms、5ms
MT28GU512AAA2EGC-0AAT Micron Technology Inc. MT28GU512AAA2EGC-0AAT -
RFQ
 ECAD 5737 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 バルク 廃止 -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 64-TBGA MT28GU512 フラッシュ - 1.7V〜2V 64-TBGA （10x8） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 廃止 0000.00.0000 1,800 133 MHz 不揮発性 512mbit 96 ns フラッシュ 64m x 8 平行 -
MT29F64G08CBCGBJ4-5M:G TR Micron Technology Inc. MT29F64G08CBCGBJ4-5M：G TR -
RFQ
 ECAD 1893 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 132-VBGA MT29F64G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 132-VBGA（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 200 MHz 不揮発性 64gbit フラッシュ 8g x 8 平行 -
MT53D1G64D8NZ-046 WT:E Micron Technology Inc. MT53D1G64D8NZ-046 WT：e 98.1150
RFQ
 ECAD 1247 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 376-WFBGA MT53D1G64 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 376-WFBGA（14x14） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,190 2.133 GHz 揮発性 64gbit ドラム 1g x 64 - -
MT53E768M32D4DT-046 WT:E TR Micron Technology Inc. MT53E768M32D4DT-046 WT：E TR 21.4881
RFQ
 ECAD 3216 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C 表面マウント 200-VFBGA MT53E768 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-VFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） MT53E768M32D4DT-046WT：ETR ear99 8542.32.0036 2,000 2.133 GHz 揮発性 24Gbit ドラム 768m x 32 - -
MT28FW01GABA1LPC-0AAT TR Micron Technology Inc. MT28FW01GABA1LPC-0AAT TR 16.5900
RFQ
 ECAD 4461 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 64-lbga MT28FW01 フラッシュ - 1.7V〜3.6V 64-lbga（11x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 不揮発性 1gbit 105 ns フラッシュ 64m x 16 平行 60ns
MT48V8M32LFB5-10 IT Micron Technology Inc. MT48V8M32LFB5-10 IT -
RFQ
 ECAD 6315 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 90-VFBGA mt48v8m32 SDRAM- lPSDR 2.3V〜2.7V 90-VFBGA （8x13 - ROHS3準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 100 MHz 揮発性 256mbit 7 ns ドラム 8m x 32 平行 15ns
NAND04GW3B2DN6E Micron Technology Inc. NAND04GW3B2DN6E -
RFQ
 ECAD 8672 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ sicで中止されました -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） NAND04G フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない -NAND04GW3B2DN6E 3A991B1A 8542.32.0071 576 不揮発性 4gbit 25 ns フラッシュ 512m x 8 平行 25ns
MT29F1G16ABBEAHC-AIT:E TR Micron Technology Inc. mt29f1g166666666666666 -
RFQ
 ECAD 1728 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 63-VFBGA MT29F1G16 フラッシュ -ナンド 1.7V〜1.95V 63-VFBGA（10.5x13） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 1gbit フラッシュ 64m x 16 平行 -
MT25QL01GBBA8E12-1SIT TR Micron Technology Inc. MT25QL01GBBA8E12-1SIT TR -
RFQ
 ECAD 4554 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-tbga MT25QL01 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 24-T-PBGA - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 133 MHz 不揮発性 1gbit フラッシュ 128m x 8 spi 8ms、2.8ms
MT48LC8M16LFB4-10:G Micron Technology Inc. MT48LC8M16LFB4-10：g -
RFQ
 ECAD 7023 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 sicで中止されました 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 54-VFBGA MT48LC8M16 SDRAM- lPSDR 3V〜3.6V 54-VFBGA ダウンロード ROHS3準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 100 MHz 揮発性 128mbit 7 ns ドラム 8m x 16 平行 15ns
RD28F1604C3BD70A Micron Technology Inc. RD28F1604C3BD70A -
RFQ
 ECAD 5104 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -25°C〜85°C（タタ 表面マウント 66-LFBGA 、CSPBGA RD28F1604 sram 2.7V〜3.3V 66-scsp（12x8） ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 1,800 不揮発性、揮発性 16mbit （フラッシュ）、4mbit（ram） 70 ns フラッシュ、ラム - 平行 70ns
MT46H128M16LFCK-5 IT:A Micron Technology Inc. MT46H128M16LFCK-5それ：a -
RFQ
 ECAD 9742 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 60-VFBGA MT46H128M16 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 60-VFBGA （10x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 200 MHz 揮発性 2Gbit 5 ns ドラム 128m x 16 平行 15ns
MT46H4M32LFB5-5:K Micron Technology Inc. MT46H4M32LFB5-5：k -
RFQ
 ECAD 2464 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ sicで中止されました 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 90-VFBGA MT46H4M32 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 90-VFBGA （8x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 200 MHz 揮発性 128mbit 5 ns ドラム 4m x 32 平行 15ns
