SIC
close

メモリ（10402）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ sicプログラム可能
MT48H4M16LFB4-8 Micron Technology Inc. MT48H4M16LFB4-8 -
RFQ
 ECAD 4650 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 54-VFBGA MT48H4M16 SDRAM- lPSDR 1.7V〜1.9V 54-VFBGA ダウンロード ROHS3準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 125 MHz 揮発性 64mbit 6 ns ドラム 4m x 16 平行 15ns
MTFC128GASAONS-AAT Micron Technology Inc. mtfc128gasaons-aat 73.7250
RFQ
 ECAD 8085 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 箱 アクティブ -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 153-TFBGA フラッシュ-nand（slc） 2.7V〜3.6V 153-TFBGA （11.5x13 - 557-MTFC128GASAONS-AAT 1 52 MHz 不揮発性 1tbit フラッシュ 128g x 8 UFS2.1 -
MT44K32M18RB-093E:B Micron Technology Inc. MT44K32M18RB-093E：b -
RFQ
 ECAD 6253 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 168-TBGA MT44K32M18 ドラム 1.28V〜1.42V 168-BGA（13.5x13.5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 1,190 1.066 GHz 揮発性 576mbit 8 ns ドラム 32m x 18 平行 -
M29W256GL7AN6E Micron Technology Inc. M29W256GL7AN6E -
RFQ
 ECAD 3428 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） M29W256 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 56-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 96 不揮発性 256mbit 70 ns フラッシュ 32m x 8、16m x 16 平行 70ns
MT49H16M18FM-25:B Micron Technology Inc. MT49H16M18FM-25：b -
RFQ
 ECAD 2659 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 144-TFBGA MT49H16M18 ドラム 1.7V〜1.9V 144-µbga（18.5x11） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0028 1,000 400 MHz 揮発性 288mbit 20 ns ドラム 16m x 18 平行 -
MT48LC32M8A2P-6A:G TR Micron Technology Inc. MT48LC32M8A2P-6A：G TR -
RFQ
 ECAD 3195 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT48LC32M8A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 2,000 167 MHz 揮発性 256mbit 5.4 ns ドラム 32m x 8 平行 12ns
M29W640GSL70ZF6F TR Micron Technology Inc. M29W640GSL70ZF6F TR -
RFQ
 ECAD 3105 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-TBGA M29W640 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-TBGA （10x13 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 不揮発性 64mbit 70 ns フラッシュ 8m x 8、4m x 16 平行 70ns
MT25QL128ABA1EW7-MSIT Micron Technology Inc. MT25QL128ABA1EW7-MSIT -
RFQ
 ECAD 8856 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド MT25QL128 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-wpdfn ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,940 133 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi 8ms、2.8ms
MT62F1536M64D8EK-026 WT:B Micron Technology Inc. MT62F1536M64D8EK-026 WT：b 67.8450
RFQ
 ECAD 1890 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ -25°C〜85°C 表面マウント 441-TFBGA SDRAM- lpddr5 - 441-TFBGA - 557-MT62F1536M64D8EK-026WT：b 1 3.2 GHz 揮発性 96gbit ドラム 1.5GX 64 - -
MT29F16G16ADACAH4-IT:C TR Micron Technology Inc. MT29F16G16ADACAH4-IT：C Tr -
RFQ
 ECAD 9162 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 63-VFBGA MT29F16G16 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 63-VFBGA （9x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 16gbit フラッシュ 1g x 16 平行 -
MT46V16M16CY-5B XIT:M TR Micron Technology Inc. MT46V16M16CY-5B XIT：M TR -
RFQ
 ECAD 7069 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 60-TFBGA MT46V16M16 SDRAM -DDR 2.5V〜2.7V 60-FBGA （8x12.5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 200 MHz 揮発性 256mbit 700 ps ドラム 16m x 16 平行 15ns
MT48LC8M32B2F5-6 TR Micron Technology Inc. MT48LC8M32B2FFF5-6 TR -
RFQ
 ECAD 9111 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 90-VFBGA MT48LC8M32B2 SDRAM 3V〜3.6V 90-VFBGA （8x13 ダウンロード ROHS非準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 166 MHz 揮発性 256mbit 5.5 ns ドラム 8m x 32 平行 12ns
MT28EW512ABA1LPC-0AAT TR Micron Technology Inc. MT28EW512ABA1LPC-0AAT TR -
RFQ
 ECAD 8248 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 64-lbga MT28EW512 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-lbga（11x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 不揮発性 512mbit 105 ns フラッシュ 64m x 8、32m x 16 平行 60ns
EDB4064B4PB-1DIT-F-R Micron Technology Inc. EDB4064B4PB-1DIT-FR -
RFQ
 ECAD 8793 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 216-WFBGA EDB4064 SDRAM-モバイルLPDDR2 1.14V〜1.95V 216-WFBGA（12x12） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 533 MHz 揮発性 4gbit ドラム 64m x 64 平行 -
MT28F800B5SG-8 B TR Micron Technology Inc. MT28F800B5SG-8 B TR -
RFQ
 ECAD 6444 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 44-SOIC （0.496 "、12.60mm 幅） MT28F800B5 フラッシュ - 4.5v〜5.5V 44-SO ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 500 不揮発性 8mbit 80 ns フラッシュ 1M x 8、512K x 16 平行 80ns
