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メモリ（10402）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
M58LT128KST7ZA6E Micron Technology Inc. M58LT128KST7ZA6E -
RFQ
 ECAD 4168 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-TBGA M58LT128 フラッシュ - 1.7V〜2V 64-TBGA （10x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 136 52 MHz 不揮発性 128mbit 70 ns フラッシュ 8m x 16 平行 70ns
M28W160CT70N6F TR Micron Technology Inc. M28W160CT70N6F TR -
RFQ
 ECAD 9024 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） M28W160 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 48-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 1,500 不揮発性 16mbit 70 ns フラッシュ 1m x 16 平行 70ns
MTFC4GMUEA-WT TR Micron Technology Inc. mtfc4gmuea-wt tr -
RFQ
 ECAD 6346 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ テープ＆リール（ tr） 廃止 -25°C〜85°C（タタ 表面マウント 153-WFBGA mtfc4 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 153-wfbga（11.5x13 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 32gbit フラッシュ 4g x 8 MMC -
MT46V128M4CY-5B:J TR Micron Technology Inc. MT46V128M4CY-5B：J TR -
RFQ
 ECAD 9372 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 60-TFBGA MT46V128M4 SDRAM -DDR 2.5V〜2.7V 60-fbga （8x10） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 1,000 200 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 128m x 4 平行 15ns
MT53B256M32D1PX-062 XT:C Micron Technology Inc. MT53B256M32D1PX-062 XT：c -
RFQ
 ECAD 8451 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜105°C（TC） - - MT53B256 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,540 1.6 GHz 揮発性 8gbit ドラム 256m x 32 - -
MT53D1G64D8NW-062 WT ES:D Micron Technology Inc. MT53D1G64D8NW-062 WT ES：d -
RFQ
 ECAD 7728 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -30°C〜85°C （TC） MT53D1G64 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - 1 （無制限） 廃止 0000.00.0000 1,190 1.6 GHz 揮発性 64gbit ドラム 1g x 64 - -
MT29F4G08ABCWC-ET:C TR Micron Technology Inc. MT29F4G08ABCWC-ET：C Tr -
RFQ
 ECAD 9872 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F4G08 フラッシュ -ナンド 1.7V〜1.95V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 4gbit フラッシュ 512m x 8 平行 -
MT29F2G08ABAEAWP-ATX:E TR Micron Technology Inc. MT29F2G08ABAEAWP-ATX：E TR -
RFQ
 ECAD 6459 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F2G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 廃止 0000.00.0000 1,000 不揮発性 2Gbit フラッシュ 256m x 8 平行 -
MT48LC2M32B2TG-7:G TR Micron Technology Inc. MT48LC2M32B2TG-7：G TR -
RFQ
 ECAD 8470 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 86-TFSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT48LC2M32B2 SDRAM 3V〜3.6V 86-TSOP II ダウンロード ROHS非準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 143 MHz 揮発性 64mbit 5.5 ns ドラム 2m x 32 平行 14ns
MTFC4GLGDM-AIT Z TR Micron Technology Inc. mtfc4glgdm-ait z tr -
RFQ
 ECAD 9395 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 153-TFBGA mtfc4 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 153-TFBGA （11.5x13 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 32gbit フラッシュ 4g x 8 MMC -
M29W160EB80ZA3SE TR Micron Technology Inc. M29W160EB80ZA3SE TR -
RFQ
 ECAD 8895 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 48-TFBGA M29W160 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 48-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 1,122 不揮発性 16mbit 80 ns フラッシュ 2m x 8、1m x 16 平行 80ns
N25Q128A11BSF40F TR Micron Technology Inc. N25Q128A11BSF40F TR -
RFQ
 ECAD 4304 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） sicで中止されました -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） N25Q128A11 フラッシュ - 1.7V〜2V 16-sop2 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 108 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi 8ms、5ms
MT29F2G16ABAEAWP-AAT:E TR Micron Technology Inc. MT29F2G16ABAEAWP-AAT：E Tr 3.7059
RFQ
 ECAD 6729 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） 前回購入します -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F2G16 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 2Gbit フラッシュ 128m x 16 平行 -
MT35XL01GBBA1G12-0AAT Micron Technology Inc. MT35XL01GBBA1G12-0AAT 22.1200
RFQ
 ECAD 945 0.00000000 Micron Technology Inc. Xccela™-MT35X バルク アクティブ -40°C〜105°C 表面マウント 24-tbga mt35xl01 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 24-T-PBGA - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,122 133 MHz 不揮発性 1gbit フラッシュ 128m x 8 xccelaバス -
MT46V64M4FG-5B:G TR Micron Technology Inc. MT46V64M4FG-5B：G Tr -
RFQ
 ECAD 9116 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 60-FBGA mt46v64m4 SDRAM -DDR 2.5V〜2.7V 60-fbga （8x14） ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 200 MHz 揮発性 256mbit 700 ps ドラム 64m x 4 平行 15ns
MT29F512G08AUCBBH8-6:B TR Micron Technology Inc. MT29F512G08AUCBBH8-6：B TR -
RFQ
 ECAD 5611 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 152-lbga MT29F512G08 フラッシュ-nand（slc） 2.7V〜3.6V 152-lbga - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 1,000 166 MHz 不揮発性 512gbit フラッシュ 64g x 8 平行 -
