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メモリ（10402）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
MTFC128GBCAQTC-IT TR Micron Technology Inc. mtfc128gbcaqtc-it tr 37.0125
RFQ
 ECAD 2511 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ - 557-MTFC128GBCAQTC-ITTR 2,000
MT25QU128ABA1EW7-0SIT Micron Technology Inc. MT25QU128ABA1EW7-0SIT 4.1200
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド MT25QU128 フラッシュ - 1.7V〜2V 8-wpdfn ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,940 133 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi 8ms、2.8ms
MT29E256G08CBHBBJ4-3ES:B Micron Technology Inc. MT29E256G08CBHBBJ4-3ES：b -
RFQ
 ECAD 7786 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 132-VBGA MT29E256G08 フラッシュ -ナンド 2.5V〜3.6V 132-VBGA（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 1,120 333 MHz 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 平行 -
MT44K32M18RB-107E:B Micron Technology Inc. MT44K32M18RB-107E：b 46.0350
RFQ
 ECAD 3773 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 168-TBGA MT44K32M18 ドラム 1.28V〜1.42V 168-BGA（13.5x13.5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 1,190 933 MHz 揮発性 576mbit 8 ns ドラム 32m x 18 平行 -
MT53D512M32D2DS-053 AIT:D TR Micron Technology Inc. MT53D512M32D2DS-053 AIT：D TR 16.5000
RFQ
 ECAD 1298 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） 前回購入します -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 200-WFBGA MT53D512 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 1.866 GHz 揮発性 16gbit ドラム 512m x 32 - -
MT46H16M32LFCM-6 IT TR Micron Technology Inc. mt46h16m32lfcm-6 it tr -
RFQ
 ECAD 6091 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 90-VFBGA MT46H16M32 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 90-VFBGA （10x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 166 MHz 揮発性 512mbit 5 ns ドラム 16m x 32 平行 15ns
MT41J256M16HA-107:E TR Micron Technology Inc. MT41J256M16HA-107：E Tr -
RFQ
 ECAD 7618 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-TFBGA MT41J256M16 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-FBGA （9x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 933 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 256m x 16 平行 -
M25P80S-VMN6TP TR Micron Technology Inc. M25P80S-VMN6TP TR -
RFQ
 ECAD 8207 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） M25P80 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-SO ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0071 2,500 75 MHz 不揮発性 8mbit フラッシュ 1m x 8 spi 15ms、5ms
MT53D8DATZ-DC Micron Technology Inc. mt53d8datz-dc -
RFQ
 ECAD 8277 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 - - mt53d8 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 廃止 0000.00.0000 1,190 揮発性 ドラム - -
MT29F1G16ABBEAH4-IT:E TR Micron Technology Inc. MT29F1G16ABBEAH4-IT：E TR -
RFQ
 ECAD 2502 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 63-VFBGA MT29F1G16 フラッシュ -ナンド 1.7V〜1.95V 63-VFBGA （9x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 1gbit フラッシュ 64m x 16 平行 -
MTFC8GLDEA-4M IT TR Micron Technology Inc. mtfc8gldea-4m it tr -
RFQ
 ECAD 8117 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 153-WFBGA mtfc8 フラッシュ -ナンド 1.65v〜3.6V 153-wfbga（11.5x13 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 64gbit フラッシュ 8g x 8 MMC -
MTFC4GGQDQ-IT TR Micron Technology Inc. mtfc4ggqdq-it tr -
RFQ
 ECAD 6128 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ - - mtfc4 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 32gbit フラッシュ 4g x 8 MMC -
N25Q256A11EF840F TR Micron Technology Inc. N25Q256A11EF840F TR -
RFQ
 ECAD 3469 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-vdfn露出パッド N25Q256A11 フラッシュ - 1.7V〜2V 8-VDFPN ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 108 MHz 不揮発性 256mbit フラッシュ 64m x 4 spi 8ms、5ms
MT46V16M16TG-6T:F TR Micron Technology Inc. MT46V16M16TG-6T：F Tr -
RFQ
 ECAD 6167 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT46V16M16 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 66-tsop ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 揮発性 256mbit 700 ps ドラム 16m x 16 平行 15ns
MT55L256V18P1T Micron Technology Inc. MT55L256V18P1T 5.5100
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Micron Technology Inc. ZBT® バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp SRAM -ZBT 3.135V〜3.6V 100-TQFP（14x20.1 ダウンロード 適用できない 3 （168 時間） 未定義のベンダー 3A991B2A 8542.32.0041 1 100 MHz 揮発性 4mbit 5 ns sram 256k x 18 平行 -
MT53E512M32D2NP-046 TR Micron Technology Inc. MT53E512M32D2NP-046 TR -
RFQ
 ECAD 7314 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜95°C 表面マウント 200-WFBGA MT53E512 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA （10x14.5 - 1 （無制限） 廃止 0000.00.0000 2,000 2.133 GHz 揮発性 16gbit ドラム 512m x 32 - -
MT46H16M32LFB5-6 AT:C Micron Technology Inc. MT46H16M32LFB5-6 at：c -
RFQ
 ECAD 9131 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 90-VFBGA MT46H16M32 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 90-VFBGA （8x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,440 166 MHz 揮発性 512mbit 5 ns ドラム 16m x 32 平行 15ns
M29W128FL70N6E Micron Technology Inc. M29W128FL70N6E -
RFQ
 ECAD 1640 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） M29W128 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 56-tsop - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 497-5530 3A991B1A 8542.32.0071 576 不揮発性 128mbit 70 ns フラッシュ 16m x 8、8m x 16 平行 70ns
MT53B4DATT-DC Micron Technology Inc. mt53b4datt-dc -
RFQ
 ECAD 9840 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 廃止 mt53b4 SDRAM-モバイルLPDDR4 - 1 （無制限） 廃止 0000.00.0000 1,680 揮発性 ドラム
MT29RZ8C4DZZHGPL-18 W.81U Micron Technology Inc. MT29RZ8C4DZZHGPL-18 W.81U -
RFQ
 ECAD 9285 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000
MT53D384M64D4KA-046 XT:E TR Micron Technology Inc. MT53D384M64D4KA-046 XT：E TR 36.7950
RFQ
 ECAD 1477 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -30°C〜105°C（TC） - - MT53D384 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 2.133 GHz 揮発性 24Gbit ドラム 384m x 64 - -
MT62F1G32D4DS-031 IT:B Micron Technology Inc. MT62F1G32D4DS-031 IT：b 25.6350
RFQ
 ECAD 1278 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ -40°C〜95°C 表面マウント 200-WFBGA SDRAM- lpddr5 1.05V 200-WFBGA （10x14.5 - 557-MT62F1G32D4DS-031IT：b 1 3.2 GHz 揮発性 32gbit ドラム 1g x 32 平行 -
M29DW256G70NF6F TR Micron Technology Inc. M29DW256G70NF6F TR -
RFQ
 ECAD 1309 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） M29DW256 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 56-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,200 不揮発性 256mbit 70 ns フラッシュ 16m x 16 平行 70ns
MT29F256G08CKCABH2-12Z:A Micron Technology Inc. MT29F256G08CKCABH2-12Z：a -
RFQ
 ECAD 1779 0.00000000 Micron Technology Inc. - チューブ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-TBGA MT29F256G08 フラッシュ-nand （mlc） 2.7V〜3.6V 100-tbga（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83 MHz 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 平行 -
MT46V16M16TG-75:F Micron Technology Inc. MT46V16M16TG-75：F -
RFQ
 ECAD 9194 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT46V16M16 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 66-tsop ダウンロード ROHS非準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 揮発性 256mbit 750 PS ドラム 16m x 16 平行 15ns
MT53D512M64D4NW-046 WT:F TR Micron Technology Inc. MT53D512M64D4NW-046 WT：F TR -
RFQ
 ECAD 4102 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 - 557-MT53D512M64D4NW-046WT：FTR 廃止 1,000
MT48LC16M8A2TG-75 L:G Micron Technology Inc. MT48LC16M8A2TG-75 L：g -
RFQ
 ECAD 5595 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 sicで中止されました 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT48LC16M8A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS非準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 133 MHz 揮発性 128mbit 5.4 ns ドラム 16m x 8 平行 15ns
MT29F128G08AKCABH2-10ITZ:A Micron Technology Inc. MT29F128G08AKCABH2-10ITZ：a 159.3000
RFQ
 ECAD 983 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 100-TBGA MT29F128G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 100-tbga（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,120 100 MHz 不揮発性 128GBIT フラッシュ 16g x 8 平行 -
MT53D768M64D4SQ-046 WT:A TR Micron Technology Inc. MT53D768M64D4SQ-046 WT：A TR -
RFQ
 ECAD 1530 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -30°C〜85°C （TC） MT53D768 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - ROHS3準拠 影響を受けていない 廃止 0000.00.0000 2,000 2.133 GHz 揮発性 48gbit ドラム 768m x 64 - -
MT28F800B5SG-8 B Micron Technology Inc. MT28F800B5SG-8 b -
RFQ
 ECAD 8844 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 44-SOIC （0.496 "、12.60mm 幅） MT28F800B5 フラッシュ - 4.5v〜5.5V 44-SO ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 500 不揮発性 8mbit 80 ns フラッシュ 1M x 8、512K x 16 平行 80ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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