JS28F512M29EWHA Micron Technology Inc. JS28F512M29EWHA -
RFQ
 ECAD 5273 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） JS28F512M29 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 56-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 576 不揮発性 512mbit 110 ns フラッシュ 64m x 8、32m x 16 平行 110ns
MT29VZZZAD8GQFSL-046 W.9R8 Micron Technology Inc. MT29VZZZAD8GQFSL-046 W.9R8 47.9400
RFQ
 ECAD 7446 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ - 557-MT29VZZZAD8GQFSL-046W.9R8 1
MT46V64M8P-5B:J TR Micron Technology Inc. MT46V64M8P-5B：J TR 4.4642
RFQ
 ECAD 1129 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） mt46v64m8 SDRAM -DDR 2.5V〜2.7V 66-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 200 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 64m x 8 平行 15ns
MT53D512M64D4RQ-053 WT ES:E Micron Technology Inc. MT53D512M64D4RQ-053 WT ES：e -
RFQ
 ECAD 8720 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 556-WFBGA MT53D512 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 556-WFBGA（12.4x12.4 - 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,360 1.866 GHz 揮発性 32gbit ドラム 512m x 64 - -
MT49H32M9SJ-25:B TR Micron Technology Inc. MT49H32M9SJ-25：B TR -
RFQ
 ECAD 4784 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 144-TFBGA MT49H32M9 ドラム 1.7V〜1.9V 144-FBGA（18.5x11） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0028 1,000 400 MHz 揮発性 288mbit 20 ns ドラム 32m x 9 平行 -
MT52L256M64D2GN-107 WT:B TR Micron Technology Inc. MT52L256M64D2GN-107 WT：B TR -
RFQ
 ECAD 7183 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 256-WFBGA MT52L256 SDRAM- lpddr3 1.2V 256-FBGA - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 933 MHz 揮発性 16gbit ドラム 256m x 64 - -
N25Q064A13E1240E Micron Technology Inc. N25Q064A13E1240E -
RFQ
 ECAD 2842 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-tbga N25Q064A13 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 24-T-PBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,122 108 MHz 不揮発性 64mbit フラッシュ 16m x 4 spi 8ms、5ms 確認されていません
MT29F64G08AECDBJ4-6ITR:D Micron Technology Inc. MT29F64G08AECDBJ4-6ITR：d -
RFQ
 ECAD 7603 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 132-VBGA MT29F64G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 132-VBGA（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,120 166 MHz 不揮発性 64gbit フラッシュ 8g x 8 平行 -
MT53D768M64D8JS-053 WT ES:D TR Micron Technology Inc. MT53D768M64D8JS-053 WT ES：D TR -
RFQ
 ECAD 9382 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 366-VFBGA MT53D768 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 366-VFBGA（12x12.7） - 1 （無制限） ear99 8542.32.0036 1,000 1.866 GHz 揮発性 48gbit ドラム 768m x 64 - -
MT29E512G08CEHBBJ4-3:B TR Micron Technology Inc. MT29E512G08CEHBBJ4-3：B TR -
RFQ
 ECAD 8433 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 132-VBGA MT29E512G08 フラッシュ -ナンド 2.5V〜3.6V 132-VBGA（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 333 MHz 不揮発性 512gbit フラッシュ 64g x 8 平行 -
MT48LC8M16A2B4-75:G Micron Technology Inc. MT48LC8M16A2B4-75：g -
RFQ
 ECAD 1992年 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 54-VFBGA MT48LC8M16A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-VFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 133 MHz 揮発性 128mbit 5.4 ns ドラム 8m x 16 平行 15ns
PC28F128J3D75E Micron Technology Inc. PC28F128J3D75E -
RFQ
 ECAD 5448 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-TBGA PC28F128 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-easybga （10x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 864 不揮発性 128mbit 75 ns フラッシュ 16m x 8、8m x 16 平行 75ns
MT25QL01GBBB8E12-0AAT Micron Technology Inc. MT25QL01GBBB8E12-0AAT 21.4400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 バルク アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 24-tbga MT25QL01 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 24-T-PBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,122 133 MHz 不揮発性 1gbit フラッシュ 128m x 8 spi 8ms、2.8ms
MT48H8M32LFB5-75 IT:H TR Micron Technology Inc. MT48H8M32LFB5-75 IT：H TR -
RFQ
 ECAD 2014年 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 90-VFBGA MT48H8M32 SDRAM- lPSDR 1.7V〜1.95V 90-VFBGA （8x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 揮発性 256mbit 5.4 ns ドラム 8m x 32 平行 15ns
MT53D4DESB-DC Micron Technology Inc. mt53d4desb-dc -
RFQ
 ECAD 3677 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 sicで中止されました mt53d4 - 影響を受けていない 0000.00.0000 1,190
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

RFQリスト（0アイテム）
カートリスト（0アイテム）
Wishlistウィッシュリスト（0アイテム）
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

リストを比較する（0アイテム）
Enterを押して検索するか、ESCを閉じます