MT48LC8M16A2TG-7E IT:G Micron Technology Inc. MT48LC8M16A2TG-7E IT：g -
RFQ
 ECAD 8977 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT48LC8M16A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS非準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 133 MHz 揮発性 128mbit 5.4 ns ドラム 8m x 16 平行 14ns
MT44K32M18RB-125F:A TR Micron Technology Inc. MT44K32M18RB-125F：TR -
RFQ
 ECAD 6200 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 168-TBGA MT44K32M18 ドラム 1.28V〜1.42V 168-BGA（13.5x13.5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 800 MHz 揮発性 576mbit 8 ns ドラム 32m x 18 平行 -
MT47H64M8CB-3:B TR Micron Technology Inc. MT47H64M8CB-3：B TR -
RFQ
 ECAD 6568 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜85°C （TC） 表面マウント 60-FBGA MT47H64M8 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-FBGA ダウンロード ROHS3準拠 5 （48 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 333 MHz 揮発性 512mbit 450 PS ドラム 64m x 8 平行 15ns
MT29F32G08AECCBH1-10:C Micron Technology Inc. MT29F32G08AECCBH1-10：c -
RFQ
 ECAD 9537 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-VBGA MT29F32G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 100-VBGA（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1 100 MHz 不揮発性 32gbit フラッシュ 4g x 8 平行 -
MT48LC4M16A2TG-6:G Micron Technology Inc. MT48LC4M16A2TG-6：g -
RFQ
 ECAD 7712 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT48LC4M16A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS非準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 167 MHz 揮発性 64mbit 5.5 ns ドラム 4m x 16 平行 12ns
MT28EW512ABA1LPC-0SIT Micron Technology Inc. MT28EW512ABA1LPC-0SIT 11.8900
RFQ
 ECAD 8282 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-lbga MT28EW512 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-lbga（11x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 557-1783 3A991B1A 8542.32.0071 1,104 不揮発性 512mbit 95 ns フラッシュ 64m x 8、32m x 16 平行 60ns
MT48H8M16LFB4-8:J Micron Technology Inc. MT48H8M16LFB4-8：J -
RFQ
 ECAD 4269 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ sicで中止されました 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 54-VFBGA MT48H8M16 SDRAM- lPSDR 1.7V〜1.9V 54-VFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 125 MHz 揮発性 128mbit 7 ns ドラム 8m x 16 平行 15ns
MT25QL128ABA1ESE-0SIT TR Micron Technology Inc. MT25QL128ABA1ESE-0SIT TR 4.5900
RFQ
 ECAD 32 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） MT25QL128 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-SO ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,500 133 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi 8ms、2.8ms
M58WR064EB70ZB6 Micron Technology Inc. M58WR064EB70ZB6 -
RFQ
 ECAD 9458 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 56-VFBGA M58WR064 フラッシュ - 1.65V〜2.2V 56-VFBGA （7.7x9） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,016 66 MHz 不揮発性 64mbit 70 ns フラッシュ 4m x 16 平行 70ns
MT29C4G48MAAHBAAKS-5 WT TR Micron Technology Inc. MT29C4G48MAAHBAAKS-5 WT TR -
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 ECAD 2476 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -25°C〜85°C（タタ 表面マウント 137-VFBGA MT29C4G48 フラッシュ-nand 、モバイルlpdram 1.7V〜1.95V 137-VFBGA（13x10.5） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 200 MHz 不揮発性、揮発性 4gbit（nand フラッシュ、ラム 256m x 16 平行 -
MT48LC4M32B2B5-6A XIT:L Micron Technology Inc. MT48LC4M32B2B5-6A XIT：L -
RFQ
 ECAD 9599 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 90-VFBGA MT48LC4M32B2 SDRAM 3V〜3.6V 90-VFBGA （8x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0002 1,440 167 MHz 揮発性 128mbit 5.4 ns ドラム 4m x 32 平行 12ns
N2M400FDB311A3CE Micron Technology Inc. N2M400FDB311A3CE -
RFQ
 ECAD 2717 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 100-lbga N2M400 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 100-lbga（14x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 588 52 MHz 不揮発性 32gbit フラッシュ 4g x 8 MMC -
MT48H32M16LFB4-6 AAT:C Micron Technology Inc. MT48H32M16LFB4-6 AAT：c -
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 ECAD 9091 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 バルク アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 54-VFBGA MT48H32M16 SDRAM- lPSDR 1.7V〜1.95V 54-VFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 1,000 166 MHz 揮発性 512mbit 5 ns ドラム 32m x 16 平行 15ns
MT62F1G32D2DS-023 FAAT:C Micron Technology Inc. MT62F1G32D2DS-023 FAAT：c 31.9350
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 ECAD 9713 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 箱 アクティブ -40°C〜105°C 表面マウント 200-WFBGA SDRAM- lpddr5 1.05V 200-WFBGA （10x14.5 - 557-MT62F1G32D2DS-023FAAT：c 1 3.2 GHz 揮発性 32gbit ドラム 1g x 32 平行 -
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    毎日の平均RFQボリューム

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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