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メモリ（10402）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | mtfc32gasaons-ait tr | 21.1800 |  | 3919 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | AEC-Q104 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 153-TFBGA | フラッシュ-nand（slc） | 2.7V〜3.6V | 153-TFBGA （11.5x13 | - | 557-MTFC32GASAONS-AITTR | 2,000 | 52 MHz | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | UFS2.1 | - | ||||||||
 | mtfc32gakaeef-o1 ait tr | - | | 7103 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 169-TFBGA | mtfc32g | フラッシュ -ナンド | - | 169-TFBGA | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | MMC | - | ||||
| MT62F1G64D4EK-023 AIT：B TR | 58.0650 | | 1705 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜95°C | 表面マウント | 441-TFBGA | SDRAM- lpddr5 | 1.05V | 441-TFBGA | - | 557-MT62F1G64D4EK-023AIT：BTR | 2,000 | 2.133 GHz | 揮発性 | 64gbit | ドラム | 1g x 64 | 平行 | - | ||||||||
| MT47H64M16HR-25E AIT：H TR | - | | 5502 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 84-TFBGA | MT47H64M16 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-FBGA （8x12.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 400 MHz | 揮発性 | 1gbit | 400 PS | ドラム | 64m x 16 | 平行 | 15ns | ||
| mtfc64gbcaqtc-aat es tr | 29.4000 | | 7673 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | - | 557-MTFC64GBCAQTC-AATERTESTRESTRE | 2,000 | |||||||||||||||||||||
 | N25Q128A11EF840E | - | | 6016 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-vdfn露出パッド | N25Q128A11 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 8-VDFPN | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 557-1559 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,920 | 108 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 32m x 4 | spi | 8ms、5ms | ||
 | MT53B768M32D4NQ-062 AIT：B TR | - | | 9970 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 200-VFBGA | MT53B768 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 200-VFBGA （10x14.5 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.6 GHz | 揮発性 | 24Gbit | ドラム | 768m x 32 | - | - | |||
 | MT29F2G01ABAGDSF-IT：G TR | - | | 4528 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） | MT29F2G01 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 16-SO | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 2Gbit | フラッシュ | 2g x 1 | spi | - | ||||
 | PC28F640P30B85E | - | | 8044 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash™ | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 64-TBGA | PC28F640 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 64-easybga （10x13） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 864 | 52 MHz | 不揮発性 | 64mbit | 85 ns | フラッシュ | 4m x 16 | 平行 | 85ns | ||
| MT62F2G64D8EK-026 WT：C TR | 90.4650 | | 7627 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -25°C〜85°C | 表面マウント | 441-TFBGA | SDRAM- lpddr5 | 1.05V | 441-TFBGA | - | 557-MT62F2G64D8EK-026WT：CTR | 2,000 | 3.2 GHz | 揮発性 | 128GBIT | ドラム | 2g x 64 | 平行 | - | ||||||||
| EDB4432BBBJ-1DAUT-FR TR | - | | 1981年年 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜125°C | 表面マウント | 134-wfbga | EDB4432 | SDRAM-モバイルLPDDR2 | 1.14V〜1.95V | 134-FBGA （10x11.5 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 533 MHz | 揮発性 | 4gbit | ドラム | 128m x 32 | 平行 | - | |||
 | MT49H16M16FM-5 TR | - | | 6053 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 144-TFBGA | MT49H16M16 | ドラム | 1.7V〜1.95V | 144-µbga（18.5x11） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 200 MHz | 揮発性 | 256mbit | ドラム | 16m x 16 | 平行 | - | |||
 | MT29F32G08CBADAWP：D Tr | - | | 9907 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | MT29F32G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 32gbit | フラッシュ | 4g x 8 | 平行 | - | ||||
| MT29F1T08GBLCEJ4：c | 19.5450 | | 1970年 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | - | 557-MT29F1T08GBLCEJ4：c | 1 | |||||||||||||||||||||
 | M28W640FCT70ZB6E | - | | 6975 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFBGA | M28W640 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 48-TFBGA （6.39x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 160 | 不揮発性 | 64mbit | 70 ns | フラッシュ | 4m x 16 | 平行 | 70ns | |||