MT29F64G08CBEDBJ4-12M:D TR Micron Technology Inc. MT29F64G08CBEDBJ4-12M：D TR -
RFQ
 ECAD 7457 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 132-VBGA MT29F64G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 132-VBGA（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 83 MHz 不揮発性 64gbit フラッシュ 8g x 8 平行 -
MT46H16M32LFB5-5 IT:C TR Micron Technology Inc. MT46H16M32LFB5-5 IT：C Tr 6.1500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 90-VFBGA MT46H16M32 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 90-VFBGA （8x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 200 MHz 揮発性 512mbit 5 ns ドラム 16m x 32 平行 15ns
MT40A2G4TRF-083E:A Micron Technology Inc. MT40A2G4TRF-083E：a -
RFQ
 ECAD 7516 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-TFBGA MT40A2G4 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 78-FBGA （9.5x11.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0036 1,000 1.2 GHz 揮発性 8gbit ドラム 2g x 4 平行 -
MT29F1T08CUECBH8-12:C TR Micron Technology Inc. MT29F1T08CUECBH8-12：C Tr -
RFQ
 ECAD 6167 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 152-lbga MT29F1T08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 152-lbga - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83 MHz 不揮発性 1tbit フラッシュ 128g x 8 平行 -
M29W128GL70N6E Micron Technology Inc. M29W128GL70N6E -
RFQ
 ECAD 5774 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） M29W128 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 56-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 576 不揮発性 128mbit 70 ns フラッシュ 16m x 8、8m x 16 平行 70ns
MT48H8M32LFB5-75 AT:H Micron Technology Inc. MT48H8M32LFB5-75 at：h -
RFQ
 ECAD 6325 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 90-VFBGA MT48H8M32 SDRAM- lPSDR 1.7V〜1.95V 90-VFBGA （8x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 揮発性 256mbit 5.4 ns ドラム 8m x 32 平行 15ns
MT42L64M64D2LL-18 WT:C Micron Technology Inc. MT42L64M64D2LL-18 WT：c -
RFQ
 ECAD 8533 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 216-WFBGA MT42L64M64 SDRAM-モバイルLPDDR2 1.14V〜1.3V 216-FBGA（12x12） - ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0036 1,008 533 MHz 揮発性 4gbit ドラム 64m x 64 平行 -
MT48LC8M8A2P-7E:G Micron Technology Inc. MT48LC8M8A2P-7E：g -
RFQ
 ECAD 2426 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT48LC8M8A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 133 MHz 揮発性 64mbit 5.4 ns ドラム 8m x 8 平行 14ns
M29F200BB70N6T TR Micron Technology Inc. M29F200BB70N6T TR -
RFQ
 ECAD 4320 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） M29F200 フラッシュ - 4.5v〜5.5V 48-tsop - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 1,500 不揮発性 2mbit 70 ns フラッシュ 256K x 8、128K x 16 平行 70ns
MT28F800B5SG-8 BET Micron Technology Inc. MT28F800B5SG-8ベット -
RFQ
 ECAD 1154 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 44-SOIC （0.496 "、12.60mm 幅） MT28F800B5 フラッシュ - 4.5v〜5.5V 44-SO ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 500 不揮発性 8mbit 80 ns フラッシュ 1M x 8、512K x 16 平行 80ns
EDFP112A3PF-JD-F-D Micron Technology Inc. EDFP112A3PF-JD-FD -
RFQ
 ECAD 3309 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜85°C（TA） - - EDFP112 SDRAM- lpddr3 1.14V〜1.95V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 1,190 933 MHz 揮発性 24Gbit ドラム 192m x 128 平行 -
PC28F128P33B85A Micron Technology Inc. PC28F128P33B85A -
RFQ
 ECAD 6813 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 64-TBGA PC28F128 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 64-easybga ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,800 52 MHz 不揮発性 128mbit 85 ns フラッシュ 8m x 16 平行 85ns
MT53B256M32D1GZ-062 WT:B TR Micron Technology Inc. MT53B256M32D1GZ-062 WT：B TR -
RFQ
 ECAD 5848 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 200-WFBGA MT53B256 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA （11x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 1,000 1.6 GHz 揮発性 8gbit ドラム 256m x 32 - -
M58LR256KB70ZC5F TR Micron Technology Inc. M58LR256KB70ZC5F TR -
RFQ
 ECAD 5076 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -30°C〜85°C（TA） 表面マウント 79-VFBGA M58LR256 フラッシュ - 1.7V〜2V 79-VFBGA （9x11） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 66 MHz 不揮発性 256mbit 70 ns フラッシュ 16m x 16 平行 70ns
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    毎日の平均RFQボリューム

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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