SIC
close

メモリ（10402）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
MT44K32M18RB-107E IT:B Micron Technology Inc. MT44K32M18RB-107E IT：b -
RFQ
 ECAD 8849 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 168-TBGA MT44K32M18 ドラム 1.28V〜1.42V 168-BGA（13.5x13.5） - 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 1,190 933 MHz 揮発性 576mbit 8 ns ドラム 32m x 18 平行 -
MT29E512G08CUCDBJ6-6:D TR Micron Technology Inc. MT29E512G08CUCDBJ6-6：D TR -
RFQ
 ECAD 4966 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（タタ 表面マウント - MT29E512G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 132-lbga（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 167 MHz 不揮発性 512gbit フラッシュ 64g x 8 平行 -
MT46H64M32LFBQ-48 IT:C Micron Technology Inc. MT46H64M32LFBQ-48 IT：c 9.6750
RFQ
 ECAD 4109 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 90-VFBGA MT46H64M32 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 90-VFBGA （8x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,440 208 MHz 揮発性 2Gbit 5 ns ドラム 64m x 32 平行 14.4ns
MT46V32M8P-5B:M TR Micron Technology Inc. MT46V32M8P-5B：M TR -
RFQ
 ECAD 6159 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（タタ 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT46V32M8 SDRAM -DDR 2.5V〜2.7V 66-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 200 MHz 揮発性 256mbit 700 ps ドラム 32m x 8 平行 15ns
MT45W8MW16BGX-701 IT Micron Technology Inc. MT45W8MW16BGX-701 IT -
RFQ
 ECAD 8648 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 54-VFBGA MT45W8MW16 psram（pseudo sram 1.7V〜1.95V 54-VFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 1,000 104 MHz 揮発性 128mbit 70 ns psram 8m x 16 平行 70ns
M58WR032KB70ZQ6Z Micron Technology Inc. M58WR032KB70ZQ6Z -
RFQ
 ECAD 5974 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 88-VFBGA M58WR032 フラッシュ - 1.7V〜2V 88-VFBGA （8x10） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 253 66 MHz 不揮発性 32mbit 70 ns フラッシュ 2m x 16 平行 70ns
MT29C4G48MAZBBAKS-48 IT Micron Technology Inc. MT29C4G48MAZBBAKS-48 IT -
RFQ
 ECAD 5160 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 137-VFBGA MT29C4G48 フラッシュ-nand 、モバイルlpdram 1.7V〜1.95V 137-VFBGA（13x10.5） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,140 208 MHz 不揮発性、揮発性 4gbit（nand フラッシュ、ラム 256m x 16 平行 -
MT28FW512ABA1LPC-0AAT TR Micron Technology Inc. MT28FW512ABA1LPC-0AAT TR -
RFQ
 ECAD 6035 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 64-lbga MT28FW512 フラッシュ - 1.7V〜3.6V 64-lbga（11x13） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 不揮発性 512mbit 105 ns フラッシュ 32m x 16 平行 60ns
MT46H16M32LFBQ-5 AAT:C TR Micron Technology Inc. MT46H16M32LFBQ-5 AAT：C Tr 7.3000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 90-VFBGA MT46H16M32 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 90-VFBGA （8x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 200 MHz 揮発性 512mbit 5 ns ドラム 16m x 32 平行 15ns
MT29F512G08AUCBBH8-6IT:B Micron Technology Inc. MT29F512G08AUCBBH8-6IT：b -
RFQ
 ECAD 1675 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 152-lbga MT29F512G08 フラッシュ-nand（slc） 2.7V〜3.6V 152-lbga - 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 980 166 MHz 不揮発性 512gbit フラッシュ 64g x 8 平行 -
MT29F128G08CFABAWP-IT:B TR Micron Technology Inc. MT29F128G08CFABAWP-IT：B TR -
RFQ
 ECAD 7378 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F128G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 128GBIT フラッシュ 16g x 8 平行 -
N25Q064A13EF640F TR Micron Technology Inc. N25Q064A13EF640F TR -
RFQ
 ECAD 3655 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-vdfn露出パッド N25Q064A13 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-VDFPN ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 108 MHz 不揮発性 64mbit フラッシュ 16m x 4 spi 8ms、5ms
NP5Q064AE3ESFC0E Micron Technology Inc. NP5Q064AE3ESFC0E -
RFQ
 ECAD 1583 0.00000000 Micron Technology Inc. OMN EO™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） NP5Q064 PCM （プラム） 2.7V〜3.6V 16-SO - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 240 66 MHz 不揮発性 64mbit PCM （プラム） 8m x 8 spi 280µs
MT48LC4M32B2B5-6A AAT:L TR Micron Technology Inc. MT48LC4M32B2B5-6A AAT：L TR 12.4600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 90-VFBGA MT48LC4M32B2 SDRAM 3V〜3.6V 90-VFBGA （8x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 2,000 167 MHz 揮発性 128mbit 5.4 ns ドラム 4m x 32 平行 12ns
MT29F8G16ADADAH4-IT:D Micron Technology Inc. MT29F8G16ADADAH4-IT：d -
RFQ
 ECAD 3599 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 63-VFBGA MT29F8G16 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 63-VFBGA （9x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 不揮発性 8gbit フラッシュ 512m x 16 平行 -
MT29F128G08AECBBH6-6:B TR Micron Technology Inc. MT29F128G08AECBBH6-6：B TR -
RFQ
 ECAD 2290 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（タタ 表面マウント 152-VBGA MT29F128G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 152-VBGA（14x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 1,000 167 MHz 不揮発性 128GBIT フラッシュ 16g x 8 平行 -
MT48LC4M16A2TG-75:G TR Micron Technology Inc. MT48LC4M16A2TG-75：G TR -
RFQ
 ECAD 5799 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（タタ 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT48LC4M16A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 133 MHz 揮発性 64mbit 5.4 ns ドラム 4m x 16 平行 15ns
MT41K64M16TW-107 AAT:J TR Micron Technology Inc. MT41K64M16TW-107 AAT：J TR 5.9700
RFQ
 ECAD 724 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 96-TFBGA MT41K64M16 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA （8x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 2,000 933 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 64m x 16 平行 -
MT53B384M16D1Z0APWC1 Micron Technology Inc. MT53B384M16D1Z0APWC1 -
RFQ
 ECAD 4477 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 0°C〜85°C （TC） - - MT53B384 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 廃止 0000.00.0000 1 揮発性 6gbit ドラム 384m x 16 - -
MT29F8G08ADADAH4-IT:D Micron Technology Inc. MT29F8G080808ADADAH4-IT：d 12.0400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 63-VFBGA MT29F8G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 63-VFBGA （9x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 不揮発性 8gbit フラッシュ 1g x 8 平行 -
MT49H16M18CFM-33:B TR Micron Technology Inc. MT49H16M18CFM-33：B TR -
RFQ
 ECAD 1028 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） sicで中止されました 0°C〜95°C （TC 表面マウント 144-TFBGA MT49H16M18 ドラム 1.7V〜1.9V 144-µbga（18.5x11） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0028 1,000 300 MHz 揮発性 288mbit 20 ns ドラム 16m x 18 平行 -
MT41K512M16HA-107:A TR Micron Technology Inc. MT41K512M16HA-107：TR -
RFQ
 ECAD 2789 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-TFBGA MT41K512M16 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA （9x14） - ROHS3準拠 3 （168 時間） MT41K512M16HA-107：ATR 廃止 0000.00.0000 2,000 933 MHz 揮発性 8gbit 20 ns ドラム 512m x 16 平行 -
MTFC32GJWDQ-4M AIT Z TR Micron Technology Inc. mtfc32gjwdq-4m ait z tr -
RFQ
 ECAD 8039 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C 表面マウント 100-lbga mtfc32g フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 100-lbga（14x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） mtfc32gjwdq-4maitztr 廃止 0000.00.0000 1,000 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 MMC -
MTFC32GJTED-IT Micron Technology Inc. MTFC32GJTED-IT -
RFQ
 ECAD 5535 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 169-VFBGA mtfc32g フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 169-VFBGA（14x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 MMC -
MT53D768M64D8RG-053 WT:D Micron Technology Inc. MT53D768M64D8RG-053 WT：d -
RFQ
 ECAD 5669 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜85°C （TC） - - MT53D768 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,190 1.866 GHz 揮発性 48gbit ドラム 768m x 64 - -
M28W320HSB70ZB6E Micron Technology Inc. M28W320HSB70ZB6E -
RFQ
 ECAD 7517 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 47-TFBGA M28W320 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 47-TFBGA （6.39x6.37 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない -M28W320HSB70ZB6E 3A991B1A 8542.32.0071 1,380 不揮発性 32mbit 70 ns フラッシュ 2m x 16 平行 70ns
NAND512W3A2SN6F TR Micron Technology Inc. NAND512W3A2SN6F TR -
RFQ
 ECAD 3147 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） NAND512 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,500 不揮発性 512mbit 50 ns フラッシュ 64m x 8 平行 50ns
EDW2032BBBG-6A-F-D Micron Technology Inc. EDW2032BBBG-6A-FD -
RFQ
 ECAD 9770 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 170-TFBGA EDW2032 sgram -gddr5 1.31V〜1.65V 170-FBGA（12x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0036 1,440 1.5 GHz 揮発性 2Gbit ラム 64m x 32 平行 -
MT29F64G08CBCGBWP-B:G TR Micron Technology Inc. MT29F64G08CBCGBWP-B：G TR -
RFQ
 ECAD 9281 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F64G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 64gbit フラッシュ 8g x 8 平行 -
MT48H16M16LFBF-75 IT:H Micron Technology Inc. MT48H16M16LFBF-75 IT：h -
RFQ
 ECAD 3861 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-VFBGA MT48H16M16 SDRAM- lPSDR 1.7V〜1.95V 54-VFBGA （8x9） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 揮発性 256mbit 5.4 ns ドラム 16m x 16 平行 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

RFQリスト（0アイテム）
カートリスト（0アイテム）
Wishlistウィッシュリスト（0アイテム）
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

リストを比較する（0アイテム）
Enterを押して検索するか、ESCを閉じます