| MT29E512G08CUCABJ3-10Z：a | - | | 5939 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 132-lbga | MT29E512G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 132-lbga（12x18） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 100 MHz | 不揮発性 | 512gbit | フラッシュ | 64g x 8 | 平行 | - | |||
| MT47H64M16HR-25E XIT：H TR | - | | 2001年年 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 84-TFBGA | MT47H64M16 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-FBGA （8x12.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 400 MHz | 揮発性 | 1gbit | 400 PS | ドラム | 64m x 16 | 平行 | 15ns | ||
 | MT53E384M32D2DS-053 AIT：e | 14.7200 | | 2 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | トレイ | アクティブ | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 200-WFBGA | MT53E384 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA （10x14.5 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | MT53E384M32D2DS-053AIT：e | ear99 | 8542.32.0036 | 1,360 | 1.866 GHz | 揮発性 | 12gbit | ドラム | 384m x 32 | - | - | ||
| MT29F256G08EBCCGB16E3WC1-M | 12.3100 | | 3653 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | - | 557-MT29F256G08EBCCGB16E3WC1-M | 1 | |||||||||||||||||||||
| PF48F4000P0ZTQE3 | - | | 6201 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | axcell™ | トレイ | sicで中止されました | -40°C〜85°C（TC） | 表面マウント | 88-VFBGA 、CSPBGA | 48F4000P0 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 88-scsp（ 8x11） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0051 | 176 | 52 MHz | 不揮発性 | 256mbit | 100 ns | フラッシュ | 16m x 16 | 平行 | 100ns | ||
| MT29F2T08EELCHD4-QA：C Tr | 41.9550 | | 3226 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | - | 557-MT29F2T08EELCHD4-QA：CTR | 2,000 | |||||||||||||||||||||
 | MT46V64M8BN-6 L：F TR | - | | 6285 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 60-TFBGA | mt46v64m8 | SDRAM -DDR | 2.3V〜2.7V | 60-FBGA （10x12.5 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0024 | 1,000 | 167 MHz | 揮発性 | 512mbit | 700 ps | ドラム | 64m x 8 | 平行 | 15ns | ||
| MT53E128M32D2DS-053 AUT：a | 12.1200 | | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | トレイ | アクティブ | -40°C〜125°C | 表面マウント | 200-WFBGA | MT53E128 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA （10x14.5 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | MT53E128M32D2DS-053AUT：a | ear99 | 8542.32.0036 | 1,360 | 1.866 GHz | 揮発性 | 4gbit | ドラム | 128m x 32 | - | - | ||
| MT53D256M16D1NY-046 XT ES：b | - | | 9521 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | -30°C〜105°C（TC） | MT53D256 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | - | 1 （無制限） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,190 | 2.133 GHz | 揮発性 | 16gbit | ドラム | 256m x 64 | - | - | ||||||||
| mtfc64gaxauea-wt tr | 7.2600 | | 3248 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -25°C〜85°C | - | - | フラッシュ-nand（slc） | - | - | - | 557-MTFC64GAXAUEA-WTTR | 2,000 | 不揮発性 | 512gbit | フラッシュ | 64g x 8 | UFS2.2 | - | |||||||||
 | mtfc4glgdq-ait z | - | | 9244 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 100-lbga | mtfc4 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 100-lbga（14x18） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | mtfc4glgdq-aitz | 廃止 | 980 | 不揮発性 | 32gbit | フラッシュ | 4g x 8 | MMC | - | |||||
| mtfc64gapalna-aat es tr | - | | 1158 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | mtfc64 | - | 1 （無制限） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,000 | ||||||||||||||||||
| mtfc64gaxauea-wt | 7.5024 | | 3517 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | -25°C〜85°C | 表面マウント | 153-VFBGA | フラッシュ-nand（slc） | - | 153-VFBGA （11.5x13 | - | 557-MTFC64GAXAUEA-WT | 1 | 不揮発性 | 512gbit | フラッシュ | 64g x 8 | UFS2.2 | - | |||||||||
 | mtfc16gapalbh-ait | - | | 6278 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | トレイ | sicで中止されました | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 153-TFBGA | MTFC16 | フラッシュ -ナンド | 1.7V〜1.9V | 153-TFBGA （11.5x13 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,520 | 不揮発性 | 128GBIT | フラッシュ | 16g x 8 | MMC | - | ||||
| mtfc64gasaons-it tr | 34.2750 | | 5351 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 153-TFBGA | フラッシュ-nand（slc） | 2.7V〜3.6V | 153-TFBGA （11.5x13 | - | 557-MTFC64GASAONS-ITTR | 2,000 | 52 MHz | 不揮発性 | 512gbit | フラッシュ | 64g x 8 | UFS2.1 | - |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
在庫倉庫
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