SIC
close

メモリ（10402）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
PC28F064M29EWLX Micron Technology Inc. PC28F064M29EWLX -
RFQ
 ECAD 3051 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-lbga PC28F064 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-FBGA （11x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 184 不揮発性 64mbit 60 ns フラッシュ 8m x 8、4m x 16 平行 60ns
MT46V128M4FN-5B:D TR Micron Technology Inc. MT46V128M4FN-5B：D TR 21.1800
RFQ
 ECAD 981 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 60-TFBGA MT46V128M4 SDRAM -DDR 2.5V〜2.7V 60-FBGA （10x12.5 ダウンロード ROHS非準拠 5 （48 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 200 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 128m x 4 平行 15ns
MT29F4G08ABADAWP:D TR Micron Technology Inc. MT29F4G08ABADAWP：D Tr 5.6000
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F4G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 4gbit フラッシュ 512m x 8 平行 -
MTFC2GMTEA-WT TR Micron Technology Inc. mtfc2gmtea-wt tr -
RFQ
 ECAD 7789 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ テープ＆リール（ tr） 廃止 -25°C〜85°C（タタ 表面マウント 153-WFBGA mtfc2g フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 153-wfbga（11.5x13 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 16gbit フラッシュ 2g x 8 MMC -
M45PE40-VMP6G Micron Technology Inc. M45PE40-VMP6G -
RFQ
 ECAD 2362 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-vdfn露出パッド M45PE40 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-VDFPN ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 490 75 MHz 不揮発性 4mbit フラッシュ 512k x 8 spi 15ms、3ms
JS28F256M29EWLD Micron Technology Inc. JS28F256M29EWLD -
RFQ
 ECAD 3049 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） JS28F256M29 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 56-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 96 不揮発性 256mbit 110 ns フラッシュ 32m x 8、16m x 16 平行 110ns
MT46H8M32LFB5-75:A TR Micron Technology Inc. MT46H8M32LFB5-75：TR -
RFQ
 ECAD 3485 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 90-VFBGA MT46H8M32 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 90-VFBGA （8x13 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 揮発性 256mbit 6 ns ドラム 8m x 32 平行 15ns
M45PE10S-VMP6G Micron Technology Inc. M45PE10S-VMP6G -
RFQ
 ECAD 3903 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-vdfn露出パッド M45PE10 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-VFQFPN （6x5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0071 490 75 MHz 不揮発性 1mbit フラッシュ 128k x 8 spi 3ms
MT49H8M36BM-33 IT:B Micron Technology Inc. MT49H8M36BM-33 IT：b -
RFQ
 ECAD 1461 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク sicで中止されました -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 144-TFBGA MT49H8M36 ドラム 1.7V〜1.9V 144-µbga（18.5x11） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 300 MHz 揮発性 288mbit 20 ns ドラム 8m x 36 平行 -
MT48H4M32LFB5-6 IT:K Micron Technology Inc. MT48H4M32LFB5-6 IT：k -
RFQ
 ECAD 6829 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 90-VFBGA MT48H4M32 SDRAM- lPSDR 1.7V〜1.95V 90-VFBGA （8x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 166 MHz 揮発性 128mbit 5 ns ドラム 4m x 32 平行 15ns
MT46V16M16CY-5B IT:M TR Micron Technology Inc. MT46V16M16CY-5B IT：M TR 5.9988
RFQ
 ECAD 8418 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 60-TFBGA MT46V16M16 SDRAM -DDR 2.5V〜2.7V 60-FBGA （8x12.5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 200 MHz 揮発性 256mbit 700 ps ドラム 16m x 16 平行 15ns
MT29F32G08ABCABH1-10Z:A Micron Technology Inc. MT29F32G08ABCABH1-10Z：a -
RFQ
 ECAD 6580 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-VBGA MT29F32G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 100-VBGA（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,120 100 MHz 不揮発性 32gbit フラッシュ 4g x 8 平行 -
MT48H8M16LFF4-8 IT Micron Technology Inc. mt48h8m16lff4-8 it -
RFQ
 ECAD 5512 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 sicで中止されました -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-VFBGA MT48H8M16 SDRAM- lPSDR 1.7V〜1.9V 54-VFBGA ダウンロード ROHS非準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 125 MHz 揮発性 128mbit 6 ns ドラム 8m x 16 平行 15ns
MT29F8G16ADADAH4:D Micron Technology Inc. MT29F8G16ADADAH4：d -
RFQ
 ECAD 9925 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 63-VFBGA MT29F8G16 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 63-VFBGA （9x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 不揮発性 8gbit フラッシュ 512m x 16 平行 -
MT53B4DCNY-DC Micron Technology Inc. mt53b4dcny-dc -
RFQ
 ECAD 1224 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ mt53b4 SDRAM-モバイルLPDDR4 - 3 （168 時間） 影響を受けていない 0000.00.0000 1,190 揮発性 ドラム
MT58L128L32D1T-10 Micron Technology Inc. MT58L128L32D1T-10 9.2000
RFQ
 ECAD 7891 0.00000000 Micron Technology Inc. Syncburst™ バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp MT58L128L32 sram-同期 3.135V〜3.6V 100-TQFP（14x20.1 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 未定義のベンダー 3A991B2A 8542.32.0041 1 100 MHz 揮発性 4mbit 5 ns sram 128k x 32 平行 -
MT49H32M9FM-33 TR Micron Technology Inc. MT49H32M9FM-33 TR -
RFQ
 ECAD 9902 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 144-TFBGA MT49H32M9 ドラム 1.7V〜1.9V 144-µbga（18.5x11） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0036 1,000 300 MHz 揮発性 288mbit 20 ns ドラム 32m x 9 平行 -
RC28F128P33BF60A Micron Technology Inc. RC28F128P33BF60A -
RFQ
 ECAD 8456 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 64-TBGA RC28F128 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 64-easybga ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 300 52 MHz 不揮発性 128mbit 60 ns フラッシュ 8m x 16 平行 60ns
MT29TZZZ8D5JKEPD-125 W.95T TR Micron Technology Inc. MT29TZZZ8D5JKEPD-125 W.95T TR -
RFQ
 ECAD 4595 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -25°C〜85°C - - mt29tzzz8 フラッシュnand、dram -lpddr3 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 廃止 0000.00.0000 1,000 800 MHz 不揮発性、揮発性 64GBIT （NAND ）、8GBIT「LPDDR3） フラッシュ、ラム 68g x 8 MMC 、LPDRAM -
MT29F1G08ABBFAH4-ITE:F Micron Technology Inc. MT29F1G08ABBFAH4-IT：F 3.4600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 63-VFBGA MT29F1G08 フラッシュ -ナンド 1.7V〜1.95V 63-VFBGA （9x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 不揮発性 1gbit フラッシュ 128m x 8 平行 -
MT47H32M16BN-3:D TR Micron Technology Inc. MT47H32M16BN-3：D TR -
RFQ
 ECAD 7425 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜85°C （TC） 表面マウント 84-TFBGA MT47H32M16 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-FBGA （10x12.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 333 MHz 揮発性 512mbit 450 PS ドラム 32m x 16 平行 15ns
M29F160FB55N3E2 Micron Technology Inc. M29F160FB55N3E2 -
RFQ
 ECAD 2809 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） M29F160 フラッシュ - 4.5v〜5.5V 48-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 96 不揮発性 16mbit 55 ns フラッシュ 2m x 8、1m x 16 平行 55ns
MTFC128GBCAQTC-IT TR Micron Technology Inc. mtfc128gbcaqtc-it tr 37.0125
RFQ
 ECAD 2511 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ - 557-MTFC128GBCAQTC-ITTR 2,000
MT25QU128ABA1EW7-0SIT Micron Technology Inc. MT25QU128ABA1EW7-0SIT 4.1200
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド MT25QU128 フラッシュ - 1.7V〜2V 8-wpdfn ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,940 133 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi 8ms、2.8ms
MT29E256G08CBHBBJ4-3ES:B Micron Technology Inc. MT29E256G08CBHBBJ4-3ES：b -
RFQ
 ECAD 7786 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 132-VBGA MT29E256G08 フラッシュ -ナンド 2.5V〜3.6V 132-VBGA（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 1,120 333 MHz 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 平行 -
MT44K32M18RB-107E:B Micron Technology Inc. MT44K32M18RB-107E：b 46.0350
RFQ
 ECAD 3773 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 168-TBGA MT44K32M18 ドラム 1.28V〜1.42V 168-BGA（13.5x13.5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 1,190 933 MHz 揮発性 576mbit 8 ns ドラム 32m x 18 平行 -
MT53D512M32D2DS-053 AIT:D TR Micron Technology Inc. MT53D512M32D2DS-053 AIT：D TR 16.5000
RFQ
 ECAD 1298 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） 前回購入します -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 200-WFBGA MT53D512 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 1.866 GHz 揮発性 16gbit ドラム 512m x 32 - -
MT46H16M32LFCM-6 IT TR Micron Technology Inc. mt46h16m32lfcm-6 it tr -
RFQ
 ECAD 6091 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 90-VFBGA MT46H16M32 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 90-VFBGA （10x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 166 MHz 揮発性 512mbit 5 ns ドラム 16m x 32 平行 15ns
MT41J256M16HA-107:E TR Micron Technology Inc. MT41J256M16HA-107：E Tr -
RFQ
 ECAD 7618 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-TFBGA MT41J256M16 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-FBGA （9x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 933 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 256m x 16 平行 -
M25P80S-VMN6TP TR Micron Technology Inc. M25P80S-VMN6TP TR -
RFQ
 ECAD 8207 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） M25P80 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-SO ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0071 2,500 75 MHz 不揮発性 8mbit フラッシュ 1m x 8 spi 15ms、5ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

RFQリスト（0アイテム）
カートリスト（0アイテム）
Wishlistウィッシュリスト（0アイテム）
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

リストを比較する（0アイテム）
Enterを押して検索するか、ESCを閉じます