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メモリ（10402）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
MT47R512M4EB-25E:C Micron Technology Inc. MT47R512M4EB-25E：c -
RFQ
 ECAD 2224 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ sicで中止されました 0°C〜85°C （TC） 表面マウント 60-TFBGA MT47R512M4 SDRAM -DDR2 1.55V〜1.9V 60-FBGA （9x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 400 MHz 揮発性 2Gbit 400 PS ドラム 512m x 4 平行 15ns
MT29TZZZAD7EKKFB-107 W.97R TR Micron Technology Inc. MT29TZZZAD7EKKFB-107 W.97R TR -
RFQ
 ECAD 3643 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 1,000
MT35XL01GBBA1G12-0AAT Micron Technology Inc. MT35XL01GBBA1G12-0AAT 22.1200
RFQ
 ECAD 945 0.00000000 Micron Technology Inc. Xccela™-MT35X バルク アクティブ -40°C〜105°C 表面マウント 24-tbga mt35xl01 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 24-T-PBGA - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,122 133 MHz 不揮発性 1gbit フラッシュ 128m x 8 xccelaバス -
MT46V64M4FG-5B:G TR Micron Technology Inc. MT46V64M4FG-5B：G Tr -
RFQ
 ECAD 9116 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（タタ 表面マウント 60-FBGA mt46v64m4 SDRAM -DDR 2.5V〜2.7V 60-fbga （8x14） ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 200 MHz 揮発性 256mbit 700 ps ドラム 64m x 4 平行 15ns
M28W160CB70N6F TR Micron Technology Inc. M28W160CB70N6F TR -
RFQ
 ECAD 4938 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） M28W160 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 48-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 1,500 不揮発性 16mbit 70 ns フラッシュ 1m x 16 平行 70ns
MT29F512G08AUCBBH8-6:B TR Micron Technology Inc. MT29F512G08AUCBBH8-6：B TR -
RFQ
 ECAD 5611 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（タタ 表面マウント 152-lbga MT29F512G08 フラッシュ-nand（slc） 2.7V〜3.6V 152-lbga - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 1,000 166 MHz 不揮発性 512gbit フラッシュ 64g x 8 平行 -
MT46V128M4CY-5B:J TR Micron Technology Inc. MT46V128M4CY-5B：J TR -
RFQ
 ECAD 9372 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（タタ 表面マウント 60-TFBGA MT46V128M4 SDRAM -DDR 2.5V〜2.7V 60-fbga （8x10） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 1,000 200 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 128m x 4 平行 15ns
MT47H32M8BP-37E:B TR Micron Technology Inc. MT47H32M8BP-37E：B Tr -
RFQ
 ECAD 3095 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜85°C （TC） 表面マウント 60-FBGA MT47H32M8B SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-FBGA （8x12） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 267 MHz 揮発性 256mbit 500 PS ドラム 32m x 8 平行 15ns
MT41K128M8JP-125:G TR Micron Technology Inc. MT41K128M8JP-125：G Tr -
RFQ
 ECAD 7007 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-TFBGA MT41K128M8 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA （8x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0036 1,000 800 MHz 揮発性 1gbit 13.75 ns ドラム 128m x 8 平行 -
MTFC8GAMALNA-AAT ES Micron Technology Inc. mtfc8gamalna-aat es -
RFQ
 ECAD 1673 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ トレイ 廃止 -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 100-TBGA mtfc8 フラッシュ -ナンド - 100-TBGA - 1 （無制限） 3A991B1A 8542.32.0071 980 不揮発性 64gbit フラッシュ 8g x 8 MMC -
M29W640GT70NB6E Micron Technology Inc. M29W640GT70NB6E -
RFQ
 ECAD 5324 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） M29W640 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 56-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 576 不揮発性 64mbit 70 ns フラッシュ 8m x 8、4m x 16 平行 70ns
MT48H8M16LFB4-8:J Micron Technology Inc. MT48H8M16LFB4-8：J -
RFQ
 ECAD 4269 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ sicで中止されました 0°C〜70°C（タタ 表面マウント 54-VFBGA MT48H8M16 SDRAM- lPSDR 1.7V〜1.9V 54-VFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 125 MHz 揮発性 128mbit 7 ns ドラム 8m x 16 平行 15ns
MT25QL128ABA1ESE-0SIT TR Micron Technology Inc. MT25QL128ABA1ESE-0SIT TR 4.5900
RFQ
 ECAD 32 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） MT25QL128 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-SO ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,500 133 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi 8ms、2.8ms
M29F800FT55M3E2 Micron Technology Inc. M29F800FT55M3E2 -
RFQ
 ECAD 8498 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 44-SOIC （0.496 "、12.60mm 幅） M29F800 フラッシュ - 4.5v〜5.5V 44-SO ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 557-1581 ear99 8542.32.0071 240 不揮発性 8mbit 55 ns フラッシュ 1M x 8、512K x 16 平行 55ns
M28W160CT70N6F TR Micron Technology Inc. M28W160CT70N6F TR -
RFQ
 ECAD 9024 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） M28W160 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 48-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 1,500 不揮発性 16mbit 70 ns フラッシュ 1m x 16 平行 70ns
MT53B512M32D2NP-053 WT:C Micron Technology Inc. MT53B512M32D2NP-053 WT：c -
RFQ
 ECAD 1443 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 200-WFBGA MT53B512 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,360 1.866 GHz 揮発性 16gbit ドラム 512m x 32 - -
MT48LC4M16A2P-7E AIT:J TR Micron Technology Inc. MT48LC4M16A2P-7E AIT：J TR -
RFQ
 ECAD 5238 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT48LC4M16A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 143 MHz 揮発性 64mbit 5.4 ns ドラム 4m x 16 平行 14ns
MT48LC8M16A2TG-7E IT:G Micron Technology Inc. MT48LC8M16A2TG-7E IT：g -
RFQ
 ECAD 8977 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT48LC8M16A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS非準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 133 MHz 揮発性 128mbit 5.4 ns ドラム 8m x 16 平行 14ns
MT29F32G08AECCBH1-10:C Micron Technology Inc. MT29F32G08AECCBH1-10：c -
RFQ
 ECAD 9537 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（タタ 表面マウント 100-VBGA MT29F32G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 100-VBGA（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1 100 MHz 不揮発性 32gbit フラッシュ 4g x 8 平行 -
MT48V8M32LFF5-10 IT TR Micron Technology Inc. mt48v8m32lff5-10 it tr -
RFQ
 ECAD 5865 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 90-VFBGA mt48v8m32 SDRAM- lPSDR 2.3V〜2.7V 90-VFBGA （8x13 - ROHS非準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 100 MHz 揮発性 256mbit 7 ns ドラム 8m x 32 平行 15ns
MT28EW512ABA1LPC-0SIT Micron Technology Inc. MT28EW512ABA1LPC-0SIT 11.8900
RFQ
 ECAD 8282 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-lbga MT28EW512 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-lbga（11x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 557-1783 3A991B1A 8542.32.0071 1,104 不揮発性 512mbit 95 ns フラッシュ 64m x 8、32m x 16 平行 60ns
MT29F2G16ABAEAWP-AAT:E TR Micron Technology Inc. MT29F2G16ABAEAWP-AAT：E Tr 3.7059
RFQ
 ECAD 6729 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） 前回購入します -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F2G16 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 2Gbit フラッシュ 128m x 16 平行 -
MT47H64M8CB-3:B TR Micron Technology Inc. MT47H64M8CB-3：B TR -
RFQ
 ECAD 6568 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜85°C （TC） 表面マウント 60-FBGA MT47H64M8 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-FBGA ダウンロード ROHS3準拠 5 （48 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 333 MHz 揮発性 512mbit 450 PS ドラム 64m x 8 平行 15ns
MTFC4GLGDM-AIT Z TR Micron Technology Inc. mtfc4glgdm-ait z tr -
RFQ
 ECAD 9395 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 153-TFBGA mtfc4 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 153-TFBGA （11.5x13 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 32gbit フラッシュ 4g x 8 MMC -
MT62F1G32D2DS-023 FAAT:C Micron Technology Inc. MT62F1G32D2DS-023 FAAT：c 31.9350
RFQ
 ECAD 9713 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 箱 アクティブ -40°C〜105°C 表面マウント 200-WFBGA SDRAM- lpddr5 1.05V 200-WFBGA （10x14.5 - 557-MT62F1G32D2DS-023FAAT：c 1 3.2 GHz 揮発性 32gbit ドラム 1g x 32 平行 -
N2M400GDB321A3CF TR Micron Technology Inc. N2M400GDB321A3CF TR -
RFQ
 ECAD 5585 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント - N2M400 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 52 MHz 不揮発性 64gbit フラッシュ 8g x 8 MMC -
MT53B2G32D8QD-062 WT:D Micron Technology Inc. MT53B2G32D8QD-062 WT：d -
RFQ
 ECAD 3185 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -30°C〜85°C （TC） MT53B2G32 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - 1 （無制限） 廃止 0000.00.0000 1,360 1.6 GHz 揮発性 64gbit ドラム 2g x 32 - -
MT40A256M16GE-083E AAT:B TR Micron Technology Inc. MT40A256M16GE-083EAAT：B TR -
RFQ
 ECAD 7274 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 96-TFBGA MT40A256M16 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 96-FBGA （9x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 1.2 GHz 揮発性 4gbit ドラム 256m x 16 平行 -
PC28F512P30TFB TR Micron Technology Inc. PC28F512P30TFB TR -
RFQ
 ECAD 1335 0.00000000 Micron Technology Inc. axcell™ テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-TBGA PC28F512 フラッシュ - 1.7V〜2V 64-easybga ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 52 MHz 不揮発性 512mbit 100 ns フラッシュ 32m x 16 平行 100ns
M25PE40S-VMW6TG TR Micron Technology Inc. M25PE40S-VMW6TG TR -
RFQ
 ECAD 1971年年 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） M25PE40 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-SO w ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0071 1,500 75 MHz 不揮発性 4mbit フラッシュ 512k x 8 spi 15ms、3